专利名称：一种像素驱动电路的制作方法
技术领域：
本发明有关一种像素电路，特别是指一种能够使有源矩阵有机发光显示器(AMOLED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)亮度更加均勻的 AMOLED 像素驱动电路。
背景技术：
有机发光二极管(0LED )是主动发光器件，相比现在的主流平板显示技术薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT -IXD )，OLED具有对比度高，视角广，功耗低及体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。对主动有机发光显示器(AMOLED)而言，图I为现有技术的像素电路示意图，图 2为现有技术像素电路的工作时序图，发光器件OLED的亮度是由驱动TFT (Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)产生的电流的大小来决定，以PTFT为例，OLED的驱动电流Ie由下式计算
Ie=(1/2)*u*Cox*(ff/L)* (Vsg+Vth)2(I)
其中，Vth是负值，u是载流子迁移率，Cox是单位面积电容，W/L是驱动TFT的宽长比，Vsg是驱动TFT的源极与栅极之间的电压差，Vth是驱动TFT的阈值电压。在LTPS (Low Temperature Poly Silicon,低温多晶娃)工艺中，需要经过一道激光结晶的步骤，由于激光的宽度有限，无法一次同时扫描所有像素的TFT，因此需要通过多次的激光结晶步骤，方能将所有像素的TFT扫描过一次，但是每次激光的强度无法完全相同，因此在激光扫描不同的位置时，接受到的激光能量将会有所不同，进而使得不同时间被照射的TFT具有不同的阈值电压，这样使得每个像素中驱动OLED发光的电流不同，也造成不同的亮度，使得像素之间的亮度不一致，屏体一致性受到严重影响。因此，这种电路欲制作出均匀发光的显示面板十分困难。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种像素之间亮度一致、屏体一致性良好的像素驱动电路。为达到上述目的，本发明提供一种像素驱动电路，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一 VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。所述基准电压线的电压为负电压，该电压低于所述数据线的最小电压。本发明还提供一种像素驱动电路，其包括第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的漏极；该TFT管T4的漏极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的漏极和TFT管T4的源极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的源极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至该TFT管Tl的漏极和TFT管T5的源极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接·至负电压VSS。所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。所述基准电压线的电压为负电压，该电压低于所述数据线的最小电压。采用本发明的像素驱动电路，尽管阈值电压不同，可以使得像素电路中流过OLED的电流一致，可以使得屏体亮度均匀一致，于是AMOLED显示屏的一致性得到较大的改善。并且采用本发明的像素驱动电路，只有两个驱动信号，较容易实现屏体的窄边框，提高产品的美观度和竞争力。
图I为现有技术的像素电路的结构示意 图2为现有技术像素电路的工作时序 图3为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素驱动电路结构 图4为本发明像素驱动电路的工作时序 图5为采用本发明像素驱动电路的显示屏的连接方式图。
具体实施例方式为便于对本发明的结构及达到的效果有进一步的了解，现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。图3为本发明的一种有源矩阵有机发光显示器的像素驱动电路示意图，该像素驱动电路包括，第一扫描线so、第二扫描线SI及一数据线VDATA，该第一扫描线SO连接至一N沟道TFT管T3的栅极和一 P沟道TFT管T4的栅极，第二扫描线SI连接至一 P沟道TFT管T5的栅极、一 P沟道TFT管T2的栅极、一 N沟道TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线VDATA连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线VREF，该TFT管T6的漏极连接一 VDD (器件内部的工作电压)线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 P沟道TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，TFT管T3的源极连接至一 OLED的阳极，该OLED的阴极连接至最低电位VSS，其中VSS为负电压。本发明的像素驱动电路还可以采用另一种结构，该像素驱动电路包括，第一扫描线S0、第二扫描线SI及一数据线VDATA，该第一扫描线SO连接至一 N沟道TFT管T3的栅极和一 P沟道TFT管T4的栅极，第二扫描线SI连接至一 P沟道TFT管T5的栅极、一 P沟道TFT管T2的栅极、一 N沟道TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线VDATA连接至该TFT管T2的漏极；该TFT管T4的漏极连接一基准电压线VREF，该TFT管T6的漏极连接一 VDD (器件内部的工作电压)线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 P沟道TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的漏极和TFT管T4的源极；TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的源极和TFT管T6的源极，TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的源极，TFT管T3的源极连接至一 OLED的阳极，该OLED的阴极连接至最低电位VSS。
