专利名称：磁控管的制作方法
技术领域：
本发明涉及安装在微波炉的发生微波的磁控管。
这样结构的磁控管中，一般和阳极接合成一体的圆筒状金属容器为接地电位，与此相反，由灯丝、阴极引线等构成的阴极上加上负的电压，如4kV高压电，在上述阴极轴上施加磁场，并为了从灯丝放出电子而通电流，则电子回旋，这一回旋的电子和阳极的高频电场同步振荡放出微波。这一振荡工作时，从灯丝的表面蒸发钍、钨等的金属物，所以这些金属物通过磁极片的通孔，附着在绝缘体套筒的底部，逐渐地降低圆筒状金属容器的接合面和阴极引线之间的绝缘阻力。
于是，使用漏磁变压器的微波炉中，不预热灯丝而导通电源，则在不放出电子的初期阶段，在磁控管上被加上8～10kV无负载的电压，圆筒状金属容器的接合面和阴极引线的绝缘阻力降低，则，通过绝缘体套筒的底面，圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电，引起过电压波，存在破坏高压零件的问题。
本发明的目的在于提供一种有效防止绝缘体套筒的金属容器的接合部与阴极引线之间发生的放电的磁控管。
本发明的磁控管包括一端开口部密封接合在阳极，形成真空容器一部分的圆筒状金属容器；布置在上述阳极两端，中央部位具有一对通孔的磁极片；支撑上述阳极中心轴部配有灯丝的阴极的一对阴极引线；形成穿过该阴极引线的通孔的绝缘体套筒，其特征在于上述圆筒状金属容器的另一端开口部密封接合在形成于上述绝缘体套筒周围的接合面，上述另一端开口部形成向上述阴极引线一侧延伸的圆筒状的檐部(折边部)。
根据上述结构，上述阴极上加负的电压，例如4kV高压时，上述阴极轴上施加磁场，使上述灯丝放出电子的电流通过时，电子回旋，这一回旋电子和阳极的高频电场同步振荡放出微波。
于是，振荡工作时，即使是从上述灯丝的表面蒸发例如上述灯丝原材料成分的钍、钨等的金属物，因上述绝缘体套筒的底面由上述檐部覆盖，在这一底面上不容易附着钍、钨等的金属物，可以抑制上述圆筒状金属容器的接合面和上述阴极引线之间的绝缘阻力的降低。从而，上述阴极不放出电子的初期阶段中，即使是在上述阴极上施加8～10kV的无负载电压，也可以防止上述圆筒状金属容器的接合面和上述阴极引线之间发生放电。
还有，上述檐部的内周边缘部位于比上述磁极片通孔的内侧位置为特征，因此，即使是从上述灯丝表面蒸发的钍、钨等的金属物通过磁极片的通孔进入，因为上述檐部伸出到上述磁极片中央的内侧而覆盖上述绝缘体套筒的底面，至少在上述通孔外侧的底面不会附着金属物，因而可以防止上述圆筒状金属容器的接合面与上述阴极引线之间发生放电。
还有，上述绝缘体套筒是在上述接合面与上述阴极引线之间形成凹部为特征，所以上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间的沿面的距离变长，增加绝缘阻力，可以防止上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电。
另外，磁控管包括一端开口部密封接合在阳极，形成真空容器一部分的圆筒状金属容器；布置在上述阳极两端，中央部位具有一对通孔的磁极片；支撑上述阳极中心轴部配有灯丝的阴极的一对阴极引线；形成通过该阴极引线的通孔的绝缘体套筒，其特征在于上述圆筒状金属容器的另一端开口部密封接合在形成于上述绝缘体套筒周围的接合面，上述接合面和上述阴极引线之间形成凹部，上述圆筒状金属容器的另一端开口部形成插入上述凹部的折弯部。
根据上述结构，即使是从灯丝的表面蒸发钍、钨等的金属物，因为上述折弯部覆盖上述凹部的壁面，在这一壁面上不容易附着钍、钨等的金属物，可以抑制上述圆筒状金属容器的接合面和上述阴极引线之间的绝缘阻力的降低。从而，在上述阴极不放出电子的初期阶段，即使是被加上8～10kV的无负载电压，也可以防止上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电。
