专利名称：电磁声电变换器的制作方法
背景技术：
发明领域本发明涉及电磁声电变换器，特别涉及用于实现电磁声电变换器的频率特性的改进的结构。
背景技术：
一般情况下，电磁声电变换器包括由磁材料构成的膜片、用于产生静磁场以使静磁场作用于膜片的磁体、用于产生对应电信号的振荡磁场以使振荡磁场作用于膜片的电磁线圈、以及用于在其中储存膜片、磁体和电磁线的壳体。电磁声电变换器形成为使得电信号被电磁变换器功能转换成声信号。
在电磁声电变换器中，在壳体中形成声学辐射孔，其中膜片的前表面上的前部空间通过该孔与壳体前部的前外部空间连通，以便由膜片振动产生的声音通过声学辐射孔辐射到壳体前部的前外部空间。在这种情况下，如果膜片的后表面上的后部空间封闭，则声压具有朝向减小的趋势，因为空气阻尼作用妨碍了膜片充分振动到其振动极限。特别是当电磁声电变换器的尺寸减小时，这种趋势变得很强。
因此，例如，如在JPA9-149494中所述的，以前已经提出了一种想法，在壳体中另外形成第二声音辐射孔，膜片的后表面上的后部空间通过该孔与壳体外部的外部空间连通，以便减少后部空间的空气压力，由此防止声压的减小。
在这种情况下，当形成第二声音辐射孔以便与壳体前部的前外部空间连通时，例如在JPY1-16155中所述的，可以通过膜片的后表面上的后部空间的谐振效应实现声压的提高。
在JPY1-16155中，没有介绍用于实现膜片的后表面上的后部空间的谐振效应的具体结构。在这种情况下，只通过形成与壳体前部的前外部空间连通的第二声学辐射孔不能实现充分的谐振效应，因此不能实现电磁声电变换器的频率特性的改进。
发明概述鉴于上述情况研制了本发明，本发明的目的是提供有效地采用膜片后表面上的后部空间的谐振效应用于实现频率特性的改进的一种电磁声电变换器。
为实现该目的，本发明提供一种电磁声电变换器，包括由磁材料构成的膜片；用于产生静磁场以使静磁场作用于所述膜片的磁体；用于产生对应电信号的振荡磁场以使振荡磁场作用于该膜片的电磁线圈；和用于在其中储存膜片、磁体和电磁线圈的壳体；其中壳体具有至少一个第一声音辐射孔和一个第二声音辐射孔，在壳体中的膜片的前表面上的前部空间通过第一声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，在壳体中的膜片的后表面上的后部空间通过第二声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通；并且后部空间的谐振频率Fv2设置为在如下范围内的值F0＜Fv2≤Fv1其中F0是膜片的谐振频率，Fv1是前部空间的谐振频率。
如果第一声音辐射孔形成为使得壳体中的膜片前表面上的前部空间可以通过第一声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，则不特别限制“第一声音辐射孔”的具体结构、如形成第一声音辐射孔的位置、第一声音辐射孔的开口形状、第一声音辐射孔的开口尺寸以及要形成的第一声音辐射孔的数量。
如果第二声音辐射孔形成为使得壳体中的膜片后表面上的后部空间可以通过第二声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，则不特别限制“第二声音辐射孔”的具体结构、如形成第二声音辐射孔的位置、第二声音辐射孔的开口形状、第二声音辐射孔的开口尺寸以及要形成的第二声音辐射孔的数量，并且后部空间上的谐振频率Fv2可设置为在上述范围内的值。
如在上述结构中所述的，根据本发明的电磁声电变换器形成为使得在壳体中形成至少一个第一声音辐射孔和至少一个第二声音辐射孔，其中膜片前表面上的前部空间通过第一声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，膜片的后表面上的后部空间通过第二声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，在壳体中储存膜片、磁体和电磁线圈。膜片后表面上的后部空间的谐振频率Fv2设置为在如下范围内的值F0＜Fv2≤Fv1，其中F0是膜片的谐振频率，Fv1是前部空间的谐振频率。相应地，可获得下列操作和效果。
