专利名称：中介物的制造方法
技术领域：
本发明涉及中介物的制造方法。
背景技术：
作为现有的中介物(interposer)的制造方法，已知有如专利文献I所记载的方法。在该中介物的制造方法中，首先，通过将激光照射在板状的加工对象物，从而在加工对象物形成先行孔。接着，通过对该加工对象物实施蚀刻处理，从而扩大先行孔而形成通孔(贯通孔)。然后，通过将导体埋入通孔而形成贯通电极，由此，制造中介物。专利文献
专利文献1:日本特开2006-352171号公报
发明内容
发明所要解决的课题在此，近年来，在提高高质量且小型的电子器械的要求之中，在上述现有技术中，伴随着该要求，强烈要求可确保高可靠性且小型化的中介物的制造。因此，本发明的课题在于，提供一种可确保高可靠性且小型化的中介物的制造方法。解决课题的技术手段为了解决上述课题，本发明的一个侧面所涉及的中介物的制造方法，是具备多个贯通电极的中介物的制造方法，包含通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，在加工对象物形成改质区域的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展，将相对于加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于加工对象物的蚀刻处理工序；在蚀刻处理工序之后，在贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入贯通孔，形成贯通电极的贯通电极形成工序；多个贯通孔从加工对象物的主面看，以在其倾斜方向排列的贯通孔在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。在该中介物的制造方法中，从加工对象物的主面看，在倾斜方向上排列的贯通孔，以在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。因此，可以将多个贯通孔乃至多个贯通电极较密地配置在加工对象物，其结果，可以实现所制造的中介物的小型化。在此，因为形成剖面形状为矩形形状的贯通孔，所以在贯通孔的内面难以形成使绝缘膜难以成长的凸部。因此，可以由绝缘膜形成工序形成均匀的绝缘膜，其结果，可抑制绝缘膜的缺陷，并可确保高的可靠性。另外，在激光聚光工序中，也可以在加工对象物的对应于贯通孔的部分形成作为改质区域的第I改质区域，并且在加工对象物在通过由各向异性蚀刻处理进行的薄化而除去的部分形成作为与第I改质区域连接的改质区域的第2改质区域，在蚀刻处理工序中，一边将加工对象物薄化至目标厚度，一边沿着第2改质区域使蚀刻选择性地进展，之后，沿着第I改质区域使蚀刻选择性地进展，当加工对象物为目标厚度时完成贯通孔的形成。在此情况下，当加工对象物为目标厚度时，不使第I改质区域的蚀刻开始进展，而通过蚀刻处理使加工对象物薄化至目标厚度，此时，通过形成于由薄化而除去的部分的第2改质区域，引导第I改质区域的蚀刻的进展开始，然后，当加工对象物被薄化至目标厚度时，完成贯通孔的形成。因此，可以抑制由于蚀刻而使贯通孔的开口侧的孔径扩大，可以将贯通孔精度良好地形成。另外，第2改质区域也可以与加工对象物的厚度方向平行地延伸。在此情况下，在形成第2改质区域时激光的聚光点的指定及管理变得容易，可实现激光加工的容易化。另外，加工对象物也可以具有成为(100) 面的主面。在此情况下，可以将在厚度方向上倾斜的贯通孔较好地形成于加工对象物。另外，激光聚光工序也可以包含将一边沿着与激光的照射方向垂直的一个方向使激光的聚光点相对移动一边将激光照射的工序，以改变照射方向上的聚光点的深度位置的方式反复实施的第I工序；及将第I工序，以改变与照射方向及一个方向垂直的另一个方向上的聚光点的位置的方式反复实施的第2工序。在此情况下，可以短缩激光聚光工序的节拍时间。发明的效果根据本发明，可以提供一种可确保高的可靠性且小型化的中介物的制造方法。