还有，上述折弯部接近到上述凹部的底面为特征，因此，上述折曲部覆盖上述凹部的整个壁面，金属物不会附着在壁面，可以可靠防止上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电。
图2是同一主要部分的纵剖面图。
图3是同一主要部分的横剖面图。
图4是同一绝缘体套筒的俯视图。
图5是表示绝缘体套筒的其他实施例的图。
图6是本发明实施例2的主要部分的纵剖面图。
图中，24a一端开口部，5阳极，24圆筒状金属容器，19a磁极片的通孔，19磁极片，14灯丝，13阴极，17阴极引线，21绝缘体套筒，24b另一端开口部，25接合面，24c檐部(折边部)，26凹部，27c折弯部。
根据附图详细说明本发明的实施例1。
图1是表示本发明实施例1的磁控管主要部分的纵剖面图，图2是同一主要部分的纵剖面图，图3是同一主要部分的横剖面图，图4是同绝缘体套筒的上表面图，图5是表示绝缘体套筒的其他实施例的图。
1是由框2和散热片3被覆盖的真空二极管的磁控管的主体部。
4是内部安装为了抑制杂音的电容5和扼流圈6的壳体，该壳体4的开口部上贴紧安装盖7以便杂音不向外部漏掉。
8是磁控管的阳极，该阳极8由无氧铜形成，利用形成上述主体部1的真空壁一部分的阳极圆筒9、辐射状设在该阳极圆筒9内部的偶数的叶片10、把该叶片10隔一片用小直径的(内侧)同极连接圈11和大直径(外侧)同极连接圈12连接，以稳定的π振荡膜振荡。
13是钍为1％左右、其他为钨成分的灯丝14的两端利用凹帽头15和边帽16夹持的阴极，该阴极13被一对阴极引线17支撑。
18是设在上述阳极8上、下的圆环状永久磁铁。
19是中央部设有通孔19a的磁极片，该磁极片19设在上述永久磁铁18的下方，使上述永久磁铁18的磁场集中在上述叶片10的前端和上述阴极13之间的作用空间。
20是由金属合金制成的外部接头，该外部接头20插在上述阴极引线17钎焊在后边要叙述的绝缘体套筒21，上述外部接头20的供电而从上述灯丝14放射热电子。此时，上述灯丝14的温度大约在1800℃的高温，从上述灯丝14的表面蒸发钍、钨等的金属物。
21是由铝陶瓷制成的耐高温的绝缘体套筒，该绝缘体套筒上形成的通孔21a上插入上述阴极引线17。
21b是上述绝缘体套筒21的边缘部形成的倾斜状缺口部，该倾斜状缺口部21b被探测传感器22探测，使上述外部接头20定位。由这样的结构，使外部接头20非接触性地进行定位，比起接触外部接头进行定位，有故障时，上述外部接头20上施加异常的力，不会使外部接头20变形，因此，可靠进行对外部接头20的供电。还有，为了使上述探测传感器22探测出，除了构成上述倾斜状缺口部21b以外，如图5所示，也不妨在上述绝缘体套筒21的边缘部形成槽23。
24是把其一端开口部24a接合在阳极8，把另一端开口部24b钎焊在形成于上述绝缘体套筒21周围的接合面25，是密封接合的圆筒状金属容器。于是，在上述另一端开口部24b上形成向上述阴极引线17延伸的圆周状檐部24c，使该圆周状檐部24c的内周边缘部比上述磁极片19的通孔19a向内侧伸出。由于这样的结构，即使是从灯丝14的表面蒸发钍、钨等的金属物而从通孔19a进入，因上述檐部24c覆盖后述的凹部26的底面26a，在底面26a不容易附着钍、钨等的金属物，抑制绝缘阻力的降低。
26是上述圆筒状金属容器24的接合面25和阴极引线17之间形成的凹部，由于该凹部26，上述圆筒状金属容器24的接合面25与上述阴极引线17的沿面距离变长，可以抑制上述圆筒状金属容器24的接合面25与上述阴极引线17之间发生的放电。
