专利名称：一种像素电路和薄膜晶体管背板的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路和薄膜晶体管背板。
背景技术：
有源矩阵有机发光二极管( Active Matrix Organic Light EmittingDiode1AMOLED)显示器因具有视角广、色彩对比效果好、响应速度快以及成本低等优点，因此获得了广泛应用。但是由于薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)背板在工艺过程中的不均匀性以及稳定性的问题，会导致阈值电压漂移，从而导致不同的OLED在接收到相同的图像帧数据信号时，驱动其发光的电流也是不同的，进而导致整个图像显示的不均匀。并且，随着AMOLED的尺寸不断增大，用于给各像素电路供电的第一电压信号源的传输线也不断增长，传输线上的电阻也不能再被忽略，由此导致AMOLED的尺寸越大第一电压信号源的传输线上的电压衰减也越严重。由于驱动有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode, OLED)的电流与第一电压信号源的输出的电压信号有关，因此这同样也会造成不同OLED接收到相同的图像帧数据信号时，驱动其发光的电流不同，从而影响显示的均匀性。
发明内容
本发明实施例提供了一种像素电路和薄膜晶体管背板，用以解决现有技术中电压信号源传输线上的电阻产生的压降所造成的显示不均匀以及阈值电压漂移所造成的显示不均匀的问题。基于上述问题，本发明实施例提供的一种像素电路，包括驱动晶体管Tl、存储电容Cl、信号加载模块和控制发光模块；所述驱动晶体管Tl的源极分别与控制发光模块的第四端和信号加载模块的第四端连接，所述驱动晶体管Tl的栅极分别与存储电容Cl的第一端和信号加载模块的第二端连接，所述驱动晶体管Tl的漏极分别与控制发光模块的第三端和信号加载模块的第三端连接；所述存储电容Cl的第二端分别与所述控制发光模块的第二端和所述信号加载模块的第一端连接；所述信号加载模块第五端接收图像帧数据信号Vdata；所述控制发光模块的第一端接收第一电压信号，所述控制发光模块的第五端输出发光信号。具体的，所述信号加载模块包括开关晶体管T5，开关晶体管T6和复位晶体管T4 ；所述开关晶体管T5的栅极接收门信号VeATE，所述开关晶体管Τ5的源极作为所述信号加载模块的第五端，所述开关晶体管Τ5的源极接收图像帧数据信号Vdata，所述开关晶体管Τ5的漏极作为所述信号加载模块的第四端，所述开关晶体管Τ5的漏极连接所述驱动晶体管Tl的源极以及所述控制发光模块的第四端；所述开关晶体管T6的栅极接收门信号VeATE，所述开关晶体管Τ6的源极作为所述信号加载模块的第二端，所述开关晶体管Τ6的源极连接所述驱动晶体管Tl的栅极以及所述存储电容Cl的第一端，所述开关晶体管Τ6的漏极作为所述信号加载模块的第三端，所述开关晶体管Τ6的漏极连接所述驱动晶体管Tl的漏极以及所述控制发光模块的第三端；所述复位晶体管Τ4的栅极接收复位信号Vkeset,所述复位晶体管Τ4的源极作为所述信号加载模块的第一端，所述复位晶体管Τ4的源极连接所述存储电容Cl的第二端以及所述控制发光模块的第二端，所述复位晶体管Τ4的漏极接地；具体的，所述控制发光模块包括开关晶体管Τ2、开关晶体管Τ3和开关晶体管Τ7 ；
