等离子显示屏及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种等离子显示屏及其制作方法。该等离子显示屏包括上基板、下基板以及由上基板和下基板封接形成的放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有量子点层。量子点内部电子从价带会跃迁到导带，由于导带的能量状态不稳定，会再回到价带，多余能量以光形式发出。由于能级裂化及量子限域效应，发射光的波长分布窄。由于PDP的发光主要依靠荧光粉吸收300nm以下的真空紫外光，然后转换为可见光。因此，调整量子点的尺寸，使其可转换发出300nm以下的真空紫外光，极大地提高了PDP的发光效率。
【专利说明】等离子显示屏及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及等离子显示屏的制造领域，具体而言，涉及一种等离子显示屏及其制作方法。
【背景技术】
[0002]等离子显示屏是一种由气体放电来产生发光的新型显示器件，其最大的特点是轻、薄，色彩丰富，容易作大画面并且无视角的问题，可以称其为一种划时代的显示装置。
[0003]现有技术中的等离子显示屏通常具有如下结构，如图1所示，前基板10’上设置有放电电极，放电电极包括ITO电极11’及其上设置的BUS电极12’，透明介质层13’覆盖在放电电极及前基板10’上，介质保护膜层14’采用电子束蒸镀的方法蒸镀在透明介质层13’上。后基板20’上设置有寻址电极21’，寻址电极21’及后基板20’上设置有介质层22’，介质层22’上设置有障壁23’，障壁23’的侧壁内填充有荧光粉层24’。前基板10’与后基板20’对合封接后由障壁23’间隔形成多个放电单元，其中，放电单元中充有惰性气体。放电开始之后，充入放电单元中的惰性气体受到激发，会发射出真空紫外线，真空紫外线激发荧光粉24’，荧光粉24’发射出可见光25’，可见光25’透过前基板10’，成为进入观看者眼中的光线26’。
[0004]为了提高此传统PDP面板的光效，有报道使用碳纳米管制作在介质保护层上。但碳纳米管的使用遇到的主要问题是:1、在介质保护层上均匀生长困难，技术上存在极大障碍；2、碳纳米管生长的介质保护层上降低了前基板的光线透过率，一定程度上会降低光效。
【发明内容】
`[0005]本发明旨在提供一种等离子显示屏及其制作方法，以解决现有技术中提高等离子显示屏光效低的技术问题。
[0006]为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示屏。该等离子显示屏包括上基板、下基板以及由上基板和下基板封接形成的放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有量子点层。
[0007]进一步地，量子点层覆盖介质保护层面积的5^-20?^
[0008]进一步地，量子点层以均匀分散的量子点颗粒的形式设置介质保护层上。
[0009]进一步地,量子点颗粒的粒径为l-10nm。
[0010]进一步地,量子点颗粒的粒径为l_5nm。
[0011]进一步地，构成量子点层的量子点材料是经放电产生的电子或离子轰击后能够发出波长在300nm以下的真空紫外光的物质。
[0012]进一步地，量子点材料具有核-壳式结构，核结构材料为CdSe、ZnSe或CdS，壳结构材料是ZnS。
[0013]根据本发明的另一个方面，提供一种等离子显示屏的制备方法。该制备方法包括以下步骤:1)基板制作步骤，形成上基板及下基板，并在上基板上设置介质保护层；2)封接步骤，封接上基板和下基板形成放电单元，在基板制作步骤与封接步骤之间进一步包括:在介质保护层上形成量子点层。
[0014]进一步地，采用印刷或喷涂的方法形成量子点层。
[0015]进一步地，量子点层是由核结构材料为CdSe、ZnSe或CdS，壳结构材料是ZnS的量子点材料形成的。
[0016]本发明的等离子显示屏的介质保护层上设置有量子点层，放电空间中存在的大量正尚子、电子、光子会不断撞击此量子点层。在外来能量的撞击下，量子点内部电子从价带会跃迁到导带，由于导带的能量状态不稳定，会再回到价带，多余能量以光形式发出。由于能级裂化及量子限域效应，发射光的波长分布窄。由于rop的发光主要依靠荧光粉吸收300nm以下的真空紫外光，然后转换为可见光。因此，调整量子点的尺寸，使其可转换发出300nm以下的真空紫外光，极大的提高PDP的发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0018]图1示出了现有技术中的等离子显示屏放电单元截面结构示意图；
[0019]图2示出了根据本发明实施例的等离子显示屏放电单元局部截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0021]量子点俗称“人造原子”，是一种三维尺寸均低于IOnm的半导体纳米晶体。由于粒径较小，电子和空穴的活动受限，产生量子限域效应(quantum confinement effect),能带严重裂化，电子能级变为分立的独立能级。由于此独立能级的存在，使量子点具有良好的电致发光和光致发光效果。
[0022]根据本发明一种典型的实施方式，该等离子显示屏包括上基板、下基板以及由上基板和下基板封接形成的放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有量子点层，由于放电空间中存在的大量正离子、电子、光子会不断撞击此量子点层，在外来能量的撞击下，量子点内部电子从价带会跃迁到导带，由于导带的能量状态不稳定，会再回到价带，多余能量以光形式发出。由于能级裂化及量子限域效应，发射光的波长分布窄。由于F1DP的发光主要依靠突光粉吸收300nm以下的真空紫外光,然后转换为可见光。因此，调整量子点的尺寸，使其可转换发出300nm以下的真空紫外光，极大的提高I3DP的发光效率。
