专利名称：同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于平板显示技术领域、纳米科学与技术领域和真空科学与技术领域的相
互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场 致发射显示器的器件制作，特别涉及到同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器及其制作工 艺。
背景技术：
由于CRT器件自身具有的缺陷，诸如体积庞大、过于笨重、存在X射线辐射等，给人 们的日常应用带来了诸多不便。而随着平板显示技术的发展，新兴的平板显示器件已经大 量出现在显示器件市场，同传统的CRT器件展开了激烈的市场产品竞争。场致发射显示器， 是一种新型的平板显示器件，它是利用阴极材料以场致发射模式进行电子发射、电子束轰 击荧光粉层而发出可见光的一种自发光平面器件。鉴于其与CRT器件的发光原理相同，因 此保留了 CRT器件高图像质量的优越之处，从而成为新兴器件中的佼佼者。
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射平板显示器，在实用性上一般艺三极结构 为主。但是对于目前所研发的器件，受到栅极的制作工艺、制作材料以及制作结构等诸多因 素的制约，还无法将栅极的本质功能完全发挥出来。由于栅极的加入，带来了制作工艺的复 杂性，也使得器件的工作性能不尽人意。具体可表现为栅极电压过高、栅极电流过大、器件 制作成本偏高等等。此外，碳纳米管阴极材料的制作工艺以及制作工序也在一定程度上影 响着整体器件的显示性能，还没有一个比较完美的解决方案，还需要进行大量的研究和开 发。对于整体平板显示器件的制作，制作过程稳定可靠、成本低廉、制作工艺简单也是不可 忽视的一个重要方面。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种制作 过程稳定可靠、制作工艺简单、成本低廉的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器及其制 作工艺。 本发明的目的是这样实现的 —种同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面 板和四周玻璃边框所构成的密封真空腔；位于阴极玻璃面板和阳极玻璃面板之间的支撑墙 结构以及消气剂附属元件；设置在阳极玻璃面板上的阳极电极层、阳极引线层、黑色分隔层 以及制备在阳极电极层上面的荧光粉层。其特征在于 在阴极玻璃面板上设置有同八字型斜高栅阴控结构；所述的同八字型斜高栅阴控 结构的衬底材料为阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成屏蔽层；屏 蔽层上面存在阴极传导层；阴极传导层周围存在阴极引线层，阴极引线层和阴极传导层是 相互连通的；阴极传导层上面存在阴极过渡层，阴极过渡层呈现矩形形状，并且和阴极传导 层是相互连通的；阴极过渡层上面存在阴极牺牲层，阴极牺牲层为两个互不连接的方型形
5状金属层；阴极牺牲层的两个方型形状金属层分别位于矩形形状阴极过渡层长边中心线的 两侧，并且不得和矩形形状阴极过渡层的边缘重合，使得暴露的阴极过渡层呈现数字8型 形状；阴极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘增高层；绝缘增高层的上下表面均 为平面，下表面和阴极传导层相接触；绝缘增高层中存在矩形通道孔，暴露出下面的阴极过 渡层和阴极牺牲层；绝缘增高层中的矩形通道孔的内侧壁是垂直于阴极过渡层表面的；绝 缘增高层中的矩形通道孔的内侧壁与上表面交界处存在一个向内凹陷的斜坡面；阴极牺牲 层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成牺牲增高层；牺牲增高层要完全覆盖住阴极牺牲层，其 高度与阴极增高层中矩形通道孔内侧壁与斜坡面交界处的高度相同；牺牲增高层的上表面 存在孤立栅极层，孤立栅极层不连接电极；绝缘增高层矩形通道孔内侧壁与上表面交界处 斜坡面上存在栅极电极层，栅极电极层要布满斜坡面的表面；栅极电极层和孤立栅极层是 互不连通的；绝缘增高层上表面存在栅极引线层，栅极引线层和栅极电极层是相互连通的； 绝缘增高层上和栅极电极层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成栅极覆盖层，栅极覆盖层要覆 盖栅极电极层和栅极引线层；碳纳米管制备在暴露的阴极过渡层上面。 所述的阴极传导层为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；阴极引线层为金属 金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；阴极过渡层为金属铁、钴、镍之一 ；阴极牺牲层为金属 金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；孤立栅极层为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之 一 ；栅极电极层为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；栅极引线层为金属金、银、铜、 铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；栅极电极层的走向和阴极传导层的走向是相互垂直的。
阴极玻璃面板采用钠钙玻璃或硼硅玻璃。 —种所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其 制作步骤如下 1)阴极玻璃面板的制作对整体平板玻璃进行切割，制作出阴极玻璃面板；