图1为改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略构成图。图2为成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。图3为沿着图2的加工对象物的II1-1II线的剖面图。图4为激光加工后的加工对象物的平面图。图5为沿着图4的加工对象物的V-V线的剖面图。图6为沿着图4的加工对象物的V1-VI线的剖面图。图7为表示通过本实施方式制造的中介物的概略剖面图。图8为图7的中介物的概略立体图。图9 (a)为表示本实施方式的流程图，(b)为表示图9 (a)的接续的流程图。图10 Ca)为表示图9 (b)的接续的流程图，(b)为表示图10 Ca)的接续的流程图。图11 (a)为表示图10 (b)的接续的流程图，(b)为表示图11 Ca)的接续的流程图。图12 Ca)为表示图11 (b)的接续的流程图，(b)为表示图12 Ca)的接续的流程图，(c)为表示图12 (b)的接续的流程图。图13为表示由本实施方式形成的贯通孔的对应于沿着图12 (C)的XII1-XIII线的剖面的剖面图。图14 Ca)为表示形成了改质区域之后的加工对象物的一部分的扩大剖面图，(b)为表示形成了贯通孔之后的加工对象物的一部分的扩大剖面图。图15 Ca)为表示贯通孔的其它的例子的对应于图13的剖面图，(b)为表示贯通孔的又一其它的例子的对应于图13的剖面图。图16为变形例所涉及的中介物的概略立体图。符号的说明I…加工对象物、Ip…除去部分(除去的部分)、3…表面(主面)、7…改质区域、10、50…中介物、IOy…贯通电极、15…绝缘膜、21…背面(主面)、24…贯通孔、71、73…改质区域(第2改质区域)、72…改质区域(第I改质区域)、L…激光、M…目标厚度。
具体实施方式
以下，参照附图，对优选的实施方式进行详细的说明。还有，在以下的说明中，对于相同或相当要素附加相同符号，省略重复的说明。在本实施方式所涉及的中介物的制造方法中，将激光聚光于加工对象物的内部而形成改质区域。在此，首先，参照图1 图6，说明改质区域的形成。如图1所示，激光加工装置100具备使激光L脉冲振荡的激光光源101、以将激光L的光轴(光路)的方向改变90°的方式配置的分色镜103、用于将激光L聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备用于支撑由聚光用透镜105聚光的激光L所照射的加工对象物I的支撑台107、用于使支撑台107移动的平台111、为了调节激光L的输出或脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、及控制平台111的移动的平台控制部115。在该激光加工装置100中，从激光光源101射出的激光L，通过分色镜103将其光轴的方向改变90°，通过聚光用透镜105而被聚光于载置于支撑台107上的板状的加工对象物I的内部。与此同时，使平台111移动，使加工对象物I相对于激光L沿着改质区域形成预定部5相对移动。由此，沿着改质区域形成预定部5的改质区域形成于加工对象物I。作为加工对象物1，使用半导体材料或压电材料等，如图2所示，在加工对象物1，设定改质区域形成预定部5。在此的改质区域形成预定部5是以直线状延伸的假想线。在加工对象物I形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点P对准加工对象物I的内部的状态下，使激光L沿着改质区域形成预定部5 (即在图2的箭头A方向)相对地移动。由此，如图4 图6所示，改质区域7沿着改质区域形成预定部5而形成于加工对象物I的内部，该改质区域7由后面所述的蚀刻而成为除去区域8。