本发明中T3和T6是N型TFT，其余TFT管均是P型TFT。图4为本发明像素驱动电路的工作时序图，其工作方式如下
tl时段，准备阶段。第一扫描线SO由原来的高电平变为低电平，第二扫描线SI保持高电平，像素电路中T3关断，OLED停止发光，T4打开，VREF (一般是负电压，具体地说该电压小于VDATA的最小电压)电压传至Tl的栅极12端，目的是消除上一帧的栅极电压，以免对下一帧的阈值电压采样造成负面影响。tl和t2阶段之间，VDATA数据电压到达T2的源极(或者漏极)。t2时段，阈值电压Vth采样阶段。第一扫描线SO由原来的低电平变为高电平，T3打开，T4关断，由于OLED自身具有较大的电容，使得第二扫描线SI和第一扫描线SO都为高电平的瞬间OLED仍然处于关闭状态。接下来第二扫描线SI由高电平变为低电平，T2和T5导通，T6关断，OLED仍然不发光，VDATA电压经过T2传输至Tl的源极11端，Tl的栅极和漏极连接在一起，VDATA电压开始对Tl的栅极12端充电，直到完成充电12端电压是VDATA+Vth (Vth 是负值)。t3时段，OLED发光阶段。第二扫描线SI由低电平变为高电平，T2和T5关断，T6导通，VDD经过T6传输至Tl的源极，则
Vsg+Vth= VDD - (VDATA+Vth)+Vth=VDD-VDATA(2)
根据公(2)，流过OELD的电流
Ie=K* (Vsg+Vth) 2=K (VDD-VDATA)2(3)
K是与关于电子迁移率、栅介质厚度和TFT尺寸相关的常量，Vth是负值。依据公式(3)，流过OLED电流的大小与Tl管的阈值电压无关，实现了补偿的目的。图5是采用该像素驱动电路的显示屏的连接方式，但是VREF线的走向绝不限于横向，纵向依然可以，其他的驱动线和VDATA线亦是如此。因此，采用本发明的像素驱动电路，尽管阈值电压不同，可以使得像素电路中流过OLED的电流一致，可以使得屏体亮度均匀一致，于是AMOLED显示屏的一致性得到较大的改善。并且采用本发明的像素驱动电路，只有两个驱动信号，较容易实现屏体的窄边框，提高产品的美观度和竞争力。当然，本发明中的PTFT管或者部分PTFT管也可以使用NTFT代替。
综上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而并非限制本发明，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，任何所属技术领域中具有通常知识的人，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。 ·
权利要求
1.一种像素驱动电路，其特征在于，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。
2.如权利要求I所述的像素驱动电路，其特征在于，所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。
3.如权利要求I所述的像素驱动电路，其特征在于，所述基准电压线的电压为负电压，该电压小于所述数据线的最小电压。
4.一种像素驱动电路，其特征在于，其包括第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的漏极；该TFT管T4的漏极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一 VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的漏极和TFT管T4的源极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的源极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至该TFT管Tl的漏极和TFT管T5的源极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压 VSS。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。
6.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述基准电压线的电压为负电压，该电压小于所述数据线的最小电压。
全文摘要
本发明公开了一种像素驱动电路，其包括有扫描线S0、扫描线S1及一数据线，该S0连接至TFT管T3的栅极和TFT管T4的栅极，S1连接至TFT管T5的栅极、TFT管T2的栅极、TFT管T6的栅极和电容C2的一端；数据线连接至该T2的源极；T4的源极连接基准电压线，T6的漏极连接VDD线，该VDD线连接电容C1的一端，C1的另一端连接至TFT管T1的栅极、C2的另一端、T5的源极和T4的漏极；T1的源极连接至T2的漏极和T6的源极，T3的漏极连接至T1的漏极和T5的漏极，T3的源极连接至OLED的阳极，OLED的阴极连接至负电压VSS。本发明可以使得屏体亮度均匀一致，并能实现屏体的窄边框。
文档编号G09G3/32GK102903328SQ20121035388
公开日2013年1月30日 申请日期2012年9月21日 优先权日2012年9月21日
发明者胡思明, 邱勇, 黄秀颀, 高孝裕, 永井肇 申请人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司