2)屏蔽层的制作在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺后形 成屏蔽层； 3)阴极传导层的制作在屏蔽层上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极 传导层； 4)阴极引线层的制作在阴极面板上制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形成阴极 引线层； 5)阴极过渡层的制作在阴极传导层上面制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形成 阴极过渡层； 6)阴极牺牲层的制作在阴极过渡层上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成 阴极牺牲层； 7)绝缘增高层的制作在阴极传导层上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺 后形成绝缘增高层； 8)牺牲增高层的制作在阴极牺牲层的上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工 艺后形成牺牲增高层； 9)孤立栅极层的制作在牺牲增高层上面制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形成 孤立栅极层； 10)栅极电极层的制作在绝缘增高层上面印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成栅极电极层； 11)栅极引线层的制作在绝缘增高层上面印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形 成栅极引线层； 12)栅极覆盖层的制作在绝缘增高层和栅极电极层上面印刷绝缘浆料，经常规 烘烤、烧结工艺后形成栅极覆盖层； 13)同八字型斜高栅阴控结构的表面清洁处理对同八字型斜高栅阴控结构的表 面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘； 14)碳纳米管的制备将碳纳米管制备在阴极过渡层的上面；
15)阳极玻璃面板的制作对整体平板玻璃进行切割，制作出阳极玻璃面板；
16)阳极电极层的制作在阳极玻璃面板上制备出锡铟氧化物膜层，经常规刻蚀 后形成阳极电极层； 17)阳极引线层的制作在阳极玻璃面板上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形 成阳极引线层； 18)黑色分隔层的制作在阳极玻璃面板上印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺 后形成黑色分隔层； 19)荧光粉层的制作在阳极电极层上面制备出荧光粉，经常规烘烤后形成荧光 粉层； 20)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构、四周玻璃边框装配
到一起，并将消气剂附属元件安装到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定； 21)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺，形成成品件。 所述步骤18具体为在阳极面板的非显示区域以及阳极电极层中间的空余位置印
刷绝缘浆料，；经过烘烤，烘烤温度22(TC，保持时间5分钟，之后放置在烧结炉中进行高
温烧结，烧结温度58(TC，保持时间10分钟。 所述步骤19具体为在阳极面板显示区域中阳极电极层上面印刷荧光粉，在烘箱 当中进行烘烤，烘烤温度12(TC，保持时间10分钟。
所述步骤21具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入 烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机 上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下积极效果 本发明中的主要特点在于制作了具有同八字型斜高栅阴控结构的、碳纳米管阴极 的平板场致发射平板显示器件。将高性能的制作材料和低成本的制作工艺有机结合起来， 制作出性能更加优良的平板发光器件。 其一，采用了数字8型斜高栅控结构，简化了制作工艺，降低了制作难度，进一步 縮减了栅阴之间的有效距离，达到降低器件工作电压的目的； 其二，采用了数字8型阴极结构，充分利用了碳纳米管边缘部分电场高度集中的 现象，提升碳纳米管的发射效率； 其三，在本发明中，是在阳极结构和栅极控制结构全部制作完毕的情况下，最后才 进行碳纳米管阴极的制作，提高了显示器件制作的成功率。 此外，在本发明中的器件制作过程中，在充分结合丝网印刷工艺和常规刻蚀工艺的基础上进行的器件制作，具有制作大面积显示器件的可行性；并没有采用特殊的器件制 作材料以及特殊的器件制作工艺，降低了器件制作成本，具有成本低廉、制作工艺简单、制 作过程稳定可靠的优越之处。
图l给出了同八字型斜高
图2给出了同八字型斜高
图3给出了同八字型斜高 构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明，但本发明并不局限于实施例。