即，一般情况下，在电磁声电变换器中，稍高于膜片的谐振频率F0的频率设置为标准频率Fs，该标准频率是电磁声电变换器的标准。通过电磁声电变换器在标准频率Fs的激活获得的声压由标准频率Fs的基波分量(一次谐波)上的2×Fs二次谐波、3×Fs三次谐波和更高谐波的叠加产生。
通常，在电磁声电变换器中，膜片前表面上的前部空间的谐振频率Fv1设置为比膜片的谐振频率F0高一定程度的值。谐振频率Fv1可设置在合适的值，以便可以实现在标准频率的声压的改进或频率特性的带扩展。
因此，当膜片后表面上的后部空间的谐振频率Fv2设置为高于膜片的谐振频率F0但不高于根据本发明的膜片前表面的前部空间的谐振频率Fv1的值，可以校正在谐振频率F0和谐振开频率Fv1之间的频带的声压的下降，以便实现频率特性的平坦化。此外，当谐振频率Fv2设置为上述值时，也可以通过谐振频率Fv2的谐波的叠加功能实现低于谐振频率F0的频带中的频率特性的平坦化。
如上所述，根据本发明，膜片后表面上的后部空间的谐振效应可有效地用于实现电磁声电变换器的频率特性的改进。
在这种情况下，当谐振频率Fv2设置为在Fv2≥1.2×F0范围内的值时，可以有效地校正在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的下降，以便实现频率特性的充分平坦化。
在这种结构中，当谐振频率Fv2设置为接近于等于谐振频率F0的整数倍的频率时，通过谐振频率Fv2的谐波的叠加功能可提高在谐振频率F0的声压，由此提高在标准频率Fs的声压。
在这种结构中，当谐振频率Fv1设置为接近于谐振频率F0三倍的频率的值时，同时谐振频率Fv2设置为接近于谐振频率F0的两倍的频率的值时，通过具有谐振频率Fv1的三次谐波和具有谐振频率Fv2的二次谐波的叠加功能可以大大提高在谐振频率F0的声压，由此大大提高在标准频率Fs的声压。此外，当谐振频率Fv1和Fv2设置为上述值时，可以大大校正在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的下降，以便有效地实现频率特性的平坦化。此外，在这种情况下，通过谐振频率Fv2的更高谐波的叠加功能可以有效地实现低于谐振频率F0的频带中的频率特性的平坦化。
附图简述下面将参照附图更详细地介绍本发明
图1是根据本发明实施例的电磁声电变换器的前视图，其中电磁声电变换器设置成面朝上。
图2是沿着图1的线II-II截取的细节剖面图。
图3是在除去前部壳体的情况下电磁声电变换器的前视图；图4是表示电磁声电变换器的第一对比例的示意图。
图5是表示电磁声电变换器的第二对比例的示意图。
图6是表示电磁声电变换器的声压水平—频率特性的测量结果与第一和第二对比例的声压水平—频率特性的测量结果相对比的曲线。
图7是表示与声压水平—频率特性的波形分量相关的电磁声电变换器的声压水平—频率特性的测量结果的曲线。
图8是表示与声压水平—频率特性的波形分量相关的第一对比例的声压水平—频率特性的测量结果的曲线。
优选实施例的详细说明下面参照附图介绍本发明的实施例。
图1是根据本发明的电磁声电变换器10的正视图，其中电磁声电变换器10设置成面朝上。图2是沿着图1的线II-II截取的剖面图。图3是在除去前部壳体18A的情况下电磁声电变换器10的正视图。
如图1-3所示，根据本实施例的电磁声电变换器10包括由磁材料构成的膜片12、用于产生静磁场以使静磁场作用于膜片12上的磁体14、用于产生对应电信号的振荡磁场以使振荡磁场作用于膜片12上的电磁线圈16、以及其中储存膜片12、磁体14和电磁线圈16的壳体18。电磁声电变换器10形成为使得通过电磁变换器功能将电信号变换成声学信号。
壳体18包括前部壳体18A和后部壳体18B。壳体18实质上成形为每边为几mm的正方形，但是在前视图中具有一个倒角部。
磁极片22安装在后部壳体18B的内部后表面上。磁极片22具有板状基座22A和铁芯22B，板状基座的形状类似于圆形但被部分地切成弧形，铁芯22B形成得与基座22A成一体并从基座22A的中心部分向前突出。磁极片22的铁芯22B被线圈24缠绕，由此形成电磁线圈16。
