用于彩色阴极射线管内部的屏蔽外磁的最佳内屏蔽组件的制作方法

专利名称：用于彩色阴极射线管内部的屏蔽外磁的最佳内屏蔽组件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种彩色阴极射线管的内部屏蔽组件，特别是这样一种内屏蔽组件，它通过改善内屏蔽组件结构及优化该改善的内屏蔽组件的组成材料的磁性能，使外部磁场以及当彩色阴极射线管转向时的磁场变化降到最小，以避免屏幕色彩纯度的恶化。
背景技术：
图1显示了普通彩色阴极射线管结构的局部剖面图。
参考图1，彩色阴极射线管是图像显示设备(如电视的接收器或计算机的显示器)中用于显示图像的主要部件，通常都是由置于前端的面板(1)和置于尾部的漏斗(2)组成的。
另外，由面板(1)和漏斗(2)组成的平面阴极射线管内部还包括起发光作用的一个荧光屏(3)、装在漏斗(2)瓶颈内侧的会发射电子束(11)使荧光屏(3)发光的一个电子枪(8)、用于对电子枪(8)发出的电子束(11)进行颜色选择的一个荫罩板(4)、包含用于为荫罩板(4)施加张力的一个主框架(5a)和支撑主框架的一个副框架(5b)的一个框架组件(5)、用来连接框架组件(5)和面板(1)的装在主框架(5a)一侧的一个弹簧(6)、被焊接和固定在副框架(5 b)上的用于屏蔽外部地磁场的一个内屏蔽(7)、以及装在面板(1)一侧周围的用于抵御外部冲击力的一个加强带(10)。
此外，漏斗(2)瓶颈处的外侧有一个偏转线圈8，以使电子枪(图中未标示)发射出来的电子束(11)形成上下、左右偏转，以及一个2、4、6极的磁柱(9)用于纠正电子的运行轨道，确保发射出来的电子束(11)准确无误地撞击在荧光物质上，从而避免色彩纯度的恶化。
另一方面，如图2和图3所示，当从阴极射线管中的电子枪(图中未标示)发射出来的电子束受到外部磁场的干扰时，电子束将会改变运行方向，致使电子束不能准确地撞击在期望的荧光屏(3)的荧光物质(3a)上，而是撞击在黑色矩阵(3b)或其它荧光物质上，此现象被称为“错位”。因此，内屏蔽(7)用来屏蔽外部磁场的干扰。
图4a和4b分别是一种常规彩色阴极射线管的内屏蔽组件结构实例的分解和组装示意图。
如图4a和4b中所示，内屏蔽(7)由一个金字塔型的主体(7a)和一个与主体(7a)的前端相接的电子束防护罩(7b)组成。并且内屏蔽(7)是由具有高磁导性的材料制成，能够最大限度地减少外部磁场的干扰。
图5a和5b分别是另外一种常规彩色阴极射线管的内屏蔽组件结构实例的分解和组装示意图。
如图5a和5b所示，内屏蔽(17)是由主体(17a)和电子束防护罩(17b)组合而成。
然而，在常规的内屏蔽如(7)和(17)的磁屏蔽结构中，尽管荫罩板(4)是从上到下地固定在框架组件(5)的主框架(5a)上，使得荫罩板具有一部分磁屏蔽功能，可是它并没有固定在副框架(5b)上。因此，在荫罩板(4)和副框架(5b)之间存在着一大块空间，而问题是此空间并不具备磁屏蔽功能。
另外，由于屏蔽外磁的效果同时取决于所用材料的磁性和内屏蔽组件的结构，因此，有必要调整内屏蔽组件的组成材料的磁性，以最大化磁屏蔽功能。

发明内容
本发明的目标是鉴于上述传统技术中产生的各种问题，通过改善内屏蔽组件的结构和优化该改善的内屏蔽组件的组成材料的磁性，提供一种能最大化外磁屏蔽效果的内屏蔽组件。
为了实现上述目标，按照本发明，在一个含主框架和副框架的框架组件的后边安装一个用于屏蔽外部磁场的内屏蔽组件，它包括一个用于屏蔽漏斗内部的主体；一个和主体的前端结合的矩形电子防护罩；以及一个由边至防护罩的正面延伸而成的前部，将荫罩板和框架组件环绕起来。其中前部材料具有至少为3000的最大导磁率和最大为1.25Oe的矫磁力。
每种材料的磁性最好是调整为符合关系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主体材料的最大导磁率，μ2指前部材料的最大导磁率。此外，每种材料的磁性也调整为符合关系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主体材料的矫磁力，H2指前部材料的矫磁力。以此可以获得最佳磁屏蔽效果。


