大功率发光二极管的制作方法

文档序号:2938441阅读:338来源:国知局
专利名称:大功率发光二极管的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管,尤其涉及一种大功率发光二极管。
背景技术
能源缺乏问题已成为制约当今世界可持续发展的瓶颈,因此节能成了当今 世界的重要课题。在照明领域,人们不断地寻求更加节能、环保、安全、使用
寿命长的照明工具以取代传统的照明工具。采用发光二极管(LED)灯具作为 照明工具取代传统的白炽灯是照明领域质的飞跃。但是由于现阶段发光二极管 (LED)的散热效果差,致使芯片的结温大都处于95。C 15(TC高温范围,并且 在封装技术上还存在不同的技术差异,从而导致发光二极管的光效率低、光通 量低及使用寿命短。
因此,急需一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优良导热能力的大 功率发光二极管。

实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优 良导热能力的大功率发光二极管。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案为提供一种大功率发光二极管, 所述大功率发光二极管包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极 管芯片,所述导热支架的顶端具有凹腔,所述发光二极管芯片安装于所述凹腔 底部,所述硅胶树脂光学透4fe成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封, 所述导热支架容置有正、负极引线,所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点, 所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接,其中,所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层,所述锡膏层将所述发光二极 管芯片熔"l妄在凹腔底部上。
较佳地,所述大功率发光二极管还包括由荧光粉形成的荧光粉层,所述荧 光粉层附着于所述导热支架的凹腔内,所述荧光粉呈不规则的多边形,所述荧
光粉的直径为13^im 18|im。直径为13|um~18^im的荧光粉发光效果好,折光率 高,有利于发光二极管提高发光效率。
较佳地,所述锡膏层的厚度为0.1mm 0.12mm。厚度为0.1mm 0.12mm的 锡膏层具有较高的导热系数,能使发光二极管芯片工作时所产生的热量通过锡 膏层及时的传递到与外界接触的导热支架上,从而使热量较快的传导到外界, 使得发光二极管芯片的结温始终处于较低温度范围内,提高了发光二极管的发 光效率及光通量,并且还延长了发光二极管的使用寿命。
较佳地,所述硅胶树脂光学透镜为折光率大于1.5的硅胶树脂材质。折光率 大于1.5的硅胶树脂制成的硅胶树脂光学透镜具有高导热性和高折光率,使得硅 胶树脂光学透镜透不仅光通量大,而且导热能力强,在增强了本实用新型大功 率发光二极管的光通量的同时还很好地起到散热的效果,可以及时地将发光二 极管芯片工作所产生的热量及时的向外界传导,从而将发光二极管芯片的结温 控制在较低的温度范围内,延长了发光二极管的使用寿命。
较佳地,所述导热支架包括金属底座及塑胶主体,所述金属底座镶嵌于所 述塑胶主体内,所述凹腔设于所述金属底座顶端,所述正、负引线容置于所述 塑胶主体容置有正、负极引线。所述金属底座具有良好的导热能力,能够及时 的将内部的热量导出,从而提高了本实用新型大功率发光二极管的光效及使用 寿命。
本实用新型与现有技术相比,由于本实用新型大功率发光二极管在发光二 极管芯片与导热支架之间增加了具有高导热系数的锡膏层,能使发光二极管芯 片工作时所产生的热量通过锡膏层及时的传递到于外界接触的导热支架上,从
而使热量较快的传导到外界,使得发光二极管芯片的结温可由传统的95°C 150。C的高温范围降低到75。C 95。C的低温范围内,提高了发光二极管的发光效 率及光通量,使本发明大功率发光二极管的发光效率可达到100流明每瓦特以上、光通量可达到ioo流明以上,并且还延长了发光二极管的使用寿命。