还有，所谓聚光点P，是激光L聚光的场所。另外，改质区域形成预定部5，不限定于直线状，可以为曲线状，也可以为曲面状或平面状的三维状，也可以是坐标指定了的预定部。另外，改质区域7，有连续地形成的情况，也有间断地形成的情况。另外，改质区域7可以是列状，也可以是点状，主要是，改质区域7至少形成于加工对象物I的内部即可。另外，存在以改质区域7为起点而形成龟裂的情况，龟裂及改质区域7也可以露出于加工对象物I的外表面(表面、背面或外周面)。顺便说明的话，在此，激光L透过加工对象物I并且在加工对象物I的内部的聚光点附近被特别吸收，由此，在加工对象物I形成改质区域7 (即内部吸收型激光加工)。一般来说，在从表面3被熔融而除去而形成孔或沟槽等的除去部(表面吸收型激光加工)的情况下，加工区域从表面3侧逐渐地朝背面侧行进。但是，本实施方式所涉及的改质区域7，是密度、折射率、机械强度或其它的物理的特性成为与周围不同的状态的区域。作为改质区域7，例如具有熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些区域混合存在的区域。进一步，作为改质区域7，存在在加工对象物I的材料中密度与非改质区域的密度相比较变化了的区域、或形成有晶格缺陷的区域(这些也统称为高密转移区域)。另外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域7的密度与非改质区域的密度相比较变化了的区域、形成有晶格缺陷的区域，进一步存在在这些区域的内部或改质区域7与非改质区域的界面内包龟裂(割裂、微裂纹)的情况。所内包的龟裂存在遍及改质区域7的整个面而形成的情况或仅形成于一部分或形成于多个部分的情况。作为加工对象物I，可以列举包含硅或由硅构成的对象物。在此，在本实施方式中，在加工对象物I形成了改质区域7之后，通过对该加工对象物I实施蚀刻处理，从而沿着改质区域7 (即沿着改质区域7、包含于改质区域7的龟裂、或者从改质区域7延伸的龟裂)使蚀刻选择性地进展，将加工对象物I中的沿着改质区域7的部分除去。还有，该龟裂也称为裂纹、微小裂纹、割裂等(以下，单单称为“龟裂”)。 在本实施方式的蚀刻处理中，例如，利用毛细管现象等，将蚀刻剂浸润于包含于加工对象物I的改质区域7的龟裂或从该改质区域7延伸的龟裂，使蚀刻沿着龟裂面进展。由此，在加工对象物I中，沿着龟裂选择性地并且高蚀刻速率地使蚀刻进展而进行除去。与此同时，利用改质区域7本身的蚀刻速率较高的特征，使蚀刻选择性地沿着改质区域7进展而进行除去。作为蚀刻处理，例如有将加工对象物I浸溃于蚀刻剂的情况(浸溃方式Dipping)、及旋转加工对象物I并涂布蚀刻剂的情况(旋转蚀刻方式SpinEtching)。作为蚀刻剂，例如可以列举KOH (氢氧化钾)、TMAH (四甲基氢氧化铵水溶液)、EDP(乙二胺邻苯二酚)、NaOH (氢氧化钠)、CsOH (氢氧化铯)、NH4OH (氢氧化铵)、肼等。另外，作为蚀刻剂，不仅可以使用液体状的蚀刻剂，也可以使用凝胶状(果冻状、半固体形状)的蚀刻齐U。在此的蚀刻剂，在常温 100°C前后的温度下使用，对应于所需要的蚀刻速率等而设定成适宜的温度。例如，在将Si由KOH蚀刻处理的情况下，优选为约60°C。另外，在本实施方式中，作为蚀刻处理，进行作为特定方向的蚀刻速度快(或慢)的蚀刻的各向异性蚀刻处理。在该各向异性蚀刻处理的情况下，不仅是比较薄的加工对象物，也可以应用于较厚的加工对象物(例如厚度800 iim IOOii m)。另外，在此情况下，即使在形成改质区域7的面与面方位不同时，也可以沿着该改质区域7进行蚀刻。即，在此的各向异性蚀刻处理中，除了顺着结晶方位的面方位的蚀刻以外，也可以是不依赖于结晶方位的蚀刻。接着，详细地说明一个实施方式所涉及的中介物的制造方法。图7是表示由本实施方式所制造的中介物的概略剖面图，图8是图7的中介物的概略立体图。