所述开关晶体管Τ2的栅极和所述开关晶体管Τ7的栅极连接，所述开关晶体管Τ2的栅极和所述开关晶体管Τ7的栅极均接收发射控制信号Vemissim，所述开关晶体管Τ2的源极和所述开关晶体管Τ7的源极作为所述控制发光模块的第一端，所述开关晶体管Τ2的源极和所述开关晶体管Τ7的源极均接收第一电压信号，所述开关晶体管Τ7的漏极作为所述控制发光模块的第二端，所述开关晶体管Τ7的漏极连接所述存储电容Cl的第二端，所述开关晶体管Τ2的漏极作为所述控制发光模块的第四端，所述开关晶体管Τ2的漏极连接所述驱动晶体管Tl的源极；所述开关晶体管Τ3的栅极接收发射控制信号Vemissot，所述开关晶体管Τ3的源极作为所述控制发光模块的第三端，所述开关晶体管Τ3的源极连接所述驱动晶体管Tl的漏极，所述开关晶体管Τ3的漏极作为所述控制发光模块的第五端，所述开关晶体管Τ3的漏极输出发光信号。进一步的，所述像素电路还包括第一电压信号源，所述第一电压信号源的输出端与所述控制发光模块的第一端连接，所述第一电压信号源用于向所述控制发光模块输出所述第一电压信号。进一步的，所述像素电路还包括有机发光二极管，所述有机发光二极管连接所述控制发光模块的第五端，所述有机发光二极管用于接收所述发光信号发光。进一步的，所述像素电路还包括第二电压信号源，其中所述驱动晶体管Tl为P型晶体管，所述有机发光二极管的阳极连接所述控制发光模块的第五端，所述有机发光二极管的阴极连接所述第二电压信号源，所述第二电压信号源为低电压信号源，所述第一电压信号为高电压信号。或者所述驱动晶体管Tl为η型晶体管，所述有机发光二极管的阳极连接所述第二电压信号源，所述有机发光二极管的阴极连接所述控制发光模块的第五端，所述第二电压信号源为高电压信号源，所述第一电压信号为低电压信号。进一步的，所述像素电路还包括复位信号源，所述复位信号源连接所述信号加载模块中的复位晶体管Τ4的栅极，所述复位信号源用于输出所述复位信号。进一步的，所述像素电路还包括发射控制信号源，所述发射控制信号源连接所述控制发光模块中的开关晶体管Τ2的栅极、开关晶体管Τ3的栅极和开关晶体管Τ7的栅极，所述发射控制信号源用于输出所述发射控制信号。
本发明实施例还提供一种薄膜晶体管背板，包括本发明实施例提供的上述像素电路。本发明实施例的有益效果包括所述信号加载模块接收图像帧数据信号VDATA，使得驱动晶体管Tl的栅极电位为图像帧数据信号Vdata和驱动晶体管Tl的阈值电压Vthl之和。所述控制发光模块接收第一电压信号V1并将其分别加载到驱动晶体管Tl的栅极和源极，使得驱动晶体管Tl的栅极电位为图像帧数据信号Vdata、驱动晶体管T1的阈值电压Vthl和第一电压信号V1之和，驱动晶体管 Tl的源极电位为第一电压信号％。此时，驱动晶体管Tl工作在饱和区，根据晶体管饱和区电流特性，驱动晶体管Tl的源极电压V1抵消了其栅极电压中V1的部分，驱动晶体管Tl的阈值电压Vthl抵消了其栅极电压中Vthl的部分，从而补偿了第一电压信号源的传输线上的电阻压降以及驱动晶体管Tl的阈值电压的漂移，消除了在接收到相同的图像帧数据信号时流经不同OLED的电流差异，从而使整个图像显示均匀。
图I为本发明实施例提供的像素电路结构图；图2为本发明实施例提供的P型驱动晶体管Tl的像素电路的电路图之一；图3为本发明实施例提供的P型驱动晶体管Tl的像素电路的电路图之二 ；图4为本发明实施例提供的P型驱动晶体管Tl的像素电路的电路图之三；图5为本发明实施例提供的η型驱动晶体管Tl的像素电路的电路图之一；图6为本发明实施例提供的η型驱动晶体管Tl的像素电路的电路图之二 ；图7为本发明实施例提供的η型驱动晶体管Tl的像素电路的电路图之三；图8为本发明实施例提供的像素电路工作的时序图之一；图9为本发明实施例提供的像素电路工作的时序图之二。