通过上述的结构，上述阴极13上加负的电压，例如4kV的高压电，还从上述外部接头20供电，使灯丝14通过10A的电流，则，由永久磁铁18的磁场，从灯丝14放出的电子回旋，这一回旋电子和阳极8的高频电场同步振荡放出微波。
于是，在工作时，即使是从灯丝14蒸发钍、钨等的金属物，因为上述檐部24c覆盖上述绝缘体套筒21的底面26a，在底面26a不容易附着钍、钨等的金属物，可以抑制上述圆筒状金属容器24与上述阴极引线17之间的绝缘阻力的降低。从而，在上述阴极13不放出电子的初期阶段中，即使是在阴极13被加上8～10kV的无负载电压，也可以防止通过上述底面26a发生圆筒状金属容器24接合面25与阴极引线17之间的放电。
还有，即使是从上述灯丝14的表面蒸发的钍、钨等的金属物通过上述磁极片19的通孔19a进入，因为上述檐部24c的内周边缘部伸出上述通孔19a，覆盖上述绝缘体套筒21的底面21a，至少在比上述通孔19a外侧的底面21a不会附着金属物，可以防止上述圆筒状金属容器24的接合面25与上述阴极引线17之间发生放电。
进而，因为上述绝缘体套筒21是在上述接合面25与上述阴极引线17之间形成上述凹部26，上述圆筒状金属容器24的接合面25与上述阴极引线17之间的沿面距离变长而增加绝缘阻力，可以可靠防止上述圆筒状金属容器24的接合面25与上述阴极引线17之间发生放电。
实施例2下面，根据
本发明的实施例2。对于上述的实施例1相同的结构附上相同的号码，省略其说明。
图6是本发明的实施例2的主要部分的纵剖面图。
27是把其一端27a接合在阳极8而另一端27b与形成在上述绝缘体套筒21周围的接合面25钎焊接合并密封接合的圆筒状金属容器。
27c是形成在圆筒状金属容器27，从上述另一端开口部27b向上述凹部26的底面26a接近折弯的折弯部，该折弯部27c覆盖整个上述凹部26的底面26a而形成。由这样的结构，即使是从上述灯丝14的表面蒸发钍、钨等的金属物，因为上述折弯部27c覆盖整个上述凹部26的壁面26b，在这一壁面26b上不会附着钍、钨等的金属物，抑制上述圆筒状金属容器27的接合面25与上述阴极引线17之间的绝缘阻力的降低。
由于上述结构，工作时，即使是从上述的灯丝14的表面蒸发钍、钨等的金属物，因为上述折弯部27c覆盖整个上述凹部26的壁面26b，在这一壁面26b上不容易附着钍、钨等的金属物，抑制绝缘阻力的降低。从而，在上述阴极13不放出电子的初期阶段中，即使是在阴极13上被加8～10kV的无负载电压，也可以防止上述圆筒状金属容器27的接合面25与上述阴极引线17之间发生放电。
还有，因为上述折弯部27c接近上述凹部26的底面26a，上述凹部26的壁面26b被上述折弯部27c覆盖，在上述壁面26b不会附着钍、钨等的金属物，可以可靠防止上述圆筒状金属容器27的接合面与上述阴极引线17之间发生放电。
根据本发明之1，本发明的磁控管包括布置在上述阳极两端，并中央部位具有一对通孔的磁极片；支撑上述阳极中心轴部配有灯丝的阴极的一对阴极引线；以及形成通过该阴极引线的通孔的绝缘体套筒，上述圆筒状金属容器的另一端开口部密封接合在形成于上述绝缘体套筒周围的接合面，在上述另一端开口部形成向上述阴极引线一侧延伸的圆筒状的檐部，因此，即使是从上述灯丝的表面蒸发钍、钨等的金属物，上述绝缘体套筒的底面由上述檐部覆盖，在这一底面不容易附着钍、钨等的金属物，可以抑制绝缘阻力的降低。从而，在上述阴极不放出电子的初期阶段中，即使是在上述阴极被加8～10kV的无负载电压，可以获得防止上述圆筒状金属容器的接合面与上述阴极引线之间发生放电的效果。
