单晶硅基板的制造方法与流程

本发明涉及单晶硅基板的制造方法，从由单晶硅构成的被加工物制造基板，该单晶硅按照晶面{100}所包含的特定的晶面在正面和背面上分别露出的方式制造。

背景技术：

1、半导体器件的芯片通常使用圆盘状的单晶硅基板(以下也简称为“基板”)而制造。该基板例如是利用线切割机从由圆柱状的单晶硅构成的锭(以下也简称为“锭”)切出的(例如参照专利文献1)。

2、但是，使用线切割机从锭切出基板时的切削余量为300μm左右，比较大。另外，在这样切出的基板的正面上形成有微细的凹凸，并且该基板整体上弯曲(在基板上产生翘曲)。因此，在该基板中，需要对其正面实施研磨、蚀刻和/或抛光而使正面平坦化。

3、在该情况下，最终作为基板利用的单晶硅的原材料量为锭整体的原材料量的2/3左右。即，锭整体的原材料量的1/3左右在从锭切出基板和基板的平坦化时被废弃。因此，在这样使用线切割机而制造基板的情况下，生产率降低。

4、鉴于这一点，提出了如下的方法：在利用透过单晶硅的波长的激光束而在锭的内部形成包含改质部和从改质部伸展的裂纹的剥离层之后，以该剥离层为起点而从锭分离基板(例如，参照专利文献2)。由此，与使用线切割机从锭制造基板的情况相比，能够提高基板的生产率。

5、专利文献1：日本特开平9-262826号公报

6、专利文献2：日本特开2022-25566号公报

7、在上述的方法中，通过交替地重复进行对分别沿着规定的方向延伸的多个区域中的任意区域的激光束的照射和被照射激光束的区域的变更，形成包含从锭的正面起位于规定的深度的多个改质部和从多个改质部分别伸展的裂纹的剥离层。

8、在该情况下，从锭制造基板所需的时间变长、即生产率有可能降低。

技术实现思路

1、鉴于这一点，本发明的目的在于，提供能够提高生产率的单晶硅基板的制造方法。

2、根据本发明，提供一种单晶硅基板的制造方法，从由单晶硅构成的被加工物制造基板，该单晶硅按照晶面{100}所包含的特定的晶面在正面和背面上分别露出的方式制造，其中，该单晶硅基板的制造方法具有如下的步骤：剥离层形成步骤，在该被加工物所包含的多个区域中分别形成包含多个改质部和从该多个改质部分别伸展的裂纹的剥离层；以及分离步骤，在实施了该剥离层形成步骤之后，以该剥离层为起点而从该被加工物分离该基板，该多个区域分别沿着第一方向延伸，该第一方向是与该特定的晶面平行且与晶体取向＜100＞所包含的特定的晶体取向所成的角为5°以下的方向，该多个区域在第二方向上按照规定的中心间隔设置，该第二方向是与该特定的晶面平行且与该第一方向垂直的方向，该规定的中心间隔为100μm以上且1mm以下，该剥离层形成步骤通过交替地重复进行如下的步骤来实施：激光束照射步骤，在将按照使透过该单晶硅的波长的激光束分别会聚且沿着该第二方向排列的方式形成的多个聚光点从该被加工物的该正面定位于规定的深度且定位于该多个区域中的至少两个区域各自的内部的状态下，使该被加工物和该多个聚光点沿着该第一方向相对地移动；以及分度进给步骤，将形成有该多个聚光点的位置从该至少两个区域各自的内部变更为该多个区域中的与该至少两个区域不同的其他至少两个区域各自的内部。

3、优选的是，在该至少两个区域各自的内部形成的该多个聚光点中的相邻的一对聚光点的间隔比该规定的中心间隔小。

4、在本发明中，通过交替地重复进行激光束向分别沿着规定的方向延伸的多个区域所包含的至少两个区域的照射和被照射激光束的至少两个区域的变更，形成从被加工物的正面起位于规定的深度的多个改质部和从多个改质部分别伸展的裂纹的剥离层。

5、即，在本发明中，针对至少两个区域同时进行用于在被加工物上形成剥离层的激光束的照射。由此，在本发明中，与针对多个区域分别依次进行激光束的照射的情况相比，能够提高生产率。

技术特征：

1.一种单晶硅基板的制造方法，从由单晶硅构成的被加工物制造基板，该单晶硅是按照晶面{100}所包含的特定的晶面在正面和背面上分别露出的方式而制造的，其中，

2.根据权利要求1所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

技术总结
本发明提供单晶硅基板的制造方法，能够提高生产率。通过交替地重复进行激光束向分别沿着规定的方向延伸的多个区域所包含的至少两个区域的照射和被照射激光束的区域的变更，形成从被加工物的正面起位于规定的深度的多个改质部和从多个改质部分别伸展的裂纹的剥离层。即，针对至少两个区域同时进行用于在被加工物上形成剥离层的激光束的照射。由此，与针对多个区域分别依次进行激光束的照射的情况相比，能够提高生产率。

技术研发人员：伊贺勇人
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15