本公开涉及一种用于从晶片台(table)的表面去除材料的工具，例如，一种用于去除通过在晶片台上进行处理而形成的材料的工具，以及一种用于创建用于去除通过在晶片台上进行处理而形成的材料的工具的方法。
背景技术：
：：1、光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造。在这种情况下，图案化装置(其可以是掩模(mask)或掩模版(reticle))可以用于生成要在ic的个体层上形成的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或若干管芯)上。图案的转印通常是经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(光致抗蚀剂或简称为“抗蚀剂”)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行于或反平行于该扫描方向同步地扫描目标部分来照射每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底。2、在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要在衬底上顺序地形成不同的层。因此，可能需要以高精度相对于形成在其上的现有图案来定位衬底。通常，对准标记被放置在待对准的衬底上并且参照第二物体被定位。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置并且使用对准标记对准衬底以确保从掩模的准确曝光。两个不同的层的对准标记之间的不对准被测量为套刻(overlay)误差。3、在光刻操作期间，晶片台在处理期间保持和支撑晶片。为了确保产品晶片的精度，晶片台应该尽可能地平坦。然而，在光刻工艺中的使用过程中，晶片台可能不均匀地磨损，导致较不平坦的表面。为了减缓磨损过程，可以将例如类金刚石碳(dlc)的硬涂层施加到晶片的表面，尽管硬涂层不限于该示例。4、一种从晶片台上去除材料的方法是使用具有研磨表面的工具从晶片台上研磨掉材料。在一些方面，该工具可以包括其上设置有研磨材料层的卡盘(puck)。然而，在卡盘的使用过程中，从晶片台上去除的材料可能堵塞研磨材料中的孔，导致晶片台的研磨和清洁效率较低。在一些情况下，这种堵塞可能导致有效地“抛光”晶片台的表面，而不是如预期的那样从晶片台研磨材料。5、从卡盘上去除这种材料的常规方法包括在炉(furnace)或等离子体中燃烧卡盘以清除材料。然而，这种方法需要冗长的卸载和清洗过程，这降低了清洗晶片台的产出率(throughout)。另一方面，可以简单地更换卡盘，但是由于制造合适的平坦的卡盘和为卡盘提供研磨层(abrasive layer)的成本，这种方法是昂贵的。技术实现思路1、因此，需要一种用于从晶片台表面去除材料的改进的工具和方法。2、在一些实施例中，用于从晶片台的表面去除材料的工具可以包括卡盘。研磨层可以被设置在卡盘的至少一个表面上。研磨层的表面可包括共价键合到研磨层表面的原子，使得研磨层抵抗由被去除的材料引起的堵塞。3、在一些方面，共价键合的原子可以包括氟。在一些方面，研磨层可包括具有大于或等于35gpa的硬度的金刚石。在一些方面，共价键合的原子可以包括氟并且被键合到金刚石。在一些方面，被去除的材料包括类金刚石碳(dlc)。4、在一些实施例中，形成用于从晶片台的表面去除材料的工具的方法可以包括在卡盘的表面上设置研磨层。在一些实施例中，该方法可以包括处理该研磨层的表面以在该研磨层的表面上形成共价键合的原子，使得该研磨层抵抗由被去除的材料引起的堵塞。5、在一些方面，共价键合的原子可以包括氟原子。在一些方面，可以使用等离子体氟化来对研磨层的表面进行氟化。在一些方面，可以使用全氟烷基单层来对研磨层的表面进行氟化。在一些方面，产生全氟烷基单层可以包括使官能化三烷氧基硅烷与金刚石表面反应。在一些方面，处理研磨层的表面可以包括：在处理研磨层的表面之前，用氟原子置换研磨层中的氢、氧和/或氢氧化物。在一些方面，可以通过形成具有大于或等于35gpa的硬度的金刚石来设置研磨层。在一些方面，处理研磨层可以包括将氟原子共价键合到金刚石。在一些方面，从晶片台上去除材料可以包括去除类金刚石碳(dlc)。6、在一些实施例中，从晶片台的表面去除材料的方法可以包括使用工具对晶片台进行研磨以从晶片台去除材料。该工具可根据本文公开的方法形成。7、下面参考附图详细描述本公开的各个方面的其它特征。应注意，本公开不限于本文所述的具体方面。本文仅出于说明性目的而呈现此类方面。基于本文所包括的教示，相关领域的技术人员将明了其它方面。技术特征：1.一种用于从晶片台的表面去除材料的工具，所述工具包括：2.根据权利要求1所述的工具，其中共价键合的所述原子包括氟。3.根据权利要求1的工具，其中：4.根据权利要求1所述的工具，其中被去除的所述材料包括类金刚石碳(dlc)。5.一种形成用于从晶片台去除材料的工具的方法，所述方法包括：6.根据权利要求5的方法，其中所述处理形成共价键合的原子包括：处理以形成包括氟原子的所述共价键合的原子。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述处理所述研磨层的所述表面包括：使用等离子体氟化对所述研磨层的所述表面进行氟化。8.根据权利要求6的方法，其中：9.根据权利要求6所述的方法，其中所述处理所述研磨层的所述表面包括：在所述处理所述研磨层的所述表面之前，用氟置换所述研磨层中的氢、氧和/或氢氧化物。10.根据权利要求5所述的方法，其中所述处理所述研磨层的所述表面还包括：在与官能化三烷氧基硅烷反应之前，使所述研磨层的所述表面羟基化。11.根据权利要求5所述的方法，其中所述设置所述研磨层包括形成具有大于或等于35gpa的硬度的金刚石。12.根据权利要求11的方法，其中所述处理所述研磨层的所述表面包括：将氟原子共价键合到所述金刚石。13.根据权利要求5所述的方法，其中从所述晶片台上去除所述材料包括：去除类金刚石碳(dlc)。14.一种从晶片台上去除材料的方法，包括：使用根据权利要求1所述的工具对所述晶片台进行研磨，以从所述晶片台上去除所述材料。15.一种从晶片台上去除材料的方法，包括：使用根据权利要求5所述的方法形成的工具对所述晶片台进行研磨，以从所述晶片台上去除所述材料。技术总结公开了一种用于从晶片台的表面去除材料的工具和一种形成用于从晶片台的表面去除材料的工具的方法。该工具包括卡盘和被设置在卡盘的至少一个表面上的研磨层。研磨层的表面包括共价键合到研磨层表面的原子，使得研磨层抵抗由被去除的材料引起的堵塞。该方法包括在卡盘的表面上设置研磨层。对研磨层的表面进行处理以在研磨层的表面上形成共价键合的原子，使得研磨层抵抗由被去除的材料引起的堵塞。技术研发人员：M·利普森,E·M·斯托恩,刘贺炜,J·A·希尔伯特,赵飞受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司技术研发日：技术公布日：2025/11/14