专利名称：具有等离子检测构件的激光加工装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有等离子检测构件的激光加工装置。
背景技术：
在光器件制造工序中，在大致圆板形状的蓝宝石基板等外延基板的表面隔着缓冲层层叠有由η型半导体层和P型半导体层构成的光器件层，在所述外延基板的表面被呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。并且，通过沿间隔道分割光器件晶片，从而制造一个个光器件(例如，参照专利文献I)。而且，作为使光器件的亮度提高的技术，在下述专利文献2中公开了下述被称为提尚(Lift-off)的制造方法使在构成光器件晶片的监宝石基板等外延基板的表面隔着缓冲层层叠的由η型半导体层和P型半导体层构成的光器件层隔着由金(Au)、钼(Pt)、铬(Cr)、铟(In)、|fi(Pd)等接合金属层与钥(Mo)、铜(Cu)、娃(Si)等移设基板接合,通过从外延基板的背面侧向缓冲层照射激光光线来剥离外延基板，将光器件层转移到移设基板。专利文献1:日本特开平10-305420号公报专利文献2 :日本特表2005-516415号公报然而，由于缓冲层的厚度薄达I μ m左右，并且，与由η型半导体层和ρ型半导体层构成的光器件层同样由氮化镓形成，因此，存在着照射激光光线很难可靠地仅仅破坏缓冲层的问题。
发明内容
本发明鉴于所述问题而完成的，其目的在于提供一种具有等离子检测构件的激光加工装置，其适合于通过从外延基板的背面侧向缓冲层照射激光光线来从光器件层剥离蓝
宝石基板。根据本发明，提供一种激光加工装置，其为从在蓝宝石基板的表面隔着缓冲层层叠光器件层而成的光器件晶片剥离蓝宝石基板的激光加工装置，其特征在于，所述激光加工装置具有卡盘工作台，所述卡盘工作台用于保持光器件晶片；激光光线照射构件，所述激光光线照射构件用于向由所述卡盘工作台保持的光器件晶片照射脉冲激光光线来破坏所述缓冲层；等离子检测构件，所述等离子检测构件用于对因从所述激光光线照射构件向光器件晶片照射激光光线而在所述缓冲层产生的等离子光的光强度进行检测；以及显示构件，所述显示构件用于显示由所述等离子检测构件检测出的等离子光的光强度，所述等离子检测构件用于检测所述等离子光中的由形成所述缓冲层的物质产生的波长范围的等离子光的光强度。优选的是，所述等离子检测构件包括分色镜，所述分色镜用于使所述激光光线照射构件照射的激光光线通过，并反射由所述缓冲层产生的等离子光；带通滤波器，所述带通滤波器用于使由所述分色镜反 射的等离子光中的由形成所述缓冲层的物质产生的波长范围的等离子光通过；以及光检测器，所述光检测器用于检测通过所述带通滤波器的等离子光的光强度，所述光检测器的检测结果被显示在所述显示构件。由于本发明的激光加工装置具有等离子检测构件，所述等离子检测构件用于检测向缓冲层照射激光光线时产生的等离子光的光强度，因此，能够根据在显示构件显示的信息来调整输出调整构件以设定只破坏缓冲层的适当的激光光线的能量。
图1是根据本发明构成的激光加工装置的立体图。图2是图1所示的激光加工装置所安装的激光光线照射构件和等离子检测构件的框体结构图。图3是表示图1所示的激光加工装置所安装的等离子检测构件的另一实施方式的框体结构图。图4的(a)和(b)是使用本发明所述的激光光线的输出设定方法的光器件晶片的立体图和将主要部分放大示出的剖视图。图5的(a)和(b)是将移设基板接合在图4的(a)和(b)所示的光器件晶片的光器件层的表面的移设基板接合工序的说明图。图6是表示将与光器件晶片接合在一起的移设基板侧粘贴在安装于环状框架的切割带的表面的状态的立体图。图7是本发明所述的激光光线的输出设定方法中的激光光线照射工序的说明图。图8是本发明所述的激光光线的输出设定方法中的等离子光强度显示工序的说明图。图9的(a)、(b)和(C)是从外延基板的背面侧向缓冲层照射激光光线的剥离用激光光线照射工序的说明图。图10是从光器件层剥离外延基板的外延基板剥离工序的说明图。标号说明1:激光加工装置；3 :卡盘工作台机构；36 :卡盘工作台；37 :加工进给构件；38 :第I分度进给构件；4 :激光光线照射单元支承机构；43 :第2分度进给构件；5 :激光光线照射单元；53 :聚焦点位置调整构件；6:激光光线照射构件；62 :脉冲激光光线振荡构件；63 :输出调整构件；64 :聚光器；7 :控制构件；