如图1 、 2 、 3所示，本发明包括由阳极玻璃面板14、阴极玻璃面板1和四周玻璃边框 18所构成的密封真空腔；位于阴极玻璃面板1和阳极玻璃面板14之间的支撑墙结构20以 及消气剂附属元件19 ;设置在阳极玻璃面板14上的阳极电极层15、阳极引线层21、黑色分 隔层17以及制备在阳极电极层15上面的荧光粉层16。其特征在于 在阴极玻璃面板1上设置有同八字型斜高栅阴控结构；所述的同八字型斜高栅阴 控结构的衬底材料为阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成屏蔽层； 屏蔽层上面存在阴极传导层；阴极传导层周围存在阴极引线层，阴极引线层和阴极传导层 是相互连通的；阴极传导层上面存在阴极过渡层，阴极过渡层呈现矩形形状，并且和阴极传 导层是相互连通的；阴极过渡层上面存在阴极牺牲层，阴极牺牲层为两个互不连接的方型 形状金属层；阴极牺牲层的两个方型形状金属层分别位于矩形形状阴极过渡层长边中心线 的两侧，并且不得和矩形形状阴极过渡层的边缘重合，使得暴露的阴极过渡层呈现数字8 型形状；阴极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘增高层；绝缘增高层的上下表面 均为平面，下表面和阴极传导层相接触；绝缘增高层中存在矩形通道孔，暴露出下面的阴极 过渡层和阴极牺牲层；绝缘增高层中的矩形通道孔的内侧壁是垂直于阴极过渡层表面的； 绝缘增高层中的矩形通道孔的内侧壁与上表面交界处存在一个向内凹陷的斜坡面；阴极牺 牲层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成牺牲增高层；牺牲增高层要完全覆盖住阴极牺牲层， 其高度与阴极增高层中矩形通道孔内侧壁与斜坡面交界处的高度相同；牺牲增高层的上表 面存在孤立栅极层，孤立栅极层不连接电极；绝缘增高层矩形通道孔内侧壁与上表面交界 处斜坡面上存在栅极电极层，栅极电极层要布满斜坡面的表面；栅极电极层和孤立栅极层 是互不连通的；绝缘增高层上表面存在栅极引线层，栅极引线层和栅极电极层是相互连通 的；绝缘增高层上和栅极电极层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成栅极覆盖层，栅极覆盖层 要覆盖栅极电极层和栅极引线层；碳纳米管制备在暴露的阴极过渡层上面。
所述的阴极传导层为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；阴极引线层为金属 金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；阴极过渡层为金属铁、钴、镍之一 ；阴极牺牲层为金属 金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；孤立栅极层为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之 一 ；栅极电极层为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；栅极引线层为金属金、银、铜、 铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；栅极电极层的走向和阴极传导层的走向是相互垂直的。
栅阴控结构的纵向结构示意图； 栅阴控结构的横向结构示意栅阴控结构的、碳纳米管阴极场致发射平板显示器的结
阴极玻璃面板采用钠钙玻璃或硼硅玻璃。 —种所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其 制作步骤如下 1)阴极玻璃面板1的制作对整体平板玻璃进行切割，制作出阴极玻璃面板；
2)屏蔽层2的制作在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺后形 成屏蔽层； 3)阴极传导层3的制作在屏蔽层上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极 传导层； 4)阴极引线层4的制作在阴极面板上制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形成阴 极引线层； 5)阴极过渡层5的制作在阴极传导层上面制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形 成阴极过渡层； 6)阴极牺牲层6的制作在阴极过渡层上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成 阴极牺牲层； 7)绝缘增高层7的制作在阴极传导层上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺 后形成绝缘增高层； 8)牺牲增高层8的制作在阴极牺牲层的上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工 艺后形成牺牲增高层； 9)孤立栅极层9的制作在牺牲增高层上面制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形 成孤立栅极层； 10)栅极电极层10的制作在绝缘增高层上面印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后 形成栅极电极层； 11)栅极引线层11的制作在绝缘增高层上面印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后 形成栅极引线层； 12)栅极覆盖层12的制作在绝缘增高层和栅极电极层上面印刷绝缘浆料，经常 规烘烤、烧结工艺后形成栅极覆盖层； 13)同八字型斜高栅阴控结构的表面清洁处理对同八字型斜高栅阴控结构的表 面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘； 14)碳纳米管13的制备将碳纳米管制备在阴极过渡层的上面；
15)阳极玻璃面板14的制作对整体平板玻璃进行切割，制作出阳极玻璃面板；
