本发明涉及半导体，特别是涉及一种套刻标记补偿装置。
背景技术：
1、ovl(套刻标记)光刻关键工艺因素，它表征当层与前层图形套刻精度。控制套刻标记的大小和准确性对于光刻来说是一个挑战。
2、现有技术通过apc系统(先进过程控制系统)建立反馈运算对lot(晶圆组)进行补偿：如此循环往复使制程ovl越来越稳定。
3、但实际工艺制程中由于工艺需求，存在各种因素影响ovl量测和补偿。
4、例如某种工艺中，cg(控制栅)与wl(字线)由自对准改为非自对准，对两层间ovl要求较高，而由于工艺需求需要淀积较厚膜层，膜层淀积完成后晶圆存在应力，刻蚀后应力释放发现adi(显影后检测)ovl和aei(刻蚀后检测)ovl存在偏差，仅以adiovl进行补偿无法控制两层间实际ovl，需要同步引入aeiovl进行补偿。
5、为解决上述问题，需要提出一种新型的套刻标记补偿装置。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种套刻标记补偿装置，用于解决现有技术中仅以adiovl进行补偿无法控制两层间实际ovl，需要同步引入aeiovl进行补偿的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种套刻标记补偿装置，包括：
3、第一套刻控制反馈模块，其用于：获取当前批次晶圆组的显影后检测的第一量测值；根据所述量测值获取套刻标记的第一补偿值；
4、第二套刻控制反馈模块，其用于：获取当前批次晶圆组的刻蚀后检测的第二量测值；根据所述第二量测值获取套刻标记的第二补偿值；
5、套刻标记补偿值迭代模块，其用于：判断所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿，
6、若是，则以第一、二补偿值之和作为之后批次晶圆组的套刻标记补偿值；
7、若否，则以第一补偿值作为之后批次晶圆组的套刻标记补偿值。
8、优选地，所述第一套刻控制反馈模块还包括用于：设置显影后检测的第一补偿值规格，高于所述第一补偿值规格的所述第一补偿值不用于套刻标记补偿值的迭代。
9、优选地，所述第二套刻控制反馈模块还包括用于：设置显影后检测的第二补偿值规格，高于所述第二补偿值规格的所述第二补偿值不用于套刻标记补偿值的迭代。
10、优选地，所述第一、二套刻控制反馈模块分别独立工作。
11、优选地，所述套刻标记补偿值迭代模块包括反馈开关，所述反馈开关用于控制所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿。
12、优选地，所述判断所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿的方法包括：判断目标批次的晶圆是否需要进行刻蚀后检测的套刻标记补偿；若是，则所述第二补偿值用于套刻标记补偿；若否，则所述第二补偿值不用于套刻标记补偿。
13、优选地，所述判断所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿的方法包括：在之后批次的晶圆组进行光刻前，判断所述当前批次晶圆组是否已进行刻蚀以及刻蚀后检测；若是，则所述第二补偿值用于套刻标记补偿；若否，则所述第二补偿值不用于套刻标记补偿。
14、优选地，所述第一套刻控制反馈模块通过设置权重系数定义各参数参与补偿的比重。
15、优选地，所述第二套刻控制反馈模块通过设置权重系数定义各参数参与补偿的比重。
16、优选地，所述装置用于先进过程控制系统。
17、如上所述，本发明的套刻标记补偿装置，具有以下有益效果：
18、本发明能够使先进工艺中其他非光刻因素造成的ovl偏差通过光刻工艺预补偿实现最终器件当层与前层的套刻更加精确优化。
1.一种套刻标记补偿装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述第一套刻控制反馈模块还包括用于：设置显影后检测的第一补偿值规格，高于所述第一补偿值规格的所述第一补偿值不用于套刻标记补偿值的迭代。
3.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述第二套刻控制反馈模块还包括用于：设置显影后检测的第二补偿值规格，高于所述第二补偿值规格的所述第二补偿值不用于套刻标记补偿值的迭代。
4.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述第一、二套刻控制反馈模块分别独立工作。
5.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述套刻标记补偿值迭代模块包括反馈开关，所述反馈开关用于控制所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿。
6.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述判断所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿的方法包括：判断目标批次的晶圆是否需要进行刻蚀后检测的套刻标记补偿；若是，则所述第二补偿值用于套刻标记补偿；若否，则所述第二补偿值不用于套刻标记补偿。
7.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述判断所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿的方法包括：在之后批次的晶圆组进行光刻前，判断所述当前批次晶圆组是否已进行刻蚀以及刻蚀后检测；若是，则所述第二补偿值用于套刻标记补偿；若否，则所述第二补偿值不用于套刻标记补偿。
8.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述第一套刻控制反馈模块通过设置权重系数定义各参数参与补偿的比重。
9.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述第二套刻控制反馈模块通过设置权重系数定义各参数参与补偿的比重。
10.根据权利要求1所述的套刻标记补偿装置，其特征在于：所述装置用于先进过程控制系统。