70 :显示构件；71 :输入构件；8 :等离子检测构件；81 :分色镜；82 :带通滤波器；83:光检测器；9 :校准构件；10 :光器件晶片；11:外延基板；12 :光器件层；13 :缓冲层；15 :移设基板；F :环状框架；T :切割带。
具体实施例方式下面，对本发明所述的激光光线的输出设定方法和激光加工装置的优选的实施方式，参照附图详细进行说明。在图1中，表示了用于实施本发明所述的激光光线的输出设定方法的激光加工装置的立体图。图1所示的激光加工装置I具有静止底座2 ;卡盘工作台机构3，其以能够沿箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)移动的方式配设在所述静止底座2，用于保持被加工物；激光光线照射单元支承机构4，其以能够沿与上述X轴方向正交的箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设在静止底座2 ；以及激光光线照射单元5，其以能够沿箭头Z所示的聚焦点位置调整方向(Z轴方向)移动的方式配设在所述激光光线照射单元支承机构4。上述卡盘工作台机构3具有一对导轨31、31，其沿X轴方向平行地配设在静止底座2上；第I滑块32，其以能够沿X轴方向移动的方式配设在所述导轨31、31上；第2滑块33，其以能够沿箭头Y所示的分度进给方向移动的方式配设在所述第I滑块32上；罩盖工作台35，其被圆筒部件34支承在所述第2滑块33上；以及卡盘工作台36，其作为被加工物的保持构件。该卡盘工作台36具有由多孔性材料形成的吸附卡盘361，该卡盘工作台36形成为通过未图示的抽吸构件将作为被加工物的例如圆盘状的半导体晶片保持在吸附卡盘361的上表面(保持面)。这样构成的卡盘工作台36借助配设在圆筒部件34内的未图示的脉冲马达而转动。另外，在卡盘工作台36配设有用于固定后述的环状框架的夹紧器362。上述第I滑块32在下表面设置有一对被引导槽321、321，所述一对被引导槽321、321与上述一对导轨31、31嵌合，并且，上述第I滑块32在上表面设置有沿Y轴方向平行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第I滑块32通过使被引导槽321、321与一对导轨31,31嵌合从而构成为能够沿着一对导轨31、31沿X轴方向移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有加工进给构件37，所述加工进给构件37用于使第I滑块32沿着一对导轨31、31在X轴方向移动。加工进给构件37包括外螺纹杆371，其平行地配设在上述一对导轨31、31之间；以及脉冲马达372等驱动源，其用于旋转驱动所述外螺纹杆371。外螺纹杆371的一端以转动自如的方式由固定于上述静止底座2的轴承块373支承，外螺纹杆371的另一端与上述脉冲马达372的输出轴传动连接。另外，外螺纹杆371与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合，所述内螺纹块突出设置在第I滑块32的中央部下表面。从而，通过由脉冲马达372正转和反转驱动外螺纹杆371，使第I滑块32沿着导轨31、31在X轴方向移动。上述第2滑块33在下表面设置有一对被引导槽331、331，所述一对被引导槽331、331与设置在上述第I滑块32的上表面的一对导轨322、322嵌合，通过使所述被引导槽331,331与一对导轨322、322嵌合，从而所述第2滑块33构成为能够沿箭头Y所示的分度进给方向移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有第I分度进给构件38，所述第I分度进给构件38用于使第2滑块33沿着设置在第I滑块32的一对导轨322、322在Y轴方向移动。