场发射光源结构的制作方法
【专利摘要】一种场发射光源结构，其包括阴极基板、阳极基板及位于所述阴极基板和阳极基板之间的隔离体，所述隔离体的横截面为环状长方形，该隔离体设置于所述阴极基板和所述阳极基板之间，所述阴极基板和所述阳极基板相互对准，且通过所述隔离体相互连接，所述隔离体与所述阳极基板一体成型，且与该阳极基板的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板与所述隔离体连接区域为圆弧形转角。由于所述隔离体与阳极基板一体加工成型，且该隔离体与所述阳极基板的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板与所述隔离体连接区域为圆弧形转角设计，如此便可减少该隔离体与该阳极基板转角区域的电场分布集中度，增加了该场发射光源结构的工作稳定性。
【专利说明】 场发射光源结构
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及光电子【技术领域】，尤其涉及一种场发射光源结构。
【背景技术】
[0002]场发射光源是场发射研究的重要应用之一，其即可以应用于照明装置中，也可以用作显示器的背光源，如场发射显示器。因此，具有场发射光源的场发射器也已经成为照明装置及显示器等装置中不可缺少的器件。所述场发射器大多包括阴极基板、阳极基板及支撑体，该支撑体位于所述阴极基板和阳极基板之间，从而将该阴极基板和阳极基板隔开。该球体状的隔离体容易滑动，造成该场发射光源结构不稳定。
[0003]传统的支撑体之一为球体状隔离体，该球体状隔离体直接放置于所述阴极基板和阳极基板之间，使二者保持一定的间隔，然而，该球体状隔离体的直径误差难以控制在要求范围内，而且容易在所述阴极基板和阳极基板之间移动，使得该基板与支撑体之间承受的压力不均衡，导致所述基板破裂，从而降低了该场发射光源结构的稳定和使用寿命。另一传统的支撑体为条形的墙状隔离体，然而，由于所述场发射光源结构在工作时会产生热应力，因此所述基板在该热应力的作用下发生变形，导致了该墙状隔离体与所述基板之间结合不够紧密，容易出现松动，从而影响了该场发射光源结构的使用寿命，再者，由于该隔离体与基板(如阳极基板)交接处形成直角倒角，因此，当在该基板上加上高压电的时候，此接触的区域电场较大，容易击穿该隔离体，不利于该场发射光源结构的工作稳定性。
【发明内容】
[0004]针对上述问题，本发明的目的在于提供一种具有较高的结构稳定性和工作稳定性的场发射光源结构。
[0005]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种场发射光源结构，其包括阴极基板、阳极基板及位于所述阴极基板和阳极基板之间的隔离体，所述隔离体的横截面为环状长方形，该隔离体设置于所述阴极基板和所述阳极基板之间，所述阴极基板和所述阳极基板相互对准，且通过所述隔离体相互连接，所述隔离体与所述阳极基板一体成型，且与该阳极基板的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板与所述隔离体连接区域为圆弧形转角。
[0006]其中，所述阳极基板与所述隔离体之间相交接的表面之间为四分之一圆弧过渡，且该圆弧的半径为I毫米。
[0007]其中，所述隔离体为一端开口的中空长方体状，其横截面为环状长方形，所述隔离体与该阳极基板位于同一中心轴线上，且距离该阳极基板周缘10毫米，该环形正方形中的外侧正方形的边长为80晕米，内侧正方形的边长为70晕米,该隔尚体的厚度为5晕米，闻度为2毫米。
[0008]其中，所述阳极基板可通过激光切割、物理抛光及化学腐蚀的方法加工形成横截面为环状正方形的隔离体，该隔离体与所述阳极基板一体加工成型。[0009]其中，所述隔离体的高度为2毫米，厚度为5毫米，所述隔离体的横截面为环状正方形，该横截面的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体成型于距离所述阳极基板的边缘10毫米处，该阳极基板的边缘到所述隔离体对应外侧面的距离为10毫米，其到该隔离体对应内侧面的距离为15毫米。