图1为本实用新型大功率发光二极管的结构示意图。
具体实施方式

如图1所示,本实用新型大功率发光二极管包括导热支架12、硅胶树脂光 学透镜及6发光二极管芯片4,所述发光二极管芯片4至少为一个,所述导热支 架12的顶端具有凹腔10,所述发光二极管芯片4安装于所述凹腔10底部,所 述硅胶树脂光学透镜6成型于所述导热支架12上且对所述凹腔10进行密封, 所述导热支架12容置有正极、负极引线40、 41,所述发光二极管芯片具有正、 负极焊接点(图中未标示)焊接,具体地,所正极引线40包括硬质正极连接件 40a及其柔性正极连接线40b,硬质正极连接件40a—端与外界电性连接,另一 端穿入并容置于所述导热支架12内并与所述柔性正极连接线40b—端焊接,所 述柔性正极连接线40b另一端与所述发光二极管芯片4的正极焊接点焊接,从 而实现发光二极管芯片的正极与外界电性连接;所负极引线41包括硬质负极连 接件41a及其柔性负极连接线41b,硬质负极连接件41a—端与外界电性连接, 另一端穿入并容置所述导热支架12内并与所述柔性负极连接线41b—端焊接, 所述柔性负极连接线41b另一端与所述发光二极管芯片4的负极焊接点焊接, 从而实现发光二极管芯片4的负极与外界电性连接;本实用新型大功率发光二 极管的发光二极管芯片4与凹腔10底部之间涂有锡膏层3,所述锡膏层3将所 述发光二极管芯片4熔接在凹腔41底部上。锡膏层3具有高导热系数,能使发 光二极管芯4片工作时所产生的热量通过锡膏层3及时的传递到与外界接触的 导热支架12上,从而使热量较快的传导到外界,使得发光二极管芯片4的结温 可由传统的95。C 150。C的高温范围P争低到75。C 95。C的低温范围内,提高了发 光二极管的发光效率及光通量,使本发明大功率发光二极管的发光效率可达到 IOO流明每瓦特以上、光通量可达到IOO流明以上,并且还延长了发光二极管的使用寿命。
较佳者,所述大功率发光二极管还包括由荧光粉形成的荧光粉层5,所述 荧光粉层5附着于所述导热支架的凹腔10内,所述荧光粉呈不规则的多边形, 所述荧光粉的直径为13^im 18|im。直径为13)im 18^im的荧光粉发光效果好, 折光率高,更容易出光,有利于发光二极管提高发光效率。
较佳者,所述锡膏层3的厚度为0.1mm 0.12mm。厚度为0.1mm^0.12mm 的锡膏层3具有较高的导热系数,能使发光二极管芯片4工作时所产生的热量 通过锡膏层3及时的传递到与外界接触的导热支架12上,从而使热量较快的传 导到外界,使得发光二极管芯片4的结温始终处于较低温度范围内,提高了发 光二极管的发光效率及光通量,并且还延长了发光二极管的使用寿命。
较佳者,所述硅胶树脂光学透镜6为折光率大于1.5的硅胶树脂材质。折 光率大于1.5的硅胶树脂制成的硅胶树脂光学透镜6具有高导热性和高折光率, 使得硅胶树脂光学透镜6透不仅光通量大,而且导热能力强,在增强了本实用 新型大功率发光二极管的光通量的同时还很好地起到散热的效果,可以及时地 将发光二极管芯片3工作所产生的热量及时的向外界M处,从而将发光二极 管芯片3的结温控制在较低的温度范围内,延长了发光二极管的使用寿命。
较佳者,所述导热支架包括金属底座1及塑胶主体2,所述金属底座1镶 嵌于所述塑胶主体2内,所述凹腔10设于所述金属底座1顶端,所述塑胶主体 2的顶面上具有以所述发光二极管芯片4为中心的圆弧槽20,所述硅胶树脂光 学透镜6开口边缘镶嵌于所述圓弧槽20内从而罩于所述发光二极管芯片4之上, 所述硬质正极连接件40a及硬质负极连接件41a—端穿过所述塑胶主体2并容置 与所述圆弧槽内20,另一端与外界电性连接,所述金属底1座具有良好的导热 能力,从而提高了本实用新型大功率发光二极管的光效及使用寿命;所述塑胶 主体2能保证正极连接件40a及硬质负极连接件41a与外界绝缘,防止发生漏电 事故。
本实用新型大功率发光二极管所涉及的发光二极管芯片4的发光原理、个 数及所需的电源配置均为本领域普通技术人员所熟知,在此不再做详细的说明。 以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化,仍属于 本实用新型所涵盖的范围。
权利要求1、一种大功率发光二极管,包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管芯片,所述导热支架的顶端具有凹腔,所述发光二极管芯片安装于所述凹腔底部,所述硅胶树脂光学透镜成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封,所述导热支架容置有正、负极引线,所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点,所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接,其特征在于所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层,所述锡膏层将所述发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。
2、 如权利要求1所述的大功率发光二极管,其特征在于还包括由荧光粉形成 的荧光粉层,所述荧光粉层附着于所述导热支架的凹腔内,所述荧光粉呈不规 则的多边形,所述荧光粉的直径为13nm 18pm。
3、 如权利要求1所述的大功率发光二极管,其特征在于所述锡膏层厚度为 0.1mm 0.12mm。
4、 如权利要求1所述的大功率发光二极管,其特征在于所述硅胶树脂光学透 镜为折光率大于1.5的硅胶树脂材质。
5、 如权利要求1所述的大功率发光二极管,其特征在于所述导热支架包括金 属底座及塑胶主体,所述金属底座镶嵌于所述塑胶主体内,所述凹腔设于所述 金属底座的顶端,所述正、负引线容置于所述塑胶主体内。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率发光二极管,包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个二极管发光芯片,导热支架的顶端具有凹腔,发光二极管芯片安装于凹腔底部,硅胶树脂光学透镜成型于导热支架上且对凹腔进行密封,导热支架容置有正、负极引线,发光二极管芯片具有正、负极焊接点,正、负极引线对应的与发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接,其中,发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层,锡膏层将发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。本实用新型在发光二极管芯片与导热支架之间增加锡膏层,使发光二极管芯片的热量及时传导到外界,结温低到75℃~95℃的低温,可使发光效率可达到100流明每瓦特以上、光通量可达到100流明以上,延长了发光二极管的寿命。
文档编号F21S2/00GK201318574SQ200820204450
公开日2009年9月30日 申请日期2008年12月2日 优先权日2008年12月2日
发明者徐朝丰 申请人:东莞市邦臣光电有限公司
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