成形为环形的磁体14设置在磁极片22的基座22A的前表面上的线圈24的外周边侧，以便在磁体14和线圈24之间形成环形空间。与铁芯22B同心设置的用于保持磁体14的保持环26设置在磁体14的外圆周侧上。
凹形阶梯部分26a形成在保持环26的内圆周前端部的整个圆周上。膜片12的外圆周边缘部分在该凹形阶梯部分26a被支撑。膜片12具有磁件12A，作为在其前中心部分中的附加部件。膜片12设置成使得膜片12被在由磁体14提供的磁通量的基础上形成的静磁场的作用向后吸引和稍微弯曲。
在前部壳体18A中形成销钉18C，以便使其面对膜片12的磁件12A，该销钉18C用于防止由于在电磁声电变换器10下降时撞击负载或其他原因等造成的膜片12脱落。在前部壳体18A中形成环形壁18d，用于与铁芯22B同心地定位和固定保持环26。
在前部壳体18A的前壁中形成第一和第二声音辐射孔18a和18b。在本例中，在靠近销钉18C的位置形成一个第一声音辐射孔18a，而分别在两个角部形成两个第二声音辐射孔18b。第一声音辐射孔18a设置成使得壳体28中的膜片12前表面上的前部空间2通过第一声音辐射孔18a与壳体18前部的前外部空间6连通。第二声音辐射孔18b设置成使得在壳体18中的膜片12后表面上的后部空间通过第二声音辐射孔18b与第一前部空间6连通。位于环形壁18d的外圆周侧上的角部中的两个空间形成前部壳体18A中的连通空间4a，以便第二声音辐射孔18b通过连通空间4a与后部空间4连通。顺便提及，通过连通空间4b与后部空间4连通的连通空间4a形成在磁极片22的基座22A的切割部的一侧上，以便具有等于基座22A的厚度的厚度。
在后部壳体18B的两个角部中设置引线端子28，以便对应前述两个角部。引线端子28形成得与后部壳体18B成一体，并处于如下状态通过插入模制将引线端子28部分地掩埋在后部壳体18B中。每个引线端子28的一个端部28a形成得从后部壳体18B的后壁外表面延伸到后部壳体18B的侧壁外表面。每个引线端子28的另一端部28b形成得从后部壳体18B的后壁内表面向后部壳体18B的每个角部中的连通空间4a突出。从线圈24引出的一对线圈端子24a分别以如下状态焊接到引线端子28的另一端部28b上其中所述对线圈端子24a分别固定到另一端部28b上。顺便提及，在后部壳体18B的另一角部中设置虚拟端子30。
在根据本例的电磁声电变换器10中，当通过一对引线端子28将电流施加于线圈24时，铁芯22B用作电磁体，用于在其端部产生磁场。在这种情况下，如果由线圈24在铁芯22B中产生的磁极与由磁体14在膜片12中产生的磁极相反，则膜片12被吸引向铁芯。另一方面，如果由线圈24在铁芯22B中产生的磁极与由磁体14在膜片12中产生的磁极相同，则膜片12和铁芯22B互相排斥。相应地，当以预定频率间歇的电信号输入到线圈24中时，在铁芯22B的端部产生间歇磁场，以便振动膜片12，由此产生具有对应振动幅度的声压的声音。
电磁声电变换器10形成的使得由膜片振动产生的声音通过第一声音辐射孔18a从前部空间2辐射到壳体18的前部中的前外部空间6中和通过第二声音辐射孔18b从后部空间4辐射到壳体18前部的前外部空间6中。在这种方式中，通过前部空间2的谐振效应和后部空间4的谐振效应实现了声压的提高。
在这种情况下，前部空间2的谐振频率Fv1设置为是膜片12的谐振频率的三倍的值，后部空间4的谐振频率Fv2设置为是膜片12的谐振频率的两倍的值。具体而言，膜片12的谐振频、前部空间2的谐振频率Fv1和后部空间4的谐振频率Fv2分别设置为4000Hz、12000Hz、和8000Hz。
电磁声电变换器10的标准频率Fs设置为稍高于谐振频率F0的值(例如约为4200Hz)。这是基于下列原因。如果标准频率Fs被选择处于低于谐振频率F0的频带中，当标准频率Fs稍低于谐振频率F0时，急剧减小在谐振频率F0周围的声压水平。相反，如果标准频率Fs被选择处于高于谐振频率F0的频带中，则谐振频率F0周围的声压水平平缓下降。这样，标准频率Fs设置为稍高于谐振频率F0的值导致谐振频率F0的偏移对声压下降的影响的减小。因此，电磁声电变换器10的声压可以稳定化以便获得良好的产品产量。
顺便提及，例如通过适当调整第一和第二声音辐射孔18a和18b的开口尺寸，可将谐振频率Fv1和Fv2设置在所需的值。