[0023]优选地，量子点层覆盖介质保护层面积的5% _20%，在不挡住光线的前提下，有效的起到增加真空紫外发射的作用。优选地，量子点层以均匀分散的量子点颗粒的形式设置介质保护层上，量子点颗粒的粒径为Ι-lOnm，效果较好，优选地，量子点颗粒的粒径为l_5nm0
[0024]优选地，构成量子点层的量子点材料是经放电产生的电子或离子轰击后能够发出波长在300nm以下的真空紫外光的物质，以有效的提高I3DP的发光效率。[0025]根据本发明一种典型的实施方式，量子点材料具有核-壳式结构，核结构材料为CdSe,ZnSe或CdS，壳结构材料是ZnS，具有此结构的量子点材料稳定性能好，采用其制备的等离子显示屏也具有较好的性能。
[0026]根据本发明的另一个方面，根据本发明一种典型的实施方式，该等离子显示屏的制备方法包括以下步骤:1)基板制作步骤，形成上基板及下基板，并在上基板上设置介质保护层；2)封接步骤，封接上基板和下基板形成放电单元，在基板制作步骤与封接步骤之间进一步包括:在介质保护层上形成量子点层。
[0027]优选地，采用印刷或喷涂的方法形成量子点层，此方法简单易行，且形成的量子点层均匀。
[0028]优选地，量子点层是由核结构材料为CdSe、ZnSe或CdS，壳结构材料是ZnS的量子点材料形成的，以保证形成的等离子显示屏性能的稳定性。
[0029]下面将结合实施例进一步说明本发明的有益效果。
[0030]实施例1
[0031]如图2所示的等离子显示屏，该等离子显示屏的前基板10上设置有放电电极，放电电极包括ITO电极11及其上设置的BUS电极12，透明介质层13覆盖在放电电极及前基板10上，介质保护层14采用电子束蒸镀的方法蒸镀在透明介质层13上。介质保护层14上设置有量子点层15。其中，量子点层15以均匀分散的量子点颗粒的形式设置介质保护层14上，覆盖介质保护层14面积的5%，量子点颗粒的粒径为Ι-lOnm，构成量子点层的量子点材料是经放电产生的电子或离子轰击后能够发出波长在300nm以下的真空紫外光的物质。核结构材料为CdSe、ZnS e和CdS，壳结构材料是ZnS，采用印刷的方法形成量子点层。
[0032]实施例2
[0033]如图2所示的等离子显示屏，该等离子显示屏的前基板10上设置有放电电极，放电电极包括ITO电极11及其上设置的BUS电极12，透明介质层13覆盖在放电电极及前基板10上，介质保护层14采用电子束蒸镀的方法蒸镀在透明介质层13上。介质保护层14上设置有量子点层15。其中，量子点层15以均匀分散的量子点颗粒的形式设置介质保护层14上，覆盖介质保护层14面积的20%，量子点颗粒的粒径为l_5nm，构成量子点层的量子点材料是经放电产生的电子或离子轰击后能够发出波长在300nm以下的真空紫外光的物质。核结构材料为CdSe、ZnSe和CdS，壳结构材料是ZnS，采用喷涂的方法形成量子点层。
[0034]对比例
[0035]具有图1所示结构的等离子显示屏。
[0036]对实施例1-2及对比例的等离子显示屏进行光效测试，结果如表1中所示:
[0037]表1
[0038]
【权利要求】
1.一种等离子显示屏，包括上基板、下基板以及由所述上基板和下基板封接形成的放电单元，其中，所述上基板朝向所述放电单元的表面上设置有介质保护层，其特征在于，所述介质保护层上设置有量子点层。
2.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述量子点层覆盖所述介质保护层面积的5%-20%。
3.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述量子点层以均匀分散的量子点颗粒的形式设置所述介质保护层上。
4.根据权利要求3所述的等离子显示屏，其特征在于，所述量子点颗粒的粒径为1-1Onm0
5.根据权利要求4所述的等离子显示屏，其特征在于，所述量子点颗粒的粒径为l_5nm0
6.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，构成所述量子点层的量子点材料是经放电产生的电子或离子轰击后能够发出波长在300nm以下的真空紫外光的物质。
7.根据权利要求6所述的等离子显示屏，其特征在于，所述量子点材料具有核-壳式结构，核结构材料为CdSe、ZnSe或CdS，壳结构材料是ZnS。
8.一种等离子显示屏的制备方法，包括以下步骤: 1)基板制作步骤，形成上基板及下基板，并在所述上基板上设置介质保护层； 2)封接步骤，封接所述上基板和下基板形成放电单元， 其特征在于，在所述基板制作步骤与封接步骤之间进一步包括: 在所述介质保护层上形成量子点层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用印刷或喷涂的方法形成所述量子点层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述量子点层是由核结构材料为CdSe, ZnSe或CdS，壳结构材料是ZnS的量子点材料形成的。
【文档编号】H01J11/40GK103871806SQ201110459336
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2011年12月31日 优先权日:2011年12月31日
【发明者】张俊兵 申请人:四川虹欧显示器件有限公司