本实施方式的制造方法，制造作为将电子部件之间彼此电连接的中继用基板的中介物(interposer)。如图7、8所示，中介物10是具备基板10x、及设置于该基板IOx的多个贯通电极IOy的硅中介物。该中介物10，如图7所示，构成IC芯片等的半导体设备11与可挠性缆线(可挠性印刷基板)12的连接配线，并且变换其配线间距。基板IOx,呈现其板厚例如为200 iim等的目标厚度M的平板状，由娃形成。贯通电极IOy，将基板IOx的表面侧及背面侧彼此导通，包含导体13及衬垫14而构成。如图8所示，贯通电极10y，从基板IOx的表面看呈交错状地配置有多个。即，多个贯通电极10y，以使在Y方向上接近的一对贯通电极IOy彼此在X方向上例如错开半个间距的方式进行排列。图9 12为表示本实施方式所涉及的中介物的制造方法的各流程图。如图9 12所示，在本实施方式中，将激光L聚光于加工对象物1，在加工对象物I的内部形成改质区域7。然后，通过实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物I的表面3侧及背面21侧的规定部分作为除去部分Ip而除去，而被薄化至目标厚度M。与此同时，沿着改质区域7使蚀刻选择性地进展而形成多个贯通孔24。如图9 (a)所示，加工对象物I是相对于所照射的激光L的波长(例如1064nm)透明的板状的娃基板。加工对象物I，其板厚比目标厚度M厚,为例如300 ii m。另外，加工对象物I具有成为(100)面的表面3及背面21 (主面)。在该加工对象物1，改质区域形成预定部5通过三维的坐标指定而被可编程序地设定。改质区域形成预定部5具有第I改质区·域形成预定部5x、及第2改质区域形成预定部5y。第I改质区域形成预定部5x在加工对象物I的内部沿着对应于贯通孔24 (参照图12 (c))的部分设定。在此的第I改质区域形成预定部5x包含在加工对象物I的厚度方向上延伸的第I改质区域形成预定部Sx1、相对于厚度方向倾斜的第I改质区域形成预定部5 、及相对于第I改质区域形成预定部5 以大的倾斜角度向同方向倾斜的第I改质区域形成预定部5x3。第I改质区域形成预定部5x2、5x3顺着加工对象物I的(111)面延伸。第2改质区域形成预定部5y被设定于加工对象物I的内部的表面3侧及背面21侧的除去部分lp。该第2改质区域形成预定部5y以与第I改质区域形成预定部5x各自的两端连接的方式设定有多个，并与加工对象物I的厚度方向平行地延伸。还有，在以下的说明中，将加工对象物I的厚度方向(激光L的照射方向)作为Z方向，将改质区域形成预定部5 (贯通孔24)相对于厚度方向倾斜的方向作为X方向，将与X方向及Z方向垂直的方向作为Y方向。在本实施方式中，在将加工对象物I加工的情况下，首先，将加工对象物I的表面3侧作为上方而载置并保持在载置台。然后，如图9 (b)所示，将激光L的聚光点(以下，单单称为“聚光点”)对准加工对象物I的内部中的背面21侧的除去部分lp。然后，以一边使该聚光点在X方向上相对移动，一边在改质区域形成预定部5形成改质区域7的方式使激光L从表面3侧开启/关断(0N/0FF)照射(以下，单单称为“扫描”)。由此，在背面21侧的除去部分lp，在第2改质区域形成预定部5y上的各位置，形成改质区域7。还有，在此，因为将脉冲激光作为激光L进行点照射，所以所形成的改质区域7由改质点所构成。另外，在改质区域7，从该改质区域7发生的龟裂被内包而形成(对于以下的改质区域7也相同)。接着,如图10 (a)所示,将聚光点的Z方向位置在表面3侧移动规定量之后,通过再次实施上述扫描，从而在背面21侧的除去部分lp，在第2改质区域形成预定部5y上的各位置，新形成相对于既成的改质区域7与表面3侧连接的改质区域7。其结果，在背面21侧的除去部分Ip内，形成与Z方向平行地延伸(换言之，以与Z方向不交叉的方式沿着Z方向大致直线状地延伸)的改质区域71。