图6是表示根据本例的电磁声电变换器10的声压水平—频率特性的测量结果与第一和第二对比例的声压水平—频率特性的测量结果相对比的曲线。在介绍该曲线之前先介绍第一和第二对比例的结构。
第一对比例假设了具有封闭后部空间的相关技术的电磁声电变换器。如图4所示，根据第一对比例的电磁声电变换器110具有与根据本实施例的电磁型声电变换器10相同的结构，除了后部空间4被封闭而且没有形成任何第二声音辐射孔18b之外。
另一方面，第二对比例假设了具有打开的后部空间的在先技术的电磁声电变换器。如图5所示，在根据第二对比例的电磁声电变换器210中，代替根据本实施例电磁声电变换器10的第二声音辐射孔18b而形成第二声音辐射孔18e。第二声辐射孔18e提供用于减小后部空间4的空气压力，而不是用于使后部空间4与前外部空间6连通。在图5中，安装在板202上的电磁声电变换器210的壳体18通过垫圈206与外部装置(例如移动电话)的外壳204接触，由此防止第二声音辐射孔18e与前外部空间6连通。
在图6中，粗实线曲线表示根据本实施例的电磁声电变换器10的声压水平—频率特性，虚线曲线表示根据第一对比例的电磁声电变换器110的声压水平—频率特性，并且细实线曲线表示根据第二对比例的电磁声电变换器210的声压水平—频率特性。
如上所述，膜片12的谐振频率F0和前部空间2的谐振频率Fv1分别设置为4000Hz和12000Hz。因而，图6中的三个曲线的每个曲线具有在4000Hz和12000Hz附近的声压峰值。
在根据第一对比例的电磁声电变换器110中，后部空间4封闭，以便不能获得后部空间4的谐振效应。为此，显著减小在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压。此外，由于后部空间4的空气阻尼效应防止了膜片12充分振动到振动极限，因此整体上减小了声压。
另一方面，在根据第二对比例的电磁声电变换器210中，通过第二声音辐射孔18e打开后部空间4，以便消除空气阻尼效应的影响。然而，由于后部空间4与壳体18前部的前外部空间6隔开，因此不能获得后部空间4的谐振效果。为此，可以获得整体上稍高于第一对比例的声压，但是显著减小了在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压。
相反，在根据本实施例的电磁声电变换器10中，由于后部空间4通过第二声音辐射孔18b与前外部空间6连通，因此可以获得后部空间4的谐振效果。在这种情况下，后部空间4的谐振频率Fv2设置在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的中间值，根据本实施例的电磁声电变换器10具有在8000Hz附近的声压峰值以及在4000Hz和12000Hz附近的声压峰值。为此，大大校正了谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的减小。
图7是表示与声压水平—频率特性的波形分量相关的如图6所示的根据本实施例的电磁声电变换器10的声压水平—频率特性的测量结果的曲线。图8是表示与声压水平—频率特性的波形分量相关的如图6所示的根据第一对比例的电磁声电变换器110的声压水平—频率特性的测量结果的曲线。
如图7和8所示，通过由虚线表示的基波分量(一次谐波)、由稍微细虚线表示的二次谐波、由细实线表示的三次谐波以及更高谐波的叠加获得每个电磁声电变换器10、110的声压水平—频率特性。通过在谐振频率F0的基波分量上的2×F0二次谐波、3×F0三次谐波和更高谐波的叠加获得每个电磁声电变换器10、110在谐振频率F0振动时产生的声压。
如图7所示，在根据本实施例的电磁声电变换器10中，由于谐振频率Fv1和Fv2分别设置在2×F0和3×F0，可以在具有谐振频率Fv1的三次谐波和具有谐振频率Fv2的二次谐波基础上保证在谐振频率F0的足够高的声压。相应地，当电磁声电变换器10在稍高于谐振频率F0的标准频率Fs激活时，由于具有谐振频率Fv1的三次谐波和具有谐振频率Fv2的二次谐波叠加在基波分量上，因此可以保证足够高的声压。