第I分度进给构件38具有外螺纹杆381，其平行地配设在上述一对导轨322与322之间；和脉冲马达382等驱动源，其用于旋转驱动所述外螺纹杆381。外螺纹杆381的一端以转动自如的方式由固定于上述第I滑块32的上表面的轴承块383支承，所述外螺纹杆381的另一端与上述脉冲马达382的输出轴传动连接。另外，外螺纹杆381与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合，所述内螺纹块突出设置在第2滑块33的中央部的下表面。从而，通过由脉冲马达382正转和反转驱动外螺纹杆381，使第2滑块33沿着导轨322、322，沿Y轴方向移动。上述激光光线照射单元支承机构4具有一对导轨41、41，其沿箭头Y所示的分度进给方向平行地配设在静止底座2上；和可动支承底座42，其被配设成能够在所述导轨41、41上沿Y轴方向移动。所述可动支承底座42由以能够移动的方式配设在导轨41、41上的移动支承部421、以及安装在所述移动支承部421的安装部422构成。安装部422在一个侧面平行地设置有沿Z轴方向延伸的一对导轨423、423。图示的实施方式中的激光光线照射单元支承机构4具有第2分度进给构件43，所述第2分度进给构件43用于使可动支承底座42沿着一对导轨41、41在Y轴方向移动。第2分度进给构件43具有外螺纹杆431，其平行地配设在上述一对导轨41、41之间；和脉冲马达432等驱动源，其用于旋转驱动所述外螺纹杆431。外螺纹杆431的一端以转动自如的方式由固定于上述静止底座2的未图不的轴承块支承，所述外螺纹杆431的另一端与上述脉冲马达432的输出轴传动连接。另外，外螺纹杆431与形成于未图示的内螺纹块的内螺纹孔螺合，所述内螺纹块突出设置在构成可动支承底座42的移动支承部421的中央部下表面。因此，通过由脉冲马达432正转和反转驱动外螺纹杆431，使可动支承底座42沿着导轨41、41在Y轴方向移动。激光光线照射单元5具有单元保持器51和激光光线照射构件6，所述激光光线照射构件6安装在所述单元保持器51。单元保持器51设置有一对被引导槽511、511，所述一对被引导槽511、511与设置在上述安装部422的一对导轨423、423以能够滑动的方式嵌合，通过使所述被引导槽511、511与上述导轨423、423嵌合，从而将单元保持器51支承为能够沿Z轴方向移动。激光光线照射单元5具有聚焦点位置调整构件53，所述聚焦点位置调整构件53用于使单元保持器51沿着一对导轨423、423在Z轴方向移动。聚焦点位置调整构件53具有外螺纹杆(未图示)，其配设在一对导轨423与423之间；和脉冲马达532等驱动源，其用于旋转驱动所述外螺纹杆。通过由脉冲马达532正转和反转驱动未图示的外螺纹杆，使单元保持器51和激光光线照射构件6沿着导轨423、423在Z轴方向移动。另外，在图示的实施方式中，通过正转驱动脉冲马达532，使激光光线照射构件6向上方移动，通过反转驱动脉冲马达532，使激光光线照射构件6向下方移动。激光光线照射构件6具有圆筒形状的箱体61，所述圆筒形状的箱体61被固定在上述单元保持器51并基本水平地延伸。关于该激光光线照射构件6，参照图2进行说明。图不的激光光线照射构件6具有脉冲激光光线振荡构件62,其配设在上述箱体61内；输出调整构件63，其用于调整由所述脉冲激光光线振荡构件62振荡发出的脉冲激光光线的输出；和聚光器64，其用于将由所述输出调整构件63调整输出后的脉冲激光光线照射到在上述卡盘工作台36的保持面保持的被加工物W。上述脉冲激光光线振荡构件62由下述部件构成脉冲激光振荡器621,其用于振荡发出例如波长为257nm的脉冲激光光线；重复频率设定构件622，其用于设定脉冲激光振荡器621振荡发出的脉冲激光光线的重复频率；以及脉冲宽度调整构件623，其用于调整由脉冲激光振荡器621振荡发出的脉冲激光光线的脉冲宽度。上述输出调整构件63将由脉冲激光光线振荡构件62振荡发出的脉冲激光光线的输出调整为预定的输出。上述脉冲激光光线振荡构件62的脉冲激光振荡器621、重复频率设定构件622、脉冲宽度调整构件623和输出调整构件63由控制构件7控制。