接着，如图10 (b) 图11 (b)所示，按照从背面21侧到表面3侧的顺序改变聚光点的Z方向位置而反复实施上述扫描。其结果，在加工对象物I内的对应于贯通孔24的部分，形成与既成的改质区域71连接的改质区域72，然后，在表面3侧的除去部分Ip内，形成与既成的改质区域72连接且与Z方向平行地延伸(换言之，以与Z方向不交叉的方式沿着Z方向大致直线状地延伸)的改质区域73。S卩，对应于贯通孔24延伸的作为第I改质区域的改质区域72，形成于加工对象物I内的除去部分Ip以外的部分，并且分别与该改质区域72的端部连接且在Z方向上笔直地延伸的作为第2改质区域的改质区域71、73，形成于不露出于表面3及背面21那样的除去部分lp。接着，将上述的图9 (b) 图11 (b)所示的工序，以改变Y方向上的激光L的聚光点位置的方式反复实施。通过如以上所述，多个改质区域72对应于多个贯通孔24而形成于加工对象物I内，并且分别与这些改质区域72的连接且与Z方向平行地延伸的多个改质区域71、73形成于除去部分Ip内。
顺便说明一下，改质区域72因为沿着上述第I改质区域形成预定部5Xl 5x3分别形成，所以包含在Z方向上延伸的改质区域721、相对于Z方向向X方向倾斜的改质区域722、及相对于改质区域722以大的倾斜角度向同方向倾斜的改质区域723而构成。另外，在此的改质区域71、73的大小及长度等，在后段的各向异性蚀刻处理中，以“加工对象物I被薄化至目标厚度M为止的蚀刻时间”与“改质区域71 73被蚀刻的各蚀刻时间的合计”彼此相等的方式分别形成。接着，对于加工对象物1，使用例如85°C的KOH作为蚀刻剂进行60分钟蚀刻处理。由此，加工对象物I中的除去部分Ip从表面3侧及背面21侧逐渐地被除去，加工对象物I逐渐地被薄化。然后，如图12 (a)所示，在加工对象物I被薄化至改质区域71、73露出为止时，蚀刻剂向改质区域71、73浸润，开始沿着改质区域71、73的蚀刻。接着，一边使加工对象物I被薄化,一边使加工对象物I的内部沿着改质区域71、73选择性地被蚀刻而除去。其后，如图12 (b)所示，一边进行除去部分Ip的除去而使加工对象物I接着被薄化，一边使蚀刻剂从改质区域71、73向改质区域72浸润，开始沿着改质区域72的蚀刻的进展。然后，一边使加工对象物I被薄化，一边使加工对象物I的内部沿着改质区域72选择性地被蚀刻而除去。再有，其后，一边进行除去部分Ip的除去而使加工对象物I进一步继续被薄化，一边进行改质区域72中的蚀刻。然后，如图12 (c)所示，当加工对象物I的厚度到达目标厚度M时，加工对象物I沿着改质区域72而被贯通，完成多个贯通孔24的形成。在此的多个贯通孔24以对应于上述贯通电极IOy的方式被配设。具体而言，多个贯通孔24从加工对象物I的表面3看，呈交错状地被配置多个。即，对于多个贯通孔24而言，从表面3看，在作为其倾斜方向的X方向上排列的贯通孔24，在作为倾斜方向的垂直方向的Y方向上以相互不同的方式配置。换言之，在表面3视中，在X方向上并列的一组贯通孔24，一边在X方向上错开一边在Y方向上并列。S卩，从表面3看时，以由在X、Y方向上接近的4个贯通孔24包围I个贯通孔24的方式配置。还有，在此，多个贯通孔24以使在Y方向上接近的一对的贯通孔24、24彼此在X方向上错开例如半个间距的方式进行排列。此时，在本实施方式中，如上所述，因为进行各向异性蚀刻，所以在加工对象物I中，其(111)面难以进行蚀刻(蚀刻速率慢)。因此，在顺着(111)面延伸的改质区域72，蚀刻很好地进展，使所形成的贯通孔24的内面成为凹凸少的平滑面。另外，如图13所示，贯通孔24，其剖面形状为大致矩形(菱形)形状，并且沿着其轴线的内径的不均匀较小。顺便说明一下，如图12 (C)所示，对于贯通孔24而言，因为沿着上述改质区域12, 722各别形成，所以包含在Z方向上延伸的贯通孔24p相对于Z方向向X方向倾斜的贯通孔242、及相对于贯通孔242以大的倾斜角度向同方向倾斜的贯通孔243而构成。接着，通过湿式氧化法等将加工对象物I氧化，使具有电绝缘性的氧化膜作为绝缘膜而在贯通孔24的内面(内壁)上生成。此时，如图13所示，因为贯通孔24的内面为平滑面且其剖面形状为大致矩形形状，所以在贯通孔24的内面，不存在使绝缘膜难以成长的凸部，因此，可形成均匀的绝缘膜15，可以抑制绝缘膜15的缺陷。