我们可以从下面结合附图进行地详细描述中更清楚地了解到本发明的上述及其它目的、特征及其它优点。其中图1所示为常规彩色阴极射线管结构的局部剖面图；
图2是常规彩色阴极射线管内受地磁场干扰的电子束的运行状态图；图3显示电子束在图2A处着陆点的变化；图4a和图4b分别显示一种常规彩色阴极射线管的内屏蔽组件的实例的结构分解图和组装图；图5a和图5b分别显示另外一种常规彩色阴极射线管的内屏蔽组件的实例的结构分解图和组装图；图6a和图6b分别显示本发明的彩色阴极射线管的内屏蔽组件的结构分解图和组装图；图7所示为一个用于解释本发明中所用材料的导磁率与矫磁力的磁滞环图；图8显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件前部材料的导磁率之间的关系图；图9显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件前部材料的矫磁力之间的关系图；图10显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件的前部与主体材料的导磁率之比之间的关系图；图11显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件的主体与前部材料的矫磁力之比之间的关系图。
具体实施例方式
在下文中，将结合附图对按照本发明的内屏蔽组件的优选实施方案进行详细地描述，贯穿于不同的附图中所采用的相同的参考编号用于指代相同或相似的组件。
图6a和6b分别显示按照本发明的彩色阴极射线管的外磁屏蔽结构的内屏蔽组件分解图和组装图。
如图6a和6b所示，内屏蔽组件(70)覆盖于漏斗的内面(图1中2)，由主框架(5a)和副框架(5b)组成的框架组件(5)，以及在框架组件(5)后部的荫罩板(4)。
另外，内屏蔽组件(70)通常包含用于屏蔽漏斗内部的一个呈大致金字塔型的主体(71)、一个与主体(71)前端结合的矩形电子束防护罩(72)、以及一个由边缘处延伸至电子束防护罩(72)前端所形成的围绕着荫罩板(4)和框架组件(5)的前部(73)。
此外，内屏蔽组件(70)的电子束防护罩(72)和前部(73)被集成为一体，当位于主体(71)边缘(71a)上的装配孔(71b)与电子束防护罩(72)上的装配孔(72a)对齐时，主体(71)通过一个固定针(75)被固定在电子束防护罩(72)上。
另外一方面，内屏蔽组件(70)的材料磁性和厚度以及其结构都会影响外磁的屏蔽效果。本项发明通过优化内屏蔽组件(70)的组成材料的磁性来更好的改善磁屏蔽功能。
因此，将按照本发明的内屏蔽组件的前部(73)和主体(71)的材料导磁率和矫磁力限制在既定的范围内尤其必要。
图7所示为一个用于解释本发明中所用材料的导磁率与矫磁力的磁滞环图；为了便于理解，下面参照图7，简单描述一下阴极射线管的内屏蔽组件的导磁率和矫磁力。
当磁体的磁力H被增长到一定程度时，之后便开始衰减。当磁力增长时，磁通量密度(B)增大；当磁力减小时，磁通量密度减小。但两个曲线走势不同。并且，当矫磁力减小时，磁通量密度产生延迟。该现象称为磁滞现象，同时把由走势轨迹形成的曲线称为磁滞环。
另外，图7所示的磁滞环，曲线(oab)被称为“正常感应曲线”，当H＝0时的磁通量密度被称为“残留磁通量密度(Br)”，以及当B＝0时的负磁力的绝对值被称为“矫磁力(Hc)”。
另外，点(b)被称为“最大磁通量密度(Bm)”，对应点(b)的磁力被称为“最大磁力(Hm)”，曲线(cd)被称为“消磁曲线”，以及曲线(cd)上任一点的磁力与磁通量的乘积被称为“能量乘积”。
此外，在正常感应曲线上的任意一点的磁通量密度与磁力的比率被称为“正常导磁率”，正常导磁率的最大值被称为“最大导磁率”。
图8显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件前部材料的导磁率之间的关系图，图9显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件前部材料的矫磁力之间的关系图。
磁屏蔽的含义并非是阻断磁场，而是通过将磁场聚焦在磁化强度很高的材料上，减少外来的磁场。特别指出的是，具有高磁化强度的材料有高导磁率和低矫磁力。