上述聚光器64具有方向变换反射镜641,其将由脉冲激光光线振荡构件62振荡发出并由输出调整构件63调整输出后的脉冲激光光线朝向卡盘工作台36的保持面进行方向变换；和聚光透镜642，其使由所述方向变换反射镜641进行方向变换后的脉冲激光光线聚光并向由卡盘工作台36保持的被加工物W照射。这样构成的聚光器64如图1所示地安装在箱体61的末端。参照图2继续说明，激光加工装置I具有等离子检测构件8，所述等离子检测构件8用于检测等离子的光强度，所述等离子是由脉冲激光光线振荡构件62振荡发出并由输出调整构件63调整输出后的脉冲激光光线照射到由卡盘工作台36保持的被加工物W而产生的等离子。所述等离子检测构件8具有分色镜81，其配设在上述方向变换反射镜641与聚光透镜642之间，用于对由脉冲激光光线照射到由卡盘工作台36保持的被加工物W而产生的等离子进行反射；带通滤波器82，其用于使由所述分色镜81反射的等离子中的预定波长范围(在图示的实施方式中，400 420nm)的光通过；和光检测器83，其接收通过所述带通滤波器82的等离子光。上述分色镜81使由脉冲激光光线振荡构件62振荡发出并由方向变换反射镜641进行方向变换的波长为257nm的脉冲激光光线通过，但使由脉冲激光光线照射到由卡盘工作台36保持的被加工物W而产生等离子朝向带通滤波器82反射。上述带通滤波器82使相对于镓(Ga)的等离子波长，即410nm在土 IOnm的范围(400 420nm)的波长的光通过，并屏蔽其他波长的光。上述光检测器83接收从带通滤波器82通过的等离子，并将受光信号作为光强度信号发送到控制构件7。控制构件7将从光检测器83发送的400 420nm的波长范围中的等离子的光强度输出到显示构件70。另外，从输入构件71向控制构件7输入加工条件等。接着，关于等离子检测构件8的其他实施方式，参照图3进行说明。
图3所示的等离子检测构件8构成为从激光光线照射构件6的聚光器64照射的激光光线照射到由卡盘工作台36保持的被加工物W而产生等离子，所述等离子由与聚光器64相邻配设的等离子接收构件85接收，并通过上述带通滤波器82被导入光检测器83。返回图1继续说明，激光加工装置I具有校准构件9，所述校准构件9配设在箱体61的前端部，用于对应当由上述激光光线照射构件6进行激光加工的加工区域进行摄像。所述校准构件9由显微镜或CCD摄像机等光学构件构成，并且将摄像得到的图像信号发送到控制构件7。激光加工装置I如以上那样构成，下面，对其作用进行说明。图4的(a)和(b)表示了由上述激光加工装置I加工的光器件晶片的立体图和主要部分放大剖视图。图4的(a)和(b)中所示的光器件晶片10在由直径50mm、厚度600 μ m的圆板形状的蓝宝石基板构成的外延基板11的表面Ila通过外延生长法形成由η型氮化镓半导体层121和P型氮化镓半导体层122构成的光器件层12。另外，当在外延基板11的表面通过外延生长法层叠由η型氮化镓半导体层121和P型氮化镓半导体层122构成的光器件层12时，在外延基板11的表面Ila与形成光器件层12的η型氮化镓半导体层121之间形成由氮化镓(GaN)构成的厚度例如为I μ m的缓冲层13。这样构成的光器件晶片10，在图示的实施方式中，光器件层12的厚度例如形成为ΙΟμπι。另外，光器件层12在如图4的(a)所示地由呈格子状地形成的多条间隔 道123划分出的多个区域形成光器件124。如上所述，为了将光器件晶片10中的外延基板11从光器件层12剥离并将光器件层12转移到移设基板，实施移设基板接合工序，在该移设基板接合工序中，将移设基板接合在光器件层12的表面12a。亦即，如图5的(a)和(b)所不，将由厚度Imm的铜基板构成的移设基板15隔着由锡构成的接合金属层16接合到构成光器件晶片10的形成在外延基板11的表面Ila的光器件层12的表面12a。另外，作为移设基板15，可以使用钥(Mo)、硅(Si)等，而且，作为形成接合金属层16的接合金属，可使用金(Au)、钼(Pt)、铬(Cr)、铟(In)、钯(Pd)等。所述移设基板接合工序为，在形成于外延基板11的表面Ila的光器件层12的表面12a或移设基板15的表面15a蒸镀上述接合金属而形成厚度为3 μ m左右的接合金属层16,通过使所述接合金属层16与移设基板15的表面15a或光器件层12的表面12a面对并压接，能够隔着接合金属层16将移设基板15的表面15a接合到构成光器件晶片10的光器件层12的表面12a。