其后，将导体13埋入到各贯通孔24内，以与该导体13电连接的方式将衬垫14形成于表面3及背面21上。由此，加工对象物I构成为基板10x，贯通孔24构成为贯通电极10y，其结果，可获得中介物10。以上，在本实施方式中，从加工对象物I的表面3看，在X方向上排列的贯通孔24以在Y方向上相互不同的方式配置。因此，与例如在表面3视中将多个贯通孔24配置为单纯的格子状时相比，可以将多个贯通孔24乃至多个贯通电极IOy较密地配置，其结果，可实现所制造的中介物10的小型化。另外，使在加工对象物I中可形成的贯通孔24的数量及贯通电极IOy的数量增加，从而可实现中介物10中的配线的高密度化。再有，如上所述，因为形成剖面形状为矩形形状的贯通孔24，所以可以形成均匀的绝缘膜15，可以抑制绝缘膜15的缺陷，使贯通电极IOy中的电导通变得可靠而防止连接不良，可确保高的可靠性。另外，在本实施方式中，如上所述，在加工对象物I为目标厚度M时，不使改质区域72的蚀刻开始进展，而通过各向异性蚀刻处理使加工对象物I薄化至目标厚度M为止，此时，通过形成于除去部分Ip的改质区域71、73，引导改质区域72的蚀刻的进展开始，然后，在加工对象物I被薄化至目标厚度M时，完成贯通孔24的形成。因此，可以抑制加工对象物I中的贯通孔24的开口侧(表面3侧及背面21侧)被过度除去而使贯通孔24的开口侧的孔径(开口尺寸)及贯通孔24的内径宽度扩大，并可在目标厚度M的加工对象物I精度良好地形成贯通孔24。即，在本实施方式中，在由无掩膜的激光加工所进行的中介物10的制造方法中，可以一边进行加工对象物I的板厚的调整一边形成所期望的贯通孔24。具体而言，通过将用于使蚀刻向改质区域72引导(控制改质区域72的蚀刻)的改质区域71、73形成于除去部分lp，从而可以在后段的各向异性蚀刻处理中被薄化至目标厚度M时完成贯通孔24的形成。因此，可将加工对象物I的厚度及贯通孔24的孔径同时精度良好地控制，通过适当地形成例如改质区域71、73，从而可以调整改质区域72的贯通所需要的时间，可以设定最终的基板IOx的厚度。再有，如上所述，因为改质区域71、73与Z方向平行地延伸，所以，形成改质区域71、73时的激光L的聚光点的指定及管理变得容易，可实现激光加工的容易化。图14 (a)为表示形成了改质区域之后的加工对象物的一部分的扩大剖面图，图14(b)为表示形成了贯通孔之后的加工对象物的一部分的扩大剖面图。如图14所示，在将与Z方向平行地延伸的改质区域73以与改质区域722连接的方式形成于除去部分Ip的情况下(即在将改质区域73层叠为与Z方向平行的直线而形成的情况下)，由各向异性蚀刻处理形成的贯通孔242的开口侧的孔径H成为对应于改质区域73的大小的比较小的孔径。相对于此，将向Z方向倾斜的改质区域73'以与改质区域722连接的方式形成的情况下(即在将改质区域73'以相对于Z方向倾斜的方式在X方向上错开地层叠而形成的情况下)，所形成的贯通孔242'的开口侧的孔径H'比孔径H扩大。因此，在减小贯通孔24的开口侧的孔径H的情况下，形成于除去部分Ip的改质区域73 (71)优选与Z方向平行地延伸。另外，在本实施方式中，如上所述改质区域71、73因为不露出于加工对象物I的表面3及背面21，所以加工对象物I成为目标厚度M时，可以抑制改质区域72的蚀刻过度地进行而使贯通孔24的开口侧的孔径及内径宽度变大。