[0010]其中，所述阴极基板开设有定位槽，所述横截面为环状长方形的隔离体的端部凸设有定位块，所述定位块凸设于该隔离体大致中部位置，且对应于上述定位槽的位置，该定位块容置于所述定位槽内，以将该隔离体固定于所述阴极基板上。
[0011]其中，所述隔离体由具有特定刚度的绝缘材料制成。
[0012]其中，所述隔离体由陶瓷、玻璃或碳化硼制成。
[0013]其中，所述发射光源结构还包括发射体及发光层，该发射体设置于所述阴极基板上大致中部位置，所述发光层涂覆于所述阳极基板上对准上述发射体的位置，并位于所述隔离体中间，所述发射体产生的电子可在所述阴极基板和阳极基板之间电场驱动下撞击上述发光层。
[0014]其中，所述发射体由纳米材料制成，所述发光层为边长为70毫米的正方形荧光粉层，所述阴极基板和阳极基板由玻璃制成。
[0015]本发明所提供的场发射光源结构中，所述隔离体与所述阳极基板一体加工成型，并在该阳极基板表面形成一墙体状的隔离体结构，该隔离体封接于所述阴极基板上并形成密封的容置空间，如此，即使所述阴极基板和阳极基板因为内外压力差或该场发射光源结构在工作时产生的热应力而发生变形，所述隔离体仍与所述阴极基板和阳极基板之间紧密配合，而不会在二者之间发生相对移动，如此，便会在一定程度上增加所述场发射光源结构的结构稳定性和使用寿命。此外，由于隔离体与一体加工成型的阳极基板的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板与所述隔离体连接区域为圆弧形转角设计，如此便可减少所述隔离体与该阳极基板转角区域的电场分布集中度，增加了该场发射光源结构的工作稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本发明第一实施例提供的场发射光源结构的垂直方向的剖视图。
[0018]图2是本发明第一实施例提供的场发射光源结构的阳极基板与隔离体一体成型的示意图。
[0019]图4是本发明第一实施例提供的场发射光源结构的组装制造流程图。
[0020]图3是本发明第二实施例提供的场发射光源结构的垂直方向的剖视图。
[0021]图5是本发明第二实施例提供的场发射光源结构的阳极基板与隔离体一体成型的示意图。
[0022]图6是本发明第二实施例提供的场发射光源结构的组装制造流程图。
【具体实施方式】[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]请参阅图1及图2，本发明第一实施例提供一种场发射光源结构100，其可应用于照明装置或用作显示器(场发射显示器)的背光源。该场发射光源结构100包括阴极基板
10、阳极基板20及位于该阴极基板10与阳极基板20之间的隔离体30，所述阴极基板10和阳极基板20形成一对正负电极体，且二者之间可在高电压的作用下产生电场。
[0025]所述阴极基板10整体大致呈长方体板状，其横截面为边长为100毫米(mm)的正方形。所述阳极基板20整体大致呈长方体板状，其横截面为边长为100毫米的正方形。在本发明是实施例中，所述阴极基板10和阳极基板20可由玻璃制成，所述阴极基板10与所述阳极基板20的高度均为3毫米。
[0026]所述隔离体30整体为一端开口的中空长方体状，其横截面为环状长方形。在本发明实施例中，所述隔离体30与该阳极基板20位于同一中心轴线上，且距离该阳极基板20周缘10毫米，该隔离体30的横截面为环状正方形。其中，该环形正方形中的外侧正方形的边长为80晕米，内侧正方形的边长为70晕米,则该隔尚体30的厚度为5晕米。
[0027]在本发明实施例中，所述隔离体30可与所述阳极基板20 —体加工成型，即，该阳极基板20可通过激光切割、物理抛光及化学腐蚀等方法，加工形成横截面为环状正方形的隔离体30。该隔离体30的高度为2毫米，其厚度为5毫米，该环形正方形中的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米。该隔离体30成型于距离所述阳极基板20的边缘10毫米处，即，该阳极基板20的边缘到所述隔离体30对应外侧面的距离为10毫米，其到该隔离体30对应内侧面的距离为15毫米。所述隔离体30与一体加工成型的阳极基板20的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板20与所述隔离体30连接区域为圆弧形转角31。具体为，所述阳极基板20与该隔离体30之间相交接的表面之间为半径为I毫米的四分之一圆弧过渡，即，该阳极基板20与所述隔离体30之间的转角区域为四分之一的圆弧形，且该圆弧的半径为I毫米。