接着，对在通过使用上述激光加工装置I从上述外延基板11的背面侧对缓冲层13照射激光光线而剥离外延基板11时，设定激光光线的输出的方法进行说明。为了实施设定上述激光光线的输出的方法，首先，如图6所示，将接合在光器件晶片10的移设基板15侧粘贴到安装于环状框架F的切割带T的表面(光器件晶片支承工序)。从而，与粘贴在切割带T的表面的移设基板15接合着的光器件晶片10的外延基板11的背面Ilb成为上侧。在实施上述晶片支承工序之后，将粘贴着移设基板15的切割带T侧放置在图1所示的激光加工装置I的卡盘工作台36上，所述移设基板15接合在构成上述光器件晶片10的外延基板11，并使未图示的抽吸构件动作以隔着切割带T将光器件晶片10抽吸保持在卡盘工作台36上(晶片保持工序)。从而，被保持在卡盘工作台36上的光器件晶片10的外延基板11的背面Ilb成为上侧。接着，通过配设在卡盘工作台36的夹紧器362将安装有切割带T的环状框架F固定起来。在实施上述晶片保持工序之后，使加工进给构件37动作，将卡盘工作台36移动到激光光线照射构件6的聚光器64所处的激光光线照射区域，将光器件晶片10的没有形成光器件124的外周部(外周剩余区域)定位在聚光器64的正下方。接着，实施激光光线照射工序，从外延基板11的背面Ilb (上表面)侧将波长(257nm)相对于蓝宝石具有透过性且相对于氮化镓(GaN)具有吸收性的激光光线一边变更输出一边照射到缓冲层13。在所述激光光线照射工序中，将脉冲激光光线的平均输出设定为例如O. 09W、0. 10W、0. 11W、0. 12W、O. 13W、0. 14W，并如图7所示地依次进行照射。另外，在图示的实施方式中，在激光光线照射工序中照射的脉冲激光光线的重复频率设定为50kHz，脉冲宽度设定为lOOps。而且，在激光光线照射工序中，从聚光器64照射的脉冲激光光线在缓冲层13的上表面处的光斑直径被设定为70 μ m。该光斑直径既可以是聚焦光斑直径，也可以是散焦得到的光斑直径。当实施上述激光光线照射工序时，控制构件7使等离子检测构件8动作。从而，通过脉冲激光光线照射到缓冲层13而产生的等离子通过聚光透镜642、分色镜81和带通滤波器82而使波长400 420nm的光被光检测器83接收。接着，光检测器83将接收到的光强度信号作为电压信号发送到控制构件7。控制构件7根据来自光检测器83的光强度信号(电压信号)而与照射到缓冲层13的脉冲激光光线的输出对应地分别将等离子的光强度如图8所示地输出到显示构件70 (等离子光强度显示工序)。通过实施上述等离子光强度显示工序，根据显示构件70显示的与照射到缓冲层13的脉冲激光光线的输出对应的等离子的光强度，操作员验证光强度和缓冲层的破坏的状态并设定可靠地只分解缓冲层13的适当输出，例如设定为O. 12W (输出设定工序)。接着，操作员通过输入构件71输入激光光线的适当输出(图示的实施方式中为O. 12W)。将这样输入的激光光线的适当输出临时存储在控制构件7内设的存储器中，在后述的剥离用激光光线照射工序中调整输出。而且，操作员通过输入构件71输入在照射激光光线的适当输出(图示的实施方式中为O. 12W)时的等离子的光强度(图示的实施方式中为O. 38V)，并将其存储到控制构件7的存储器中。从而，对在以后加工的同种的光器件晶片，控制构件7就可以将检测为存储在存储器中的 等离子的光强度(图示的实施方式中为O. 38V)的激光光线的输出设定为适当输出。如上所述，如果已设定照射到缓冲层13的脉冲激光光线的适当输出(图示的实施方式中为O. 12W)，则实施剥离用激光光线照射工序，与上述激光光线照射工序相同，从上述外延基板11的背面Ilb(上表面)侧将波长相对于蓝宝石具有透过性且相对于氮化镓(GaN)具有吸收性的激光光线以平均输出设定为上述适当输出(在图示的实施方式中为O. 12W)的方式照射到缓冲层13，从而分解(破坏)缓冲层13。该剥离用激光光线照射工序为，如图9的(a)所示，将卡盘工作台36移动到激光光线照射构件6的聚光器64所处的激光光线照射区域，将一端(在图9的(a)中为左端)定位在激光光线照射构件6的聚光器64的正下方。