16)阳极电极层15的制作在阳极玻璃面板上制备出锡铟氧化物膜层，经常规刻 蚀后形成阳极电极层； 17)阳极引线层21的制作在阳极玻璃面板上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后 形成阳极引线层； 18)黑色分隔层17的制作在阳极玻璃面板上印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工 艺后形成黑色分隔层； 19)荧光粉层16的制作在阳极电极层上面制备出荧光粉，经常规烘烤后形成荧 光粉层； 20)器件装配将阴极玻璃面板1、阳极玻璃面板14、支撑墙结构20、四周玻璃边框
918装配到一起，并将消气剂附属元件19安装到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定； 21)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺，形成成品件。 所述步骤18具体为在阳极面板的非显示区域以及阳极电极层中间的空余位置印
刷绝缘浆料，；经过烘烤，烘烤温度22(TC，保持时间5分钟，之后放置在烧结炉中进行高
温烧结，烧结温度58(TC，保持时间10分钟。 所述步骤19具体为在阳极面板显示区域中阳极电极层上面印刷荧光粉，在烘箱 当中进行烘烤，烘烤温度12(TC，保持时间10分钟。 所述步骤21具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入 烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机 上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
权利要求
一种同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板(14)、阴极玻璃面板(1)和四周玻璃边框(18)所构成的密封真空腔；位于阴极玻璃面板(1)和阳极玻璃面板(14)之间的支撑墙结构(20)以及消气剂附属元件(19)；设置在阳极玻璃面板(14)上的阳极电极层(15)、阳极引线层(21)、黑色分隔层(17)以及制备在阳极电极层(15)上面的荧光粉层(16)。其特征在于在阴极玻璃面板(1)上设置有同八字型斜高栅阴控结构；所述的同八字型斜高栅阴控结构的衬底材料为阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成屏蔽层(2)；屏蔽层(2)上面存在阴极传导层(3)；阴极传导层(3)周围存在阴极引线层(4)，阴极引线层(4)和阴极传导层(3)是相互连通的；阴极传导层(3)上面存在阴极过渡层(5)，阴极过渡层(5)呈现矩形形状，并且和阴极传导层(3)是相互连通的；阴极过渡层(5)上面存在阴极牺牲层(6)，阴极牺牲层(6)为两个互不连接的方型形状金属层；阴极牺牲层(6)的两个方型形状金属层分别位于矩形形状阴极过渡层(5)长边中心线的两侧，并且不得和矩形形状阴极过渡层(5)的边缘重合，使得暴露的阴极过渡层(5)呈现数字8型形状；阴极传导层(3)上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘增高层(7)；绝缘增高层(7)的上下表面均为平面，下表面和阴极传导层(3)相接触；绝缘增高层(7)中存在矩形通道孔，暴露出下面的阴极过渡层(5)和阴极牺牲层(6)；绝缘增高层(7)中的矩形通道孔的内侧壁是垂直于阴极过渡层(5)表面的；绝缘增高层(7)中的矩形通道孔的内侧壁与上表面交界处存在一个向内凹陷的斜坡面；阴极牺牲层(6)上面印刷并烧结的绝缘浆料形成牺牲增高层(8)；牺牲增高层(8)要完全覆盖住阴极牺牲层(6)，其高度与阴极增高层中矩形通道孔内侧壁与斜坡面交界处的高度相同；牺牲增高层(8)的上表面存在孤立栅极层(9)，孤立栅极层(9)不连接电极；绝缘增高层(7)矩形通道孔内侧壁与上表面交界处斜坡面上存在栅极电极层(10)，栅极电极层(10)要布满斜坡面的表面；栅极电极层(10)和孤立栅极层(9)是互不连通的；绝缘增高层(7)上表面存在栅极引线层(11)，栅极引线层(11)和栅极电极层(10)是相互连通的；绝缘增高层(7)上和栅极电极层(10)上面印刷并烧结的绝缘浆料形成栅极覆盖层(12)，栅极覆盖层(12)要覆盖栅极电极层(10)和栅极引线层(11)；碳纳米管(13)制备在暴露的阴极过渡层(5)上面。
2. 根据权利要求1所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器，其特征在于所述 阴极传导层(3)为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一；阴极引线层(4)为金属金、银、 铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；阴极过渡层(5)为金属铁、钴、镍之一 ；阴极牺牲层(6)为金 属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；孤立栅极层(9)为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、 铬之一 ；栅极电极层(10)为金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；栅极引线层(11)为 金属金、银、铜、铝、钼、铟、锡、铅、铬之一 ；栅极电极层(10)的走向和阴极传导层(3)的走向 是相互垂直的。
3. 根据权利要求1所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器，其特征在于阴极 玻璃面板采用钠钙玻璃或硼硅玻璃。