为了防止彩色阴极射线管方向旋转的时候电子束撞击到其他颜色上，以保持屏幕的彩色纯度，电子束在这样的旋转时由于受到外磁场，特别是地磁场的影响，它的移动量最大应该是60μm。
因此，如图8和图9所示，前部(73)的材料最好具有至少为3000的导磁率，至多为1.25Oe的矫磁力，这样才能有效地屏蔽地磁场。
图10显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件的前部与主体材料的导磁率之比之间的关系图，图11显示电子束的移动和按照本发明的内屏蔽组件的主体与前部材料的矫磁力之比之间的关系图。
与前部(73)相似，当被用为主体(71)材料的材料具有一个高的最大的导磁率和一个低的矫磁力时，可以获得优异的屏蔽效果。不过，由于磁力被集中在具有高导磁率的屏蔽材料上，前部(73)材料的磁性不要与主体(71)材料的磁性相差太远。
因此，如图10和图11所示，有必要将前部(73)和主体(71)之间的磁性关系限定在一个既定的范围内。
换言之，每种材料的磁性被调整为符合关系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主体(71)材料的最大导磁率，μ2指前部(73)材料的最大导磁率。此外，每种材料的磁性也被调整为符合关系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主体(71)材料的矫磁力，H2指前部(73)材料的矫磁力。如此便可以获得最佳的磁屏蔽效果。
如上所述，按照本发明，因为内屏蔽组件包住了全部的荫罩板和框架组件，所以改善了磁屏蔽的功能。此外，由于还优化了内屏蔽组件的每一部分材料的磁性，使磁屏的效果得到更大地改善。
阴极射线管的定向旋转幅度因而得到增加，并且彩色纯度也得到保证。
尽管本发明优选的实施方案为说明的目的已被公开，本领域的技术人员作出各种修饰、增添和替换是可能的，但并不脱离所附权利要求书阐明的发明范围和精神。
权利要求
1.一种内屏蔽组件，设置在一个含主框架和副框架的框架组件的尾部，用于屏蔽外部磁场，其特征在于包括一个用于屏蔽漏斗内部的主体，一个结合到主体前端的矩形电子束防护罩，以及一个由边缘处延伸至电子束防护罩前端形成的并环绕着荫罩板和框架组件的前部，其前部的材料具有至少为3000的最大导磁率。
2.如权利要求1所述的内屏蔽组件，其特征在于，前部材料具有最大为1.25Oe的矫磁力。
3.如权利要求1或2所述的内屏蔽组件，其特征在于，每种材料的磁性符合关系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主体材料的最大导磁率，μ2指前部材料的最大导磁率。
4.如权利要求1或2所述的内屏蔽组件，其特征在于，每种材料的磁性符合关系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主体材料的矫磁力，H2指前部材料的矫磁力。
全文摘要
本发明揭示一种内屏蔽组件，通过改善内屏蔽组件的结构和优化已改善结构的内屏蔽组件的组成材料的磁性，它能够最大化外磁屏蔽效果。按照本发明的一种内屏蔽组件，设置在一个含主框架和副框架的框架组件的尾部，用于屏蔽外部磁场，其包括一个用于屏蔽漏斗内部的主体，一个结合到主体前端的矩形电子束防护罩，以及一个由边缘处延伸至电子束防护罩前端形成的并环绕着荫罩板和框架组件的前部(73)，其特征在于，前部材料具有至少为3000的最大导磁率和最大为1.25Oe的矫磁力。此外，每种材料的磁性被调整为符合关系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主体(71)材料的最大导磁率，μ2指前部(73)材料的最大导磁率。另外，每种材料的磁性也被调整为符合关系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主体(71)材料的矫磁力，H2指前部(73)材料的矫磁力。
文档编号H01J29/06GK1399299SQ0212635
公开日2003年2月26日 申请日期2002年7月19日 优先权日2001年7月25日
发明者金载烈 申请人:Lg飞利浦显示器(韩国)株式会社