根据本发明之2，上述檐部的内周边缘部位于上述磁极片的通孔的内侧位置，即使是从上述灯丝的表面蒸发的钍、钨等的金属物通过磁极片通孔进入，因为上述檐部延伸到上述磁极片通孔的内侧而覆盖上述绝缘体套筒的底面，至少不会在上述通孔外侧的底面附着钍、钨等的金属物，可以获得防止上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电的效果。
根据本发明之3，因为上述绝缘体套筒在上述接合面和上述阴极引线之间形成凹部，上述圆筒状金属容器的接合面与上述阴极引线之间沿面距离变长而增加绝缘阻力，获得可以可靠防止上述圆筒状金属容器的接合面与上述阴极引线之间发生放电的效果。
根据本发明之4，本发明的磁控管包括布置在上述阳极两端，并中央部位具有一对通孔的磁极片；支撑上述阳极中心轴部配有灯丝的阴极的一对阴极引线；形成通过该阴极引线的通孔的绝缘体套筒，上述圆筒状金属容器的另一端开口部密封接合在形成于上述绝缘体套筒周围的接合面，上述接合面与上述阴极引线之间形成凹部，把上述圆筒状金属容器的另一端开口部形成介入上述凹部的折弯部，即使是从灯丝表面蒸发钍、钨等的金属物，因为上述凹部的壁面被上述折弯部覆盖，在该壁面不容易附着钍、钨等的金属物，拟制绝缘阻力的降低。从而，在从上述阴极不放出电子的初期阶段，即使是在上述阴极上被加8～10kV的无负载电压，获得可以防止上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电的效果。
根据本发明之5，因为上述折弯部接近到上述凹部的底面，上述凹部的整个壁面由上述折弯部覆盖，金属物不会附着在壁面，因此，可以获得防止上述圆筒状金属容器的接合面与阴极引线之间发生放电的效果。
权利要求
1.一种磁控管，包括一端开口部密封接合在阳极，形成真空容器一部分的圆筒状金属容器；布置在上述阳极两端，并中央部位具有一对通孔的磁极片；支撑上述阳极中心轴部配有灯丝的阴极的一对阴极引线；以及形成穿过该阴极引线的通孔的绝缘体套筒，其特征在于上述圆筒状金属容器的另一端开口部密封接合在形成于上述绝缘体套筒周围的接合面，在上述另一端开口部形成向上述阴极引线一侧延伸的圆筒状的檐部。
2.根据权利要求1所述的磁控管，其特征在于上述檐部的内周边缘部位于比上述磁极片的通孔更内侧的位置。
3.根据权利要求1或2所述的磁控管，其特征在于上述绝缘体套筒在上述接合面与上述阴极引线之间形成凹部。
4.一种磁控管，包括一端开口部密封接合在阳极，形成真空容器一部分的圆筒状金属容器；布置在上述阳极两端，并中央部位具有一对通孔的磁极片；支撑上述阳极中心轴部配有灯丝的阴极的一对阴极引线；形成穿过该阴极引线的通孔的绝缘体套筒，其特征在于上述圆筒状金属容器的另一端开口部密封接合在形成于上述绝缘体套筒周围的接合面，上述接合面与上述阴极引线之间形成凹部，使上述圆筒状金属容器的另一端开口部形成向上述凹部介入的折弯部。
5.根据权利要求4所述的磁控管，其特征在于把上述折弯部接近到上述凹部的底面。
全文摘要
提供一种阳极8的中心轴上布置灯丝14的阴极13，由一对阴极引线17支撑阴极13，上述阳极8的两端布置大约在中央形成通孔19a的一对磁极片19，形成在绝缘体套筒21的接合面上密封接合圆筒状金属容器24的另一端开口部24b，在上述另一端开口部24b形成向上述阴极引线17延伸的圆筒状檐部24c，把上述绝缘体套筒21的地面26a用上述檐部24c覆盖的磁控管。可靠防止绝缘体套筒的圆筒状金属容器的接合部与阴极引线之间发生放电。
文档编号H01J25/00GK1404092SQ0214214
公开日2003年3月19日 申请日期2002年8月28日 优先权日2001年8月31日
发明者村尾则行, 长谷川节雄, 中井聪, 冈田则幸, 三木一树 申请人:三洋电机株式会社