4. 一种如权利要求1所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器的制作工艺，其特 征在于，其制作步骤如下1) 阴极玻璃面板(1)的制作对整体平板玻璃进行切割，制作出阴极玻璃面板；2) 屏蔽层(2)的制作在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺后形成屏蔽层(2);3) 阴极传导层(3)的制作在屏蔽层(2)上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成阴 极传导层(3);4) 阴极引线层(4)的制作在阴极面板上制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形成阴极 引线层(4);5) 阴极过渡层(5)的制作在阴极传导层(3)上面制备出金属层，经常规刻蚀工艺后 形成阴极过渡层(5);6) 阴极牺牲层(6)的制作在阴极过渡层(5)上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极牺牲层(6);7) 绝缘增高层(7)的制作在阴极传导层(3)上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘增高层(7);8) 牺牲增高层(8)的制作在阴极牺牲层(6)的上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺后形成牺牲增高层(8);9) 孤立栅极层(9)的制作在牺牲增高层(8)上面制备出金属层，经常规刻蚀工艺后形成孤立栅极层(9);10) 栅极电极层(10)的制作在绝缘增高层(7)上面印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺 后形成栅极电极层(10);11) 栅极引线层(11)的制作在绝缘增高层(7)上面印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺 后形成栅极引线层(11);12) 栅极覆盖层(12)的制作在绝缘增高层(7)和栅极电极层(10)上面印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺后形成栅极覆盖层(12);13) 同八字型斜高栅阴控结构的表面清洁处理对同八字型斜高栅阴控结构的表面进 行清洁处理，除掉杂质和灰尘；14) 碳纳米管(13)的制备将碳纳米管(13)制备在阴极过渡层(5)的上面；15) 阳极玻璃面板(14)的制作对整体平板玻璃进行切割，制作出阳极玻璃面板；16) 阳极电极层(15)的制作在阳极玻璃面板上制备出锡铟氧化物膜层，经常规刻蚀 后形成阳极电极层；17) 阳极引线层(21)的制作在阳极玻璃面板上印刷银浆，经常规烘烤、烧结工艺后形 成阳极引线层；18) 黑色分隔层(17)的制作在阳极玻璃面板上印刷绝缘浆料，经常规烘烤、烧结工艺 后形成黑色分隔层；19) 荧光粉层(16)的制作在阳极电极层上面制备出荧光粉，经常规烘烤后形成荧光 粉层；20) 器件装配将阴极玻璃面板(1)、阳极玻璃面板(14)、支撑墙结构(20)、四周玻璃边 框(18)装配到一起，并将消气剂附属元件(19)安装到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；21) 成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺，形成成品件。
5.根据权利要求5所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤18具体为在阳极面板的非显示区域以及阳极电极层中间的空余位置印刷 绝缘浆料，；经过烘烤，烘烤温度22(TC，保持时间5分钟，之后放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度58(TC，保持时间10分钟。
6. 根据权利要求5所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤19具体为在阳极面板显示区域中阳极电极层上面印刷荧光粉，在烘箱当中 进行烘烤，烘烤温度12(TC，保持时间10分钟。
7. 根据权利要求5所述的同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤21具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱 当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对 器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
全文摘要
本发明涉及一种同八字型斜高栅阴控结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃边框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上的阳极电极层、阳极引线层、黑色分隔层以及制备在阳极电极层上面的荧光粉层；位于阴极玻璃面板和阳极玻璃面板之间的绝缘壁以及消气剂；设置在阴极玻璃面板上的同八字型斜高栅阴控结构；具有成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。
文档编号H01J9/02GK101777478SQ20091022757
公开日2010年7月14日 申请日期2009年12月22日 优先权日2009年12月22日
发明者李玉魁, 蔡森, 高宝宁 申请人:中原工学院