一种吸附式激光打孔平台的制作方法

本发明涉及一种吸附式激光打孔平台，属于激光加工。

背景技术：

1、目前，激光打孔的平台是带有负压吸附孔的平面吸附平台。在激光打孔过程中，生瓷被激光蚀刻并气化，热量在孔内堆积，仅能通过向上即激光入射面喷溅排出，大量的生瓷碎屑及pet熔融物落在通孔内部及生瓷表面无法清除，影响后续工艺。等离子体会阻碍激光对材料的进一步蚀刻，导致通孔出口孔径变小，锥度变差。并且部分被蚀刻的材料碎屑会在通孔出口处堆积，在激光的热影响下形成重铸层，影响通孔出口的质量。

2、业内对于这种存在的问题，往往通过降低激光的功率从而降低热影响，但是也带来加工效率低问题。

技术实现思路

1、为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种吸附式激光打孔平台，解决了现有技术中平面吸附平台在材料打孔时易产生重铸层、锥度大的问题。

2、为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：

3、一种吸附式激光打孔平台，包括第一平板和第二平板；

4、第一平板正面设有第一凹槽，第一凹槽的底面设有将第一凹槽分割成多个独立凹槽的结构梁，结构梁顶面设有第一吸附孔，第一平板的正面还设有第二吸附孔，结构梁的顶面与第一平板的正面平齐；

5、第二平板正面设有第二凹槽，第二凹槽底面四周设有向内延伸的延伸部，第一平板位于第二凹槽的延伸部上，第一平板的正面与第二平板的正面平齐。

6、进一步地，前述第二平板的正面设有第三吸附孔。

7、进一步地，前述延伸部上设有贯穿的通孔，第一平板的背面的边缘位置设有与通孔相适配的螺纹孔。

8、进一步地，前述第二平板的侧面上设有多个供气孔，第二平板内部设有气道，供气孔通过气道连通第三吸附孔。

9、进一步地，前述第一吸附孔和第二吸附孔均为通孔。

10、进一步地，前述第一平板与第二凹槽之间形成空腔，第二平板设有空腔气孔，空腔气孔通过空腔连通第一吸附孔和第二吸附孔。

11、进一步地，前述第一平板的对角还设有第一定位孔，延伸部设有与第一定位孔相适配的第二定位孔。

12、进一步地，每个独立凹槽周边的结构梁之间具有空隙，结构梁首尾互不相连

13、本发明所达到的有益效果：

14、1、第一凹槽可以使材料加工区域处于悬空状态，避免出口出现重铸层及入射面表面脏污，提高了激光加工通孔的整洁度和锥度。

15、2、第一凹槽的四周设计吸附孔，结构梁和各吸附表面平齐，保证加工中材料的平整度。

16、3、由于熔融物被及时清理，不需要降低激光功率，使用更高的激光功率进一步提高了激光加工效率。

17、4、内外结构分开的设计，可以兼容不同加工产品的需求。

18、5、结构梁围成的独立凹槽尺寸形状可变，满足不同太小材质的加工要求。

技术特征：

1.一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，包括第一平板和第二平板；

2.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述第二平板（2）的正面设有第三吸附孔（23）。

3.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述延伸部（22）上设有贯穿的通孔（26），所述第一平板的（1）背面的边缘位置设有与所述通孔（26）相适配的螺纹孔（17）。

4.根据权利要求2所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述第二平板（2）的侧面上设有多个供气孔（27），所述第二平板（2）内部设有气道（28），所述供气孔（27）通过气道（28）连通第三吸附孔（23）。

5.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述第一吸附孔（12）和第二吸附孔（15）均为通孔。

6.根据权利要求5所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述第一平板（1）与所述第二凹槽（21）之间形成空腔（16），所述第二平板（2）设有空腔气孔（24），所述空腔气孔（24）通过空腔（16）连通所述第一吸附孔（12）和第二吸附孔（15）。

7.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述第一平板（1）的对角还设有第一定位孔（13），所述延伸部（22）设有与所述第一定位孔（13）相适配的第二定位孔（25）。

8.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，每个所述独立凹槽周边的结构梁（14）之间具有空隙，所述结构梁（14）首尾互不相连。

技术总结
本发明公开了一种吸附式激光打孔平台，包括第一平板和第二平板，第一平板正面设有若干阵列排布的第一凹槽，第一凹槽四周的结构梁顶面还设有第一吸附孔，第一凹槽外围还设有第二吸附孔，第二平板内部为阶梯构造，包括第一凹槽和延伸部，第一平板位于延伸部上；第二平板的顶面四周设有用于吸附材料的第三吸附孔，第二平板的侧壁上设有多个供气孔，第二平板上半部设有气道，供气孔通过气道连通第三吸附孔，形成外部气路；第二平板下半部还设有贯穿的空腔气孔，空腔气孔通过空腔连通第一吸附孔和第二吸附孔，形成内部气路。

技术研发人员：于海超,夏鹤天
受保护的技术使用者：强一半导体（苏州）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14