[0028]所述隔离体30可由陶瓷、玻璃、碳化硼等具有特定刚度的绝缘材料制成。在本发明实施例中，所述隔离体30有玻璃制成。可以理解，所述隔离体30的材料选择不但需要考虑具有一定的压力承载能力，还需要根据具体的场发射光源结构100对耐压等级的要求进行选择材料。
[0029]所述隔离体30通过封接材料密封固定于所述阴极基板10上，从而围成一长、宽均为70毫米、高为2毫米的长方体状的密封容置空间40，此时，所述阴极基板10与所述阳极基板20的边缘和中心分别相互对齐。所述隔离体30的各边与所述阴极基板10和阳极基板20对应的边分别平行，所述隔离体30的外缘与所述阴极基板10的交线到所述阴极基板10边缘的垂直距离为10毫米，该隔离体30外缘与所述阳极基板20的交线到该阳极基板20边缘的垂直距离为10毫米，也即是，所述隔离体30与所述阴极基板10和阳极基板20位于同一中心轴线上。抽出该密封容置空间40内的气体使该容置空间40形成真空状态，则所述隔离体30所受的压力均匀，在所述阴极基板10和阳极基板20之间的真空容置空间40中导入高电压可产生电场。[0030]所述隔离体30与所述阳极基板20 —体加工成型，并在该阳极基板20表面形成一墙体状的隔离体结构，该隔离体30封接于所述阴极基板10上并形成密封的容置空间40，如此，即使所述阴极基板10和阳极基板20因为内外压力差或该场发射光源结构100在工作时产生的热应力而发生变形，所述隔离体30仍与所述阴极基板10和阳极基板20之间紧密配合，而不会在二者之间发生相对移动，如此，便会在一定程度上增加所述场发射光源结构100的结构稳定性和使用寿命。此外，由于隔离体30与一体加工成型的阳极基板20的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板20与所述隔离体30连接区域为圆弧形转角设计，如此便可减少所述隔离体30与该阳极基板20转角区域的电场分布集中度，增加了该场发射光源结构100的工作稳定性。
[0031]所述场发射光源结构100还包括发射体50及发光层(图未示)。该发射体50整体大致呈平板状，其设置于所述阴极基板10上大致中部位置，并位于所述容置空间40内。该发射体50可由纳米材料制成，其用于在电场的作用下激发产生电子。所述发光层整体大致呈平板状，其涂覆于所述阳极基板20上大致中部位置，并位于所述隔离体30中间。该发光层可为边长70毫米的正方形荧光粉层，其设置于所述阳极基板20上对准上述发射体50的位置处。上述发射体50产生的电子可在所述阴极基板10和阳极基板20之间电场驱动下撞击上述发光层，从而产生发光效应。
[0032]请一并参阅图3，组装制作上述场发射光源结构100至少包括如下步骤:
S1:加工生成所述阴极基板10，具体为，通过物理抛光、化学腐蚀及激光切割等方法加工所述阴极基板10，使得所述阴极基板10整体大致呈长方体板状，且横截面为边长为100毫米的正方形，其厚度为3毫米；
52:清洗所述阴极基板10，具体为，将上述加工后的阴极基板10进行超声波清洗以及出气烘烤；
53:在所述阴极基板10上生长由纳米材料制成的发射体50，具体为，该发射体50形成于所述阴极基板10中部边长为70毫米的正方形区域；