相反，如图8所示，在根据第一对比例的电磁声电变换器110中，由于不能获得后部空间4的谐振效应，因此只有具有设置在3×F0的谐振频率Fv1的三次谐波叠加在基波上。为此，不能保证在谐振频率F0的足够高的声压。因而，不能保证在标准频率Fs的足够高的声压。
如上所述，根据本实施例的电磁声电变换器10具有在谐振频率Fv2的声压峰值，该谐振频率Fv2设置在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的中间值，以便可以大大校正在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的降低。如图6所示，甚至在低于谐振频率F0的频带中，通过谐振频率Fv2的谐波的叠加可以实现在宽范围内的频率特性的平坦化。相应地，在根据本实施例的电磁声电变换器10中，例如，当有旋律的警报响起来时，有旋律的警报能以声压的高水平和底水平之间的小差别平滑地重现。
相反，在根据第一对比例的电磁声电变换器110中，低于谐振频率F0的的频带受到在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压降低的影响。为此，声压的高水平和低水平之间的差别很大。相应地，不能以声压的高水平和低水平之间的小差别平滑地重现旋律。
在这个方面，根据第二对比例的电磁声电变换器210具有基本上相同的趋势，尽管根据第二对比例的电磁声电变换器210比根据第一对比例的电磁声电变换器110改进了或者变差了。
如上面的详细所述，根据本实施例的电磁声电变换器10如此形成，以便在壳体18中形成第一声音辐射孔18a和第二声音辐射孔18b，第一声音辐射孔18a用于使膜片12前表面上的前部空间2与壳体18前部的前外部空间6连通，第二声音辐射孔18b用于使膜片12的后表面上的后部空间4与壳体18前部的前外部空间6连通，其中膜片12、磁体14、和电磁线圈16安装在壳体18中。膜片12的后表面上的后部空间4的谐振频率Fv2设置为在F0＜Fv2≤Fv1的范围内的值，其中F0是膜片12的谐振频率，Fv1是膜片12的前表面上的前部空间2的谐振频率。因而，可以校正在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的降低，由此实现频率特性的平坦化。此外，当通过这种方式设置谐振频率时，通过谐振频率Fv2的谐波的叠加功能可以实现甚至在低于谐振频率F0的频带中的频率特性的平坦化。
如上所述，根据本实施例，在膜片12后表面上的后部空间4的谐振效果有效地用于实现电磁声电变换器10的频率特性的改进。
特别是在本实施例中，谐振频率Fv1设置为是谐振频率F0的三倍的值，并且谐振频率Fv2设置为是谐振频率F0的两倍的值。因而，通过具有谐振频率Fv1的三次谐波和具有谐振频率Fv2的三次谐波的叠加功能大大提高了在谐振频率F0的声压。因而，大大提高了在标准频率Fs的升压。此外，当通过这种方式设置谐振频率时，可以大大校正谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的降低，由此有效地实现了频率特性的平坦化。此外，通过谐振频率Fv2的更高谐波的叠加功能有效地实现了低于谐振频率F0的频带中的频率特性的平坦化。
特别是当根据本实施例实现电磁声电变换器的频率特性的平坦化时，可以实现具有与电动声电变换器相同的平坦频率特性的声电变换器，同时可以采用声压比电动声电变换器高的电磁声电变换器的特性。
虽然已经就谐振频率Fv1和Fv2分别设置为谐振频率F0的三倍的频率和谐振频率F0的两倍的频率的情况介绍了本实施例，但是本发明还可适用于谐振频率Fv1和Fv2不精确地设置为等于F0的整数倍的频率的情况。例如，如果每个谐振频率Fv1、Fv2、设置为等于F0的整数倍的频率附近的值，具体为等于F0的整数倍的±10％范围内的值，可以获得与本实施例基本相同的操作和效果。
此外，当谐振频率Fv2设置为不是谐振频率F0的两倍的频率附近的值而是设置在谐振频率F0附近的值或谐振频率F0的三倍的频率附近的值时，通过谐振频率Fv2或谐振频率Fv2的谐波的叠加功能可提高在谐振频率F0的声压。因而，可以提高在标准频率Fs的声压。