具体实施例方式下面结合说明书附图，对本发明实施例提供的一种像素电路和薄膜晶体管背板的具体实施方式
进行说明。本发明实施例提供一种像素电路，如图1，所述像素电路包括驱动晶体管Tl、存储电容Cl、信号加载模块14和控制发光模块13 ；所述驱动晶体管Tl的源极分别与控制发光模块的第四端和信号加载模块的第四端连接，所述驱动晶体管Tl的栅极分别与存储电容Cl的第一端和信号加载模块的第二端连接，所述驱动晶体管Tl的漏极分别与控制发光模块的第三端和信号加载模块的第三端连接；所述存储电容Cl的第二端分别与所述控制发光模块的第二端和所述信号加载模块的第一端连接；所述信号加载模块第五端接收图像帧数据信号Vdata；所述控制发光模块的第一端接收第一电压信号，所述控制发光模块的第五端输出发光信号。本实施例的像素电路，所述信号加载模块接收图像帧数据信号Vdata,使得驱动晶体管Tl的栅极电位为图像帧数据信号Vdata和驱动晶体管Tl的阈值电压Vthl之和。所述控制发光模块接收第一电压信号V1并将其分别加载到驱动晶体管Tl的栅极和源极，使得驱动晶体管Tl的栅极电位为图像帧数据信号Vdata、驱动晶体管Tl的阈值电压Vthl和第一电压信号V1之和，驱动晶体管Tl的源极电位为第一电压信号％。由于此时的驱动晶体管Tl工作在饱和区，工作在饱和区的驱动晶体管Tl的栅极与源极的电压差K^VDm+Vthi+VrV^VDM+Vm，按照下述现有技术中晶体管工作在饱和区的
电流特性的公式
权利要求
1.一种像素电路，其特征在于，包括驱动晶体管Tl、存储电容Cl、信号加载模块和控制发光|吴块； 所述驱动晶体管Tl的源极分别与控制发光模块的第四端和信号加载模块的第四端连接，所述驱动晶体管Tl的栅极分别与存储电容Cl的第一端和信号加载模块的第二端连接，所述驱动晶体管Tl的漏极分别与控制发光模块的第三端和信号加载模块的第三端连接； 所述存储电容Cl的第二端分别与所述控制发光模块的第二端和所述信号加载模块的第一端连接； 所述信号加载模块第五端接收图像帧数据信号Vdata ; 所述控制发光模块的第一端接收第一电压信号，所述控制发光模块的第五端输出发光信号。
2.如权利要求I所述的电路，其特征在于，所述信号加载模块包括开关晶体管T5，开关晶体管T6和复位晶体管T4 ； 所述开关晶体管T5的栅极接收门信号VeATE，所述开关晶体管T5的源极作为所述信号加载模块的第五端，所述开关晶体管T5的源极接收图像帧数据信号Vdata，所述开关晶体管T5的漏极作为所述信号加载模块的第四端，所述开关晶体管T5的漏极连接所述驱动晶体管Tl的源极以及所述控制发光模块的第四端； 所述开关晶体管T6的栅极接收门信号VeATE，所述开关晶体管T6的源极作为所述信号加载模块的第二端，所述开关晶体管T6的源极连接所述驱动晶体管Tl的栅极以及所述存储电容Cl的第一端，所述开关晶体管T6的漏极作为所述信号加载模块的第三端，所述开关晶体管T6的漏极连接所述驱动晶体管Tl的漏极以及所述控制发光模块的第三端； 所述复位晶体管T4的栅极接收复位信号Vkeset，所述复位晶体管T4的源极作为所述信号加载模块的第一端，所述复位晶体管T4的源极连接所述存储电容Cl的第二端以及所述控制发光模块的第二端，所述复位晶体管T4的漏极接地。
