经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板，它由普通铣加工垫板改造而成，具有凹槽结构，该凹槽结构使经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的中部鼓起的部分悬空，而与铣加工垫板接触的部分相对比较平整。通过采用上述结构，解决了现有技术中经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料在进行表面铣加工时，因为与铣加工垫板的接触面不平整导致铣加工需要多次翻面，加工余量较大从而导致原材料的大量浪费等问题，降低了产品成本，提高了生产效率，在经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工领域中，可以得到广泛的运用。
【专利说明】经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及铣加工【技术领域】，尤其涉及一种经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板。
【背景技术】
[0002]现有技术中，经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料，在制备过程中，由于Cu液容易在中部聚集，导致冷却后W-Cu合金材料中部鼓起，而其他部分则相对比较平整。在对经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料表面进行铣加工时，使用普通的铣加工垫板，W-Cu合金材料中部鼓起，导致与铣加工垫板的接触面不平整，铣加工需要多次翻面，造成了大量的边角浪费，加工时间也大大延长，以加工100*50*8mm的W_15Cu材料为例，使用常规垫板，进行铣加工时翻面加工次数需要10次以上才能达到理想效果，单面铣加工量一般在2mm左右，整个毛坯质量费料约0.36kg，按现有市场价格1000元/kg计算，则损失利润360元。因此，使用常规垫板来加工W-Cu材料造成了极大的材料浪费,增加了制备成本,降低了生产效率。
实用新型内容
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本实用新型要解决的技术问题就是如何避免经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料在进行铣加工时，W-Cu合金材料中部鼓起，导致与铣加工垫板的接触面不平整，需要对W-Cu合金材料材料进行多次翻面操作，造成了大量的边角浪费，加工时间也大大延长的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板，其特征在于，所述铣加工垫板具有凹槽结构，该凹槽结构能够使得经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的中部鼓起的区域悬空。也即是按照材料的尺寸确定凹槽的尺寸。
[0007]优选地，所述凹槽为方形。
[0008](三)有益效果
[0009]本实用新型的一种经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板，采用凹槽结构，使得经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料鼓起的区域悬空，从而使得-Cu合金材料与铣加工垫板接触部位相对较平整，翻面加工次数少，单面铣加工量减小，大大降低了了材料的浪费及产品加工时间，降低了制备成本，提高了生产效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本实用新型经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板的主视示意图；
[0012]图2为本实用新型经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板的俯视示意图；
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和实施例对本实用新型的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不能用来限制本实用新型的范围。
[0014]如图1、图2中所示，本实用新型经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板是由常规的铣加工垫板改造而成。首先按照材料的尺寸确定凹槽的尺寸，以100*50*8mm的W-15CU合金材料为例，先用铣刀将常规垫板加工出80*40*3mm的凹槽即得新型的铣加工垫板。使用此种垫板加工W-15CU合金材料，尺寸为100*50*8mm的毛坯，经过3_4次翻面加工后即可达到工艺要求，单面仅需铣加工不到1_，大大降低了了材料的浪费及产品加工时间降低了制备成本，提高了生产效率。
[0015]以上实施方式仅用于说明本实用新型，而非对本实用新型的限制。尽管参照实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本实用新型的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【权利要求】
1.一种经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板，其特征在于，所述铣加工垫板具有凹槽结构，该凹槽结构使得经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的中部鼓起的区域悬空。
2.根据权利要求1所述的经熔渗工艺制备的W-Cu合金材料的铣加工垫板，其特征在于，所述凹槽为方形。
【文档编号】B23C9/00GK204018824SQ201420138056
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年3月25日 优先权日:2014年3月25日
【发明者】陈锦文 申请人:长沙升华微电子材料有限公司