另外，在本实施方式中，如上所述，将沿着X方向的扫描以改变Z方向的聚光点深 度位置的方式反复实施(参照图9 (b) 图11 (b)、第I工序)，并将其以改变Y方向的聚光点位置的方式反复实施(第2工序)，由此，形成多个贯通孔24。因此，可抑制聚光点的移动的徒劳而可以实现迅速的加工，可以实现节拍时间(加工时间)的短缩化乃至低成本化。再有，在本实施方式的中介物10中，因为具有相对于Z方向倾斜的贯通电极10y，所以在变换配线间距后，不需要将基板IOx多个层叠，从而可实现其轻薄化及低成本化。此夕卜，可以使配线简单化、及使配线间距微细化、设计容易化，并且可以减少配线的电阻。另外，在本实施方式中，基板IOx因为由硅形成，所以在半导体设备11由硅形成的情况下，可以抑制由热膨胀差的影响而使配线断线，并且可提高散热性。另外，在本实施方式中，在贯通孔24的形成时，因为能够使改质区域7及该改质区域7所内包的龟裂通过各向异性蚀刻处理而从加工后的加工对象物I除去，所以可提高其强度及质量。另外，在加工时因为不发生切削灰尘，因此，可以实现考虑到环境的加工方法。以上，说明了优选的实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式，在不变更各权利要求所记载的主旨的范围内可进行变形，或者也可以应用于其它方式。例如，形成改质区域7时的激光入射面不限定于加工对象物I的表面3，也可以是加工对象物I的背面21。另外，在上述实施方式中，使蚀刻向改质区域72引导，将与改质区域72的背面21侧连接的改质区域71及与表面3侧连接的改质区域73形成于除去部分lp，但是，有时也仅形成其中的至少一方。另外，在上述实施方式中，使与Z方向平行地延伸的改质区域71、73以分别与改质区域72的端部连接的方式形成，但是，这些改质区域71、73不限定于与Z方向平行地延伸的改质区域，例如也可以在沿着改质区域72的方向上延伸。另外，对于上述“平行”而言，包括大致平行的方式、谋求平行的方式。另外，不限定上述实施方式中的扫描方向和扫描顺序，例如，也可以通过将沿着X方向的扫描以改变Y方向的聚光点位置的方式反复实施,并将其以改变Z方向的聚光点深度位置的方式反复实施，形成多个贯通孔24。再有，例如，也可以一边沿着I个贯通孔24使聚光点移动一边照射激光L而形成改质区域7，将其反复实施仅贯通孔24的数量，从而形成多个贯通孔24。另外，上述实施方式中的激光L的开启/关断(0N/0FF)照射，除了控制激光L的射出的开启/关断(0N/0FF)以外，也可以以将设置于激光L的光路上的快门开闭，或者将加工对象物I的表面3遮蔽等的方式进行实施。再有，也可以将激光L的强度控制在形成有改质区域7的阈值(加工阈值)以上的强度与小于加工阈值的强度之间。还有，在上述实施方式中，通过将蚀刻剂调整(例如添加乙醇类或界面活性剂等的添加物)，从而使特定的结晶方位的蚀刻速率变化，可形成具有所期望的矩形形状的剖面形状(内壁形状)的贯通孔。例如，通过在蚀刻剂添加IPA (异丙醇)而进行各向异性蚀刻处理，从而如图15 (a)所示，可将贯通孔24的剖面形状作为长方形形状。另外，例如，通过在蚀刻剂添加界面活性剂而进行各向异性蚀刻处理，从而如图15 (b)所示，可将贯通孔24的剖面形状作为正方形形状。另外，在上述实施方式中，制造变换配线间距的中介物10，使贯通电极IOy的间距在基板IOx的表面上及背面上不同，但是，并不限定于此，也可制造例如图16所示的中介物50。在该中介物50中，贯通电极IOy的间距在基板IOx的表面上及背面上相等，贯通电极IOy中的表面配置图形及背面配置图形彼此相等。即，在基板IOx的表面及背面，从Z 方向看，贯通电极IOy呈相等的交错状而被多个配置。另外，在此的中介物50中，在基板IOx的表面及背面，贯通电极IOy的水平方向位置不同。换言之，贯通电极IOy在基板IOx的表面及背面，以作为相同的配置图形且在X方向及Y方向的至少一个方向上错开的方式设置。产业上的利用可能性根据本发明，可以提供一种可确保高的可靠性且小型化的中介物的制造方法。