3.如权利要求I所述的电路，其特征在于，所述控制发光模块包括开关晶体管T2、开关晶体管T3和开关晶体管T7 ； 所述开关晶体管T2的栅极和所述开关晶体管T7的栅极连接，所述开关晶体管T2的栅极和所述开关晶体管T7的栅极均接收发射控制信号Vemissot，所述开关晶体管T2的源极和所述开关晶体管T7的源极作为所述控制发光模块的第一端，所述开关晶体管T2的源极和所述开关晶体管T7的源极均接收第一电压信号，所述开关晶体管T7的漏极作为所述控制发光模块的第二端，所述开关晶体管T7的漏极连接所述存储电容Cl的第二端，所述开关晶体管T2的漏极作为所述控制发光模块的第四端，所述开关晶体管T2的漏极连接所述驱动晶体管Tl的源极； 所述开关晶体管T3的栅极接收发射控制信号Vemissim，所述开关晶体管T3的源极作为所述控制发光模块的第三端，所述开关晶体管T3的源极连接所述驱动晶体管Tl的漏极，所述开关晶体管T3的漏极作为所述控制发光模块的第五端，所述开关晶体管T3的漏极输出发光信号。
4.如权利要求I所述的电路，其特征在于，还包括第一电压信号源，所述第一电压信号源的输出端与所述控制发光模块的第一端连接，所述第一电压信号源用于向所述控制发光模块输出所述第一电压信号。
5.如权利要求I所述的电路，其特征在于，还包括有机发光二极管，所述有机发光二极管连接所述控制发光模块的第五端，所述有机发光二极管用于接收所述发光信号发光。
6.如权利要求5所述的电路，其特征在于，还包括第二电压信号源，其中 所述驱动晶体管Tl为P型晶体管，所述有机发光二极管的阳极连接所述控制发光模块的第五端，所述有机发光二极管的阴极连接所述第二电压信号源，所述第二电压信号源为低电压信号源，所述第一电压信号为高电压信号。
7.如权利要求5所述的电路，其特征在于，还包括第二电压信号源，其中 所述驱动晶体管Tl为η型晶体管，所述有机发光二极管的阳极连接所述第二电压信号源，所述有机发光二极管的阴极连接所述控制发光模块的第五端，所述第二电压信号源为高电压信号源，所述第一电压信号为低电压信号。
8.如权利要求2所述的电路，其特征在于，还包括复位信号源，所述复位信号源连接所述信号加载模块中的复位晶体管Τ4的栅极，所述复位信号源用于输出所述复位信号。
9.如权利要求3所述的电路，其特征在于，还包括发射控制信号源，所述发射控制信号源连接所述控制发光模块中的开关晶体管Τ2的栅极、开关晶体管Τ3的栅极和开关晶体管Τ7的栅极，所述发射控制信号源用于输出所述发射控制信号。
10.一种薄膜晶体管TFT背板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的像素电路。
全文摘要
本发明实施例提供一种像素电路和薄膜晶体管背板，用以解决电源线的电阻压降和阈值电压漂移造成的显示不均匀的问题。它包括驱动晶体管T1、存储电容C1、信号加载模块和控制发光模块。驱动晶体管T1的源极分别与控制发光模块的第四端和信号加载模块的第四端连接，驱动晶体管T1的栅极分别与存储电容C1的第一端和信号加载模块的第二端连接，驱动晶体管T1的漏极分别与控制发光模块的第三端和信号加载模块的第三端连接；存储电容C1的第二端分别与控制发光模块的第二端和信号加载模块的第一端连接；信号加载模块第五端接收图像帧数据信号VDATA；控制发光模块的第一端接收第一电压信号，控制发光模块的第五端输出发光信号。
文档编号G09G3/32GK102881253SQ20121035712
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月21日 优先权日2012年9月21日
发明者马占洁 申请人:京东方科技集团股份有限公司