一种磁流体形态控制装置及书写装置的制作方法

文档序号:37931765发布日期:2024-05-11 00:10阅读:10来源:国知局
一种磁流体形态控制装置及书写装置的制作方法

本申请实施例涉及磁流体设备,具体而言,涉及一种磁流体形态控制装置及书写装置。


背景技术:

1、磁流体又称磁液,是一种新型的功能材料,它既具有液体的流动性又具有固体磁性材料的磁性。磁液是一种由直径为10纳米以下的磁性固体颗粒、基载液以及界面活性剂三者混合而成的稳定的胶状液体,磁液在静态时无磁性吸引力,当外加磁场作用时,才表现出磁性,因此,它在实际中有着广泛的应用,而且在理论上具有很高的学术研究价值。现有关于磁流体的产品成品的形态控制一般采用电磁形成阵列进行控制,其产品成本非常高,针对该问题,本发明提供一种机械结构进行磁流体的形态控制。


技术实现思路

1、本申请实施例在于提供一种磁流体形态控制装置及书写装置,旨在解决现有磁流体产品的形态控制一般采用电磁控制方法造成的制造成本高的问题。

2、本申请实施例第一方面提供一种磁流体形态控制装置,包括:磁体层和磁流体层,其中,所述磁体层设置有阵列排布的磁体阵元,所述磁体阵元均具有第一位置和第二位置,所述磁体阵元处于第一位置时,该所述磁体阵元的磁场吸引所述磁流体层中的磁流体,所述磁体阵元处于第二位置时,该所述磁体阵元的磁场不吸引所述磁流体层中的磁流体。

3、可选地,所述磁流体形态控制装置还包括与所述磁体层可操作连接的第一控制件,所述第一控制件控制至少一个磁体阵元置于第二位置。

4、可选地,所述第一控制件为条形永磁体,所述条形永磁体可在平行于所述磁体阵元的平面内移动。

5、可选地,所述磁流体层包括显形层和用于存储磁流体的存储层,所述显形层相对所述存储层更远离所述磁体阵元的平面,所述显形层和所述存储层之间连通。

6、可选地,所述显形层上开设有第一连通孔和第二连通孔,所述显形层和所述存储层之间通过所述第一连通孔和所述第二连通孔连通。

7、可选地,所述存储层包括多个存储腔和承接槽,任意两个相邻的所述存储腔之间连通,所述承接槽与所述存储腔连通。

8、可选地,所述第一连通孔与所述承接槽相对设置。

9、可选地,所述第一连通孔与所述存储腔相对设置。

10、本申请实施例第二方面提供一种书写装置,包括上述任意一项所述的磁流体形态控制装置以及和与所述磁体层可操作连接的第二控制件,所述第二控制件控制至少一个磁体阵元置于第一位置。

11、有益效果:本发明通过机械式控制并调整磁体层的位置来吸引磁流体层中的磁流体,有效地避免采用电磁阵列来控制磁流体位置,大大节约了生产制造成本。

12、本发明采用条形磁铁作为第一控制件来控制磁体层中磁体阵元的位置,方法简单高效且易于控制调整。

13、本发明中显形层和存储层之间通过第一连通孔和第二连通孔连通,磁流体能够较为容易地在显形层和存储层之间来回流动,有效提高了书写装置的擦除效果和书写效果。

14、本发明的存储层将相邻两个存储腔之间连通,磁流体均匀布设与整个存储层,磁流体分布均匀可以使整个磁流体在显形层分布均匀,或者快速从显形层进入存储层,最终实现磁流体在显形状态和不显形状态之间快速切换。

15、本发明通过在显形层上设置第二连通孔,第二连通孔与承接槽相对设置,使承接槽能够对来自显形层的磁流体进行初步存储,同时避免强力永磁体再次通过磁体阵元的平面时,磁流体被带至显形层的情况发生。

16、本发明中显形层中存储腔与第一连通孔相对设置,磁流体能够在显形层和储存层之间快速交换,能够保证书写装置不具有书写的迟滞性

17、本发明提供的书写装置,通过利用第二控制件与磁体层可操作连接,使磁体阵元置于第一位置,从而吸引磁流体中的磁流体使其处于显形状态,从而实现书写目的。



技术特征:

1.一种磁流体形态控制装置,其特征在于,包括磁体层和磁流体层,其中,所述磁体层设置有阵列排布的磁体阵元,所述磁体阵元均具有第一位置和第二位置,所述磁体阵元处于第一位置时,该所述磁体阵元的磁场吸引所述磁流体层中的磁流体,所述磁体阵元处于第二位置时,该所述磁体阵元的磁场不吸引所述磁流体层中的磁流体。

2.根据权利要求1所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述磁流体形态控制装置还包括与所述磁体层可操作连接的第一控制件,所述第一控制件控制至少一个磁体阵元置于第二位置。

3.根据权利要求2所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述第一控制件为条形永磁体,所述条形永磁体可在平行于所述磁体阵元的平面内移动。

4.根据权利要求3所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述磁流体层包括显形层和用于存储磁流体的存储层,所述显形层相对所述存储层更远离所述磁体阵元的平面,所述显形层和所述存储层之间连通。

5.根据权利要求4所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述显形层上开设有第一连通孔和第二连通孔,所述显形层和所述存储层之间通过所述第一连通孔和所述第二连通孔连通。

6.根据权利要求5所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述存储层包括多个存储腔和承接槽,任意两个相邻的所述存储腔之间连通,所述承接槽与所述存储腔连通。

7.根据权利要求6所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述第一连通孔与所述承接槽相对设置。

8.根据权利要求7所述的磁流体形态控制装置,其特征在于,所述第一连通孔与所述存储腔相对设置。

9.一种书写装置,其特征在于,包括权利要求1-8任意一项所述的磁流体形态控制装置,以及与磁体层可操作连接的第二控制件,所述第二控制件控制至少一个磁体阵元置于第一位置。


技术总结
本技术属于磁流体设备技术领域。本技术提供了一种磁流体形态控制装置及书写装置,包括磁体层和磁流体层,其中,磁体层设置有阵列排布的磁体阵元,磁体阵元均具有第一位置和第二位置,磁体阵元处于第一位置时,该磁体阵元的磁场吸引磁流体层中的磁流体,磁体阵元处于第二位置时,该磁体阵元的磁场不吸引磁流体层中的磁流体,本技术提供的书写装置还包括与磁体层可操作连接的第二控制件,第二控制件控制至少一个磁体阵元置于第一位置。本技术通过机械结构对磁流体进行形态控制,有效降低了生产成本。

技术研发人员:徐炳鹏,何华林
受保护的技术使用者:深圳市北朋创新技术有限公司
技术研发日:20230823
技术公布日:2024/5/10
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