54:加工所述阳极基板20，并形成所述隔离体30，具体为，通过物理抛光、化学腐蚀及激光切割等方法一体加工成型所述阳极基板20，以生成横截面为环状正方形的隔离体30，该隔离体30的高度为2毫米，其厚度为5毫米,该环形正方形中的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体30成型于距离所述阳极基板20平面的边缘10毫米处，即，该阳极基板20的边缘到所述隔离体30对应外侧面的距离为10毫米；所述隔离体30与一体加工成型的阳极基板20的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板20与所述隔离体30连接区域为圆弧形转角31，具体为，所述阳极基板20与该隔离体30之间相交接的表面之间为半径为I毫米的四分之一圆弧过渡，即，该阳极基板20与所述隔离体30之间的转角区域为四分之一的圆弧形，且该圆弧的半径为I毫米；
55:清洗所述阳极基板20及隔离体30，具体为，将上述加工后的阳极基板20及一体加工成型的隔离体30进行超声波清洗以及出气烘烤；
56:在所述阳极基板20上涂覆发光层，具体为，所述发光层涂覆于所述阳极基板20上大致中部位置，并位于所述隔离体30中间；在本发明实施例中，该发光层可为边长为70毫米的正方形荧光粉层，其设置于所述阳极基板20上对准上述发射体50的位置处；上述发射体50产生的电子可在所述阴极基板10和阳极基板20之间电场驱动下撞击上述发光层，从而产生发光效应由纳米材料制成的发射体50 ；
57:将一体加工成型的所述阳极基板20与隔离体30装设于所述阴极基板10上，具体为，所述隔离体30通过封接材料密封固定于所述阴极基板10上，从而围成一长、宽均为70毫米、高为2毫米的长方体状的密封容置空间40，所述隔离体30的各边与所述阴极基板10和阳极基板20对应的边分别平行，所述隔离体30与所述阴极基板10的交线到所述阴极基板10边缘的垂直距离为10毫米，该隔离体30与所述阳极基板20的交线到该阳极基板20边缘的垂直距离为10毫米，也即是，所述隔离体30与所述阴极基板10和阳极基板20位于同一中心轴线上；
58:真空化所述场发射光源结构100，具体为，抽出所述隔离体30与所述阴极基板10和阳极基板20围城的密闭的容置空间40气体，使该容置空间40为真空状态，进而使所述隔离体30所受的压力均匀。
[0033]请参阅图4及图5，本发明第二实施例提供一种场发射光源结构200，其包括阴极基板210、阳极基板220、位于该阴极基板210与阳极基板220之间的隔离体230、发射体250、发光层,本实施例中的所述阳极基板220、发射体250及发光层与第一实施例中的所述阳极基板20、发射体50及发光层相同，在此不再赘述。本实施例中的所述阴极基板210及隔离体230的形状和尺寸与所述第一实施例中的阴极基板10及隔离体30的形状和尺寸相同，在此不再赘述。
[0034]所述阴极基板210开设有定位槽212，该定位槽212用于固定所述隔离体230。在本发明实施例中，该定位槽212为环状长方形槽，其宽度和深度均为0.2毫米，该定位槽212开设于距离所述阴极基板210边缘11.5毫米处，即，所述定位槽212的外侧周缘与所述阴极基板210的边缘平行，且二者之间的距离为11.5毫米。所述定位槽212可通过激光切割、物理抛光及化学腐蚀等方法加工所述阴极基板210而形成。
[0035]所述横截面为环状长方形的隔离体230的端部凸设有定位块232，该定位块232可通过激光切割、物理抛光及化学腐蚀等方法加工所述隔离体230而形成。所述定位块232凸设于该隔离体230大致中部位置，且对应于上述定位槽212的位置，该定位块232的形状及尺寸对应于上述定位槽212的形状及尺寸。在本发明实施例中，该定位块232的切面为边长为0.2毫米的正方形，所述定位块232可容置于所述定位槽212内，以将该隔离体230固定于所述阴极基板210上。
[0036]所述隔离体230与一体加工成型的阳极基板220的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板220与所述隔离体230连接区域为圆弧形转角231。具体为，所述阳极基板220与该隔离体230之间相交接的表面之间为半径为I毫米的四分之一圆弧过渡，即，该阳极基板220与所述隔离体230之间的转角区域为四分之一的圆弧形，且该圆弧的半径为I毫米。
