像素电路和显示装置的制作方法

文档序号:2523499阅读:123来源:国知局
专利名称:像素电路和显示装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种像素电路和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,0LED)为电流驱动主动发光型器件,因其具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点,以OLED为基础的有机发光显示预计今后几年将成为显示领域的主流。有机发光显示的每个显示单元,都是由OLED构成的,有机发光显示按驱动方式可分为有源有机发光显示和无源有机发光显示,其中有源有机发光显示是指每个OLED都由薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)电路来控制流过OLED的电流,OLED和用于驱动OLED的TFT电路构成像素电路。一种典型的像素电路如


图1所示,包括2个TFT晶体管,I个电容和I个0LED,其中开关管T2将数据线上的电压传输到驱动管Tl的栅极,驱动管Tl将这个数据电压转化为相应的电流,供给OLED器件,其电流可表示为:
权利要求1.一种像素电路,其特征在于,包括: 发光兀件; 用于驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管,其漏极输入电源电压信号; 第一薄膜晶体管,其源极与所述发光元件相连接,其漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极相连接,其栅极接收第一控制信号; 第二薄膜晶体管,其源极接收数据信号,其漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接,其栅极接收扫描信号; 第三薄膜晶体管,其源极接收参考电压信号,其栅极接收所述扫描信号; 第四薄膜晶体管,其源极与所述第三薄膜晶体管的漏极相连接,其漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极及所述第二薄膜晶体管的漏极相连接,其栅极接收第二控制信号; 电容,所述电容的一极板连接至第一节点,另一极板连接至第二节点,所述第一节点为所述第一薄膜晶体管漏极与所述驱动薄膜晶体管源极的连接点,所述第二节点为所述第四薄膜晶体管源极与所述第三薄膜晶体管漏极的连接点。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于, 所述驱动薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于, 所述薄膜晶体管为耗尽型薄膜晶体管,或者增强型薄膜晶体管。
4.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路,其特征在于, 所述发光元件为有机发光二极管。
5.一种显示装置,其特征在于,设置有权利要求1-4任一项所述的像素电路。
专利摘要本实用新型公开了一种像素电路和显示装置,涉及显示领域,可有效地补偿耗尽型或增强型驱动TFT阈值电压非均匀性、漂移,以及OLED非均匀性导致的电流差异。所述像素电路包括发光元件;驱动薄膜晶体管,漏极输入电源电压信号;第一薄膜晶体管,漏极与驱动薄膜晶体管的源极相连,源极与发光元件相连,栅极接收第一控制信号;第二薄膜晶体管,源极接收数据信号,漏极与驱动薄膜晶体管栅极相连,栅极接收扫描信号;第三薄膜晶体管,源极接收参考电压信号,栅极接收扫描信号;第四薄膜晶体管,源极与第三薄膜晶体管漏极相连,漏极与驱动薄膜晶体管的栅极及第二薄膜晶体管漏极相连,栅极接收第二控制信号;电容。
文档编号G09G3/32GK202917146SQ201220594638
公开日2013年5月1日 申请日期2012年11月12日 优先权日2012年11月12日
发明者吴仲远, 段立业 申请人:京东方科技集团股份有限公司
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