一种防蓝光LED灯结构的制作方法

本发明涉及一种防蓝光led灯结构。

背景技术：

近年来led作为新型高效固体光源之一，具有寿命长、节能、环保等显著优点，广泛应用于电脑、手机、电视及led灯等一系列照明领域及显示屏领域，目前led发光主要采用高能短波蓝光激发荧光粉的技术形成一种复合光，但高能短波蓝光对视网膜伤害程度大，易引起视网膜色素上皮细胞的萎缩甚至死亡，光敏感细胞的死亡将会导致视力下降甚至完全丧失，这种损坏是不可逆的，蓝光还会导致黄斑病变，人眼中的水晶体会吸收部分蓝光渐渐混浊形成白内障，尤其是儿童水晶体较清澈，更容易导致黄斑病变以及白内障，同时led在投入实际使用中，通常会在led芯片外加一个led透镜，以调整led芯片发出光线的光路。目前市场上在使用的透镜形状多种多样，包括弧形透镜、半圆形透镜、草帽形透镜等。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种防蓝光led灯结构，包括led基座、led发光芯片、led透镜和防蓝光层，led发光芯片安装在led基座上，led透镜设置在led基座上且包覆着led发光芯片，防蓝光层包括由多层高折射率层与低折射率层交替组成，低折射率层的成分为sio2，高折射率层的成分为tio2、hfo2、ta2o5和os-50中的其中一种，led发光芯片上含有荧光粉，防蓝光层镀制在led透镜的内侧、外侧或内外两侧。

优选地，led透镜为硅胶透镜、pmma透镜、pc透镜和玻璃透镜中的一种。

优选地，所述高折射率层、低折射率层的厚度均为10nm-200nm之间。

优选地，防蓝光层通过真空镀膜工艺制备形成。

进一步地，真空镀膜工艺包括热蒸镀、电子束蒸镀、离子辅助、离子束溅射、磁控溅射。

与现有的技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供一种防蓝光led灯结构，有害蓝光经过该结构后，有害蓝光被反射至led发光芯片上，与发光芯片上的荧光粉发生反应，提高复合光的形成效率，有效降低有害蓝光的透过率，对眼睛起到一定保护作用。

附图说明

图1为本发明防蓝光led灯结构示意图；

图2为本发明防蓝光玻璃片的结构示意图；

图3为本发明防蓝光玻璃片的光谱曲线图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

见图1至图2,一种防蓝光led灯结构，包括led基座1、led发光芯片2、led透镜3和防蓝光层4，led发光芯片2安装在led基座1上，led透镜3设置在led基座1上且包覆着耐led发光芯片2，led发光芯片2上含有荧光粉，led透镜3为硅胶透镜、pmma透镜、pc透镜和玻璃透镜中的一种，防蓝光层4镀制在led透镜的内侧、外侧或内外两侧，防蓝光层4包括由多层高折射率层41与低折射率层42交替组成，低折射率层42的成分为sio2，高折射率层41的成分为tio2、hfo2、ta2o5和os-50中的其中一种。防蓝光层4每层的厚度为在10nm-200nm之间，防蓝光4层通过热蒸镀、电子束蒸镀、离子辅助、离子束溅射、磁控溅射等真空镀膜工艺制备形成。

当防蓝光层4中低折射率层42的成分为sio2，高折射率层的成分为tio2时，光线透过该结构后得到图3所示的光谱曲线图。

由图3可知，380nm-450nm光波段经过防蓝光层4后，其透过率小于5％；470nm-780nm光波段经过防蓝光层后，其透过率大于90％。

尽管上述图文已经描述了本发明的优选实施例的说明，但本领域内的技术人员一旦得知了本创造性地概念，则可以对这些实施例做另外的变更和修改，所以，所附的权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更及修改。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种修改和变型而不脱离本发明的思想和范围，这样，尚若对本发明的这些修改和变形属于本发明权利要求及其等同技术范围之内，则本发明意图包含这些改动和变形在内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种防蓝光LED灯结构，包括LED基座、LED发光芯片、LED透镜和防蓝光层，LED发光芯片安装在LED基座上，LED透镜设置在LED基座上且包覆着LED发光芯片，防蓝光层包括由多层高折射率层与低折射率层交替组成，低折射率层的成分为SiO2，高折射率层的成分为TiO2、HfO2、Ta2O5和OS‑50中的其中一种，LED发光芯片上含有荧光粉，防蓝光层镀制在LED透镜的内侧、外侧或内外两侧，该防蓝光LED灯结构有效的阻挡了有害蓝光波段，避免了有害蓝光对眼睛的伤害。

技术研发人员：贾云飞;李州;陈欣欣;郭滨刚
受保护的技术使用者：深圳市光科全息技术有限公司
技术研发日：2018.09.30
技术公布日：2019.01.11