[0037]所述隔离体230与所述阳极基板220 —体加工成型，并在该阳极基板220表面形成一墙体状的隔离体结构，所述定位块323容置于所述定位槽212内，则该隔离体230封接于所述阴极基板210上并形成密封的容置空间240。如此，即使所述阴极基板210和阳极基板220因为内外压力差或该场发射光源结构200在工作时产生的热应力而发生变形，所述隔离体230仍与所述阴极基板210和阳极基板220之间紧密配合，而不会在二者之间发生相对移动，如此，便会在一定程度上增加所述场发射光源结构200的结构稳定性和使用寿命。此外，由于隔离体230与一体加工成型的阳极基板220的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板220与所述隔离体230连接区域为圆弧形转角设计，如此便可减少所述隔离体230与该阳极基板220转角区域的电场分布集中度，增加了该场发射光源结构200的工作稳定性。
[0038]请一并参阅图6，组装制作上述场发射光源结构200至少包括如下步骤:S11、S12、S13、S14、S15、S16、S17及S18，其中所述步骤S12、S13、S15、S16及S18与第一实施例中的所述S2、S3、S5、S6及S8相同，再次不在赘述，以下详细说明步骤Sll、S14及S17。
[0039]Sll:加工生成所述阴极基板210，具体为，通过物理抛光、化学腐蚀及激光切割等方法加工所述阴极基板210，使得所述阴极基板210整体大致呈长方体板状，且横截面为边长为100毫米的正方形，其厚度为3毫米，所述阴极基板210开设有环状长方形的定位槽212，该定位槽212的宽度和深度均为0.2毫米，该定位槽212开设于距离所述阴极基板210边缘11.5毫米处，其可通过激光切割、物理抛光及化学腐蚀等方法加工所述阴极基板210而形成。
[0040]S14:加工所述阳极基板220，并形成所述隔离体230，具体为，通过物理抛光、化学腐蚀及激光切割等方法一体加工成型所述阳极基板220，以生成横截面为环状正方形的隔离体230，该隔离体230的高度为2毫米，其厚度为5毫米，该环形正方形中的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体230成型于距离所述阳极基板220平面的边缘10毫米处；所述隔离体230与一体加工成型的阳极基板220的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板220与所述隔离体230连接区域为圆弧形转角231，具体为，所述阳极基板220与该隔离体230之间相交接的表面之间为半径为I毫米的四分之一圆弧过渡；所述横截面为环状长方形的隔离体230的端部凸设有定位块232，所述定位块232凸设于该隔离体230大致中部位置，且对应于上述定位槽212的位置，该定位块232的形状及尺寸对应于上述定位槽212的形状及尺寸；在本发明实施例中，该定位块232的切面为边长为0.2毫米的正方形，所述定位块232可容置于所述定位槽212内，以将所述隔离体230固定于所述阴极基板210上。
[0041]S17:将一体加工成型的所述阳极基板220与隔离体230装设于所述阴极基板210上，具体为，所述定位块232容置于所述定位槽212内，并通过封接材料将该隔离体230密封固定于所述阴极基板210上，从而围成一长、宽均为70毫米、高为2毫米的长方体状的密封容置空间240，所述隔离体230的各边与所述阴极基板210和阳极基板220对应的边分别平行，所述隔离体230与所述阴极基板210的交线到所述阴极基板210边缘的垂直距离为10毫米，该隔离体230与所述阳极基板220的交线到该阳极基板220边缘的垂直距离为10毫米，也即是，所述隔离体230与所述阴极基板210和阳极基板220位于同一中心轴线上。
