专利名称：像素电路及显示装置的制作方法
技术领域：
像素电路及显示装置技术领域[0001]本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种像素电路及显示装置。
背景技术：
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,0LED)为电流驱动主动发光型器件，因其具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点，以OLED为基础的有机发光显示预计今后几年将成为显示领域的主流。[0003]有机发光显示的每个显示单元，都是由OLED构成的，有机发光显示按驱动方式可分为有源有机发光显示和无源有机发光显示，其中有源有机发光显示是指每个OLED都由薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)电路来控制流过OLED的电流，OLED和用于驱动 OLED的TFT电路构成像素电路。[0004]一种典型的像素电路如
图1所示，包括2个TFT晶体管，I个电容和I个0LED，其中开关管T2将数据线上的电压传输到驱动管Tl的栅极，驱动管Tl将这个数据电压转化为相应的电流，供给OLED器件，其电流可表示为:[0005]
权利要求1.一种像素电路，其特征在于，包括:发光兀件；用于驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管；第一薄膜晶体管，其源极连接参考电压端，其漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连 接，其栅极接收第一控制信号；第二薄膜晶体管，其栅极接收第一扫描信号，其漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极相 连接，其源极接收数据电压信号；第三薄膜晶体管，其栅极接收第二扫描信号，其源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极相 连接，其漏极与发光元件相连；第四薄膜晶体管，其源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接，其漏极与所述驱动薄 膜晶体管的漏极相连接，其栅极接收第一扫描信号；第五薄膜晶体管，其栅极接收第二扫描信号，其源极与电源电压相连接，其漏极与所述 驱动薄膜晶体管的源极连接；电容，所述电容的一极板连接至第一节点A，另一极板连接至第二节点B，所述第一节 点A为所述第一薄膜晶体管漏极与所述驱动薄膜晶体管栅极的连接点，所述第二节点B与 参考电压端相连。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜 晶体管和驱动晶体管均为N型或P型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，所述发光元件为有机发光二极管。
4.一种显示装置，其特征在于，设置有权利要求1-3任一项所述的像素电路。
专利摘要本实用新型公开了一种像素电路及显示装置，涉及显示领域，可有效地补偿驱动TFT阈值电压非均匀性、漂移，以及OLED非均匀性导致的电流差异。所述像素电路包括发光元件；驱动薄膜晶体管；第一薄膜晶体管，漏极与驱动薄膜晶体管的栅极相连；第二薄膜晶体管，漏极与驱动薄膜晶体管的源极相连；第三薄膜晶体管，源极与驱动薄膜晶体管的漏极相连接，漏极与发光元件相连；第四薄膜晶体管，其源极与驱动薄膜晶体管的栅极相连接，漏极与驱动薄膜晶体管的漏极相连接；第五薄膜晶体管，其漏极与驱动薄膜晶体管的源极连接；电容。
文档编号G09G3/32GK202976780SQ201220717840
公开日2013年6月5日 申请日期2012年12月21日 优先权日2012年12月21日
发明者杨盛际 申请人:北京京东方光电科技有限公司