权利要求
1.一种中介物的制造方法，其特征在于， 是具备多个贯通电极的中介物的制造方法， 包含 通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，从而在所述加工对象物形成改质区域的激光聚光工序； 在所述激光聚光工序之后，通过对所述加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而沿着所述改质区域使蚀刻选择性地进展，使相对于所述加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于所述加工对象物的蚀刻处理工序； 在所述蚀刻处理工序之后，在所述贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在所述绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入所述贯通孔，形成所述贯通电极的贯通电极形成工序， 多个所述贯通孔，从所述加工对象物的主面看，以在其倾斜方向上排列的所述贯通孔在所述倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。
2.如权利要求1所述的中介物的制造方法，其特征在于， 在所述激光聚光工序中， 在所述加工对象物的对应于所述贯通孔的部分形成作为所述改质区域的第I改质区域，并且在所述加工对象物在通过由所述各向异性蚀刻处理进行的薄化而除去的部分形成作为与所述第I改质区域连接的所述改质区域的第2改质区域， 在所述蚀刻处理工序中， 一边将所述加工对象物薄化至目标厚度，一边沿着所述第2改质区域使蚀刻选择性地进展，之后，沿着所述第I改质区域使蚀刻选择性地进展，当所述加工对象物到达所述目标厚度时，完成所述贯通孔的形成。
3.如权利要求2所述的中介物的制造方法，其特征在于， 所述第2改质区域与所述加工对象物的所述厚度方向平行地延伸。
4.如权利要求1 3中的任一项所述的中介物的制造方法，其特征在于， 所述加工对象物具有成为(100)面的主面。
5.如权利要求1 4中的任一项所述的中介物的制造方法，其特征在于， 所述激光聚光工序包含 将一边沿着与所述激光的照射方向垂直的一个方向使所述激光的聚光点相对移动一边照射所述激光的工序，以改变所述照射方向上的所述聚光点的深度位置的方式反复实施的第I工序；及 将所述第I工序，以改变与所述照射方向及所述一个方向垂直的另一个方向上的所述聚光点的位置的方式反复实施的第2工序。
全文摘要
一种具备多个贯通电极的中介物的制造方法，包含通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，在加工对象物形成改质区域的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展，将相对于加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于加工对象物的蚀刻处理工序；在蚀刻处理工序之后，在贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入贯通孔，形成贯通电极的贯通电极形成工序；多个贯通孔从加工对象物的主面看，以在其倾斜方向上排列的贯通孔在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。
文档编号B23K26/40GK103026486SQ20118003687
公开日2013年4月3日 申请日期2011年7月19日 优先权日2010年7月26日
发明者下井英树, 荒木佳祐 申请人:浜松光子学株式会社