[0042]本发明所提供的场发射光源结构100中，所述隔离体30与所述阳极基板20 —体加工成型，并在该阳极基板20表面形成一墙体状的隔离体结构，该隔离体30封接于所述阴极基板10上并形成密封的容置空间40，如此，即使所述阴极基板10和阳极基板20因为内外压力差或该场发射光源结构100在工作时产生的热应力而发生变形，所述隔离体30仍与所述阴极基板10和阳极基板20之间紧密配合，而不会在二者之间发生相对移动，如此，便会在一定程度上增加所述场发射光源结构100的结构稳定性和使用寿命。此外，由于隔离体30与一体加工成型的阳极基板20的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板20与所述隔离体30连接区域为圆弧形转角设计，如此便可减少所述隔离体30与该阳极基板20转角区域的电场分布集中度，增加了该场发射光源结构100的工作稳定性。
[0043] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种场发射光源结构，其包括阴极基板、阳极基板及位于所述阴极基板和阳极基板之间的隔离体，其特征在于，所述隔离体的横截面为环状长方形，该隔离体设置于所述阴极基板和所述阳极基板之间，所述阴极基板和所述阳极基板相互对准，且通过所述隔离体相互连接，所述隔离体与所述阳极基板一体成型，且与该阳极基板的相连接的两个表面之间圆弧过渡，使得该阳极基板与所述隔离体连接区域为圆弧形转角。
2.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阳极基板与所述隔离体之间相交接的表面之间为四分之一圆弧过渡，且该圆弧的半径为I毫米。
3.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体为一端开口的中空长方体状，其横截面为环状长方形，所述隔离体与该阳极基板位于同一中心轴线上，且距离该阳极基板周缘10毫米，该环形正方形中的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体的厚度为5毫米，高度为2毫米。
4.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阳极基板可通过激光切害I]、物理抛光及化学腐蚀的方法加工形成横截面为环状正方形的隔离体，该隔离体与所述阳极基板一体加工成型。
5.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体的高度为2毫米，厚度为5毫米，所述隔离体的横截面为环状正方形，该横截面的外侧正方形的边长为80毫米，内侧正方形的边长为70毫米，该隔离体成型于距离所述阳极基板的边缘10毫米处，该阳极基板的边缘到所述隔离体对应外侧面的距离为10毫米，其到该隔离体对应内侧面的距离为15毫米。
6.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阴极基板开设有定位槽，所述横截面为环状长方形的隔离体的端部凸设有定位块，所述定位块凸设于该隔离体大致中部位置，且对应于上述定位槽的位置，该定位块容置于所述定位槽内，以将该隔离体固定于所述阴极基板上。
7.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体由具有特定刚度的绝缘材料制成。
8.根据权利要求7所述的场发射光源结构，其特征在于，所述隔离体由陶瓷、玻璃或碳化硼制成。
9.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述发射光源结构还包括发射体及发光层，该发射体设置于所述阴极基板上大致中部位置，所述发光层涂覆于所述阳极基板上对准上述发射体的位置，并位于所述隔离体中间，所述发射体产生的电子可在所述阴极基板和阳极基板之间电场驱动下撞击上述发光层。
10.根据权利要求9所述的 场发射光源结构，其特征在于，所述发射体由纳米材料制成，所述发光层为边长为70毫米的正方形荧光粉层，所述阴极基板和阳极基板由玻璃制成。
【文档编号】H01J63/06GK103839757SQ201210478028
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月22日 优先权日:2012年11月22日
【发明者】周明杰, 吴康锋, 陈贵堂 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司