接着，将从聚光器64照射的脉冲激光光线在缓冲层13的上表面处的光斑S的光斑直径设定为70 μ m。该光斑直径既可以是与上述激光光线照射工序相同的聚焦光斑直径，也可以是散焦形成的光斑直径。接着，控制构件7使脉冲激光光线振荡构件62动作，并且控制输出调整构件63，将由脉冲激光光线振荡构件62振荡发出的脉冲激光光线的平均输出调整为O. 12W，一边从聚光器64照射脉冲激光光线，一边使卡盘工作台36按预定的加工进给速度沿图9的(a)中箭头Xl所示方向移动。接着，如图9的(c)所示，当外延基板11的另一端(图9的(c)中的右端)到达激光光线照射构件6的聚光器64的照射位置时，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台36的移动(剥离用激光光线照射工序)。在与缓冲层13的整个面对应的区域实施该剥离用激光光线照射工序。其结果是，缓冲层13被分解，由缓冲层13实现的外延基板11与光器件层12的结合功能随之丧失。上述剥离用激光光线照射工序中的加工条件，例如如下设定。光源YAG脉冲激光器波长257nm平均输出0. 12W重复频率50kHz脉冲宽度IOOps光斑直径φ70μπ 加工进给速度600mm/秒 在实施上述剥离用激光光线照射工序后，实施外延基板剥离工序，将外延基板11从光器件层12剥离开来。亦即，由于将外延基板11与光器件层12结合起来的缓冲层13通过实施剥离用激光光线照射工序而丧失了结合功能，因此，如图10所示，外延基板11能够容易地从光器件层12剥离开来(外延基板剥离工序)。这样，通过将构成光器件晶片10的外延基板11剥离开来，层叠在 外延基板11表面的光器件层12顺利地转移到移设基板15。
权利要求
1.一种激光加工装置，所述激光加工装置用于从在蓝宝石基板的表面隔着缓冲层层叠光器件层而成的光器件晶片剥离蓝宝石基板，所述激光加工装置的特征在于， 所述激光加工装置具有 卡盘工作台，所述卡盘工作台用于保持光器件晶片； 激光光线照射构件，所述激光光线照射构件用于向由所述卡盘工作台保持的光器件晶片照射脉冲激光光线来破坏所述缓冲层； 等离子检测构件，所述等离子检测构件用于对因从所述激光光线照射构件向光器件晶片照射激光光线而在所述缓冲层产生的等离子光的光强度进行检测；以及 显示构件，所述显示构件用于显示由所述等离子检测构件检测出的等离子光的光强度， 所述等离子检测构件用于检测所述等离子光中的由形成所述缓冲层的物质产生的波长范围的等离子光的光强度。
2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中， 所述等离子检测构件包括分色镜，所述分色镜用于使所述激光光线照射构件照射的激光光线通过，并反射由所述缓冲层产生的等离子光；带通滤波器，所述带通滤波器用于使由所述分色镜反射的等离子光中的由形成所述缓冲层的物质产生的波长范围的等离子光通过；以及光检测器，所述光检测器用于检测通过所述带通滤波器的等离子光的光强度， 所述光检测器的检测结果被显示在所述显示构件。
全文摘要
本发明提供一种具有等离子检测构件的激光加工装置，其适合于通过从外延基板的背面侧向缓冲层照射激光光线来从光器件层剥离蓝宝石基板。所述激光加工装置用于从在蓝宝石基板的表面隔着缓冲层层叠光器件层而成的光器件晶片剥离蓝宝石基板，其具有卡盘工作台，其保持光器件晶片；激光光线照射构件，其用于向所述光器件晶片照射脉冲激光光线来破坏所述缓冲层；等离子检测构件，其用于对因从所述激光光线照射构件向光器件晶片照射激光光线而在所述缓冲层产生的等离子光的光强度进行检测；以及显示构件，其用于显示所述等离子光的光强度，所述等离子检测构件用于检测所述等离子光中的由形成所述缓冲层的物质产生的波长范围的等离子光的光强度。
文档编号B23K26/42GK103056526SQ20121038983
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月15日 优先权日2011年10月18日
发明者森数洋司, 西野曜子 申请人:株式会社迪思科