甚至在谐振频率Fv2不设置为等于谐振频率F0的整数倍的频率附近的值的情况下，如果谐振频率Fv2设置为在Fv2≥1.2×F0范围内的值，也可以有效地改进在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压的下降，以便实现频率特性的充分平坦化。
现在假设谐振频率Fv2设置在满足关系F0≤Fv2＜1.2×F0的值，则谐振频率Fv2可叠加在谐振频率F0或标准频率Fs上。结果是，频率特性是有峰值的，以至只在谐振频率F0附近声压很高。因此，不能实现频率特性的平坦化。如上所述，这是因为当谐振频率Fv2设置在等于谐振频率F0的整数倍(在这种情况下Fv2＝F0)的±10％范围内的值时，通过叠加效果可以使得在谐振频率F0的声压很高。
由于大大减小了基波分量的声压水平，因此通过不低于谐振频率F0的频带中的谐波的叠加产生低于谐振频率F0的频带中的声压。为此，如果谐振频率Fv2设置为满足Fv2＜F0关系的值，由于在谐振频率F0和谐振频率Fv1之间的频带中的声压显著减小时减小了叠加谐波的声压，因此不能实现在所有频带中的频率特性的平坦化。此外，如果谐振频率Fv2设置为在Fv2＜F0范围内的值，则由于当变换器在标准频率Fs振动时在谐振频率Fv2的谐振效应没有叠加在标准频率Fs上，因此最后作为整体减小了声压水平。
在这方面，当谐振频率Fv2设置在相对于谐振频率F0的Fv2≥1.2×F0范围内的值时，可以获得上述操作和效果。
谐振频率Fv1和谐振频率Fv2之间的关系可如下设置。即，当谐振频率Fv1设置在为谐振频率F0的整数倍的±10％范围内的值时，可呈现在谐振频率Fv1的谐振效果。相应地，当谐振频率Fv2相对于谐振频率Fv1设置在Fv2＜0.8×Fv1范围内的值时，可以更有效地实现频率特性的平坦化。
虽然根据本实施例的电磁声电变换器10如此形成，使得第一和第二声音辐射孔18a和18b形成在前部壳体18A的前壁中，如果第一和第二声音辐射孔18a和18b可设置成面对前外部空间6，则第一和第二声音辐射孔18a和18b还可以形成在前部壳体18A的侧壁中。而且，在这种情况下，可以获得与本实施例相同的操作和效果。
权利要求
1.一种电磁声电变换器，包括由磁性材料构成的膜片；用于产生静磁场以使静磁场作用于所述膜片的磁体；用于产生对应电信号的振荡磁场以使振荡磁场作用于该膜片的电磁线圈；和用于在其中储存膜片、磁体和电磁线圈的壳体；其中壳体具有至少一个第一声音辐射孔和至少一个第二声音辐射孔，在壳体中的膜片的前表面上的前部空间通过第一声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，在壳体中的膜片的后表面上的后部空间通过第二声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通；和后部空间的谐振频率Fv2设置为在下列范围内的值F0＜Fv2≤Fv1其中F0是膜片的谐振频率，Fv1是前部空间的谐振频率。
2.根据权利要求1的电磁声电变换器，其中谐振频率Fv2和谐振频率F0具有以下关系Fv2≥1.2×F0。
3.根据权利要求1的电磁声电变换器，其中谐振频率Fv2设置在等于谐振频率F0的整数倍的频率附近的值。
4.根据权利要求1的电磁声电变换器，其中谐振频率Fv1设置在为谐振频率F0的三倍的频率附近的值；和谐振频率Fv2设置在为谐振频率F0的两倍的频率附近的值。
全文摘要
一种电磁声电变换器，包括膜片；磁体；电磁线圈；和用于在其中储存膜片、磁体和电磁线圈的壳体。壳体具有至少一个第一声音辐射孔和一个第二声音辐射孔，在壳体中的膜片的前表面上的前部空间通过第一声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通，在壳体中的膜片的后表面上的后部空间通过第二声音辐射孔与壳体前部的前外部空间连通。后部空间的谐振频率Fv2设置为在下列范围内的值F0＜Fv2≤Fv1，其中F0是膜片的谐振频率，Fv1是前部空间的谐振频率。
文档编号G10K9/00GK1499483SQ20031010239
公开日2004年5月26日 申请日期2003年10月28日 优先权日2002年10月28日
发明者增田充宏 申请人:星精密株式会社