本发明涉及金属管靶领域，具体的说是一种银合金管靶的制造方法。
背景技术：
1、金属银具有高导电性、对可见光高反射率、良好的化学稳定性等特点，可应用于amoled显示面板作为反射阳极层。但是纯银做为膜层时存在ag离子迁移和耐蚀性差等不足，使用纯银材料时会导致amoled器件性能衰减速率较快。为了改善纯ag膜层的不足需要开发符合要求的银合金材料。而银合金靶材是制作银合金膜层的关键材料，使用磁控溅射工艺来制备合适厚度的银合金金属膜层。
2、目前广泛使用的银合金靶材以平面靶为主，但是平面靶磁控溅射设备磁场分布不均匀，在溅射过程中靶材的各个区域溅射速率不一样，从而导致平面靶的材料使用率偏低，平均使用率不足35%，而且银合金材料价格昂贵，导致银合金靶材的实际使用成本居高不下。相比之下，管状靶在溅射过程中匀速旋转，靶材表面被均匀溅射，因此材料的实际使用率可以达到80%以上，相比平面靶具有明显的优势。
3、目前已经报道的银管靶或者银合金管靶的制备方法主要有铸造法、喷涂法等，但是这些方法制备的银管靶密度偏低，而且晶粒尺寸难以控制，难以满足高端amoled显示技术的使用需求。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中的不足，本发明提供一种银合金管靶的制造方法，该工艺步骤简单，生产效率高，制备的银合金管靶材纯度、相对密度、晶粒度均满足amoled显示的使用需求。
2、为了实现上述目的，本发明采用的具体方案为：
3、一种银合金管靶的制造方法，主要包括如下步骤：
4、步骤一、将90份银锭和10份低熔点纯金属锭置于感应熔炼炉中进行一次熔炼，得到银合金锭a；其中，低熔点纯金属锭为铟锭、锡锭或镓锭；
5、步骤二、按照（9~20）：1的质量比称取银锭和步骤一得到的银合金锭a，置于感应熔炼炉进行二次熔炼，得到银合金锭b；
6、步骤三、对步骤二得到的银合金锭b进行修型，然后热锻造成一定尺寸的圆柱形锭坯；
7、步骤四、对步骤三得到的圆柱形锭坯进行斜轧穿孔作业，得到银合金荒管；
8、步骤五、对步骤四得到的银合金荒管进行精轧整形、退火、校直作业，得到银合金管坯；
9、步骤六、对银合金管坯进行磨削机加工，即获得最终的银合金管靶。
10、进一步地，步骤一中，所述的银锭和低熔点纯金属锭的纯度均为4n。
11、进一步地，步骤一或步骤二中，感应熔炼所用的坩埚为石墨坩埚、氧化镁坩埚或者高纯刚玉坩埚，熔炼前将感应熔炼炉预抽真空至气压小于1pa，然后通氩气作为保护气氛。
12、进一步地，一次熔炼的温度为1100~1300℃。
13、进一步地，二次熔炼的温度为1100~1300℃。
14、进一步地，步骤三中，先将银合金锭b加热至400~800℃，之后用液压锻造机将银合金锭b模锻成外径为120mm~150mm的圆柱形锭坯，自然冷却。
15、进一步地，步骤四中，先将圆柱形锭坯加热至400~800℃后取出，然后在二辊斜轧曼氏穿孔设备上用穿孔顶头对圆柱形锭坯进行穿孔，即得到的银合金荒管；所述银合金荒管的外径为140mm~180mm，内径为110mm~150mm。
16、进一步地，所用的穿孔顶头材质为纯钼、tzm钼合金或者镍基高温合金。
17、进一步地，步骤五中，在轧管设备上于常温下进行精轧整形，精轧后银合金管坯的外径为130~170mm，内径为110~140mm。
18、进一步地，步骤五中，退火温度为400~800℃，保温时间为0.5-2h，之后在专用的管靶校直设备上进行校直。
19、有益效果：
20、1）、本发明通过低熔点纯金属（铟或锡或镓）的合金化，提升银合金靶材的使用性能，以解决纯银靶材长时间使用性能衰减的问题。由于低熔点纯金属与银金属的物理性质如熔点、密度等差异较大，导致常规的熔炼方法很难获得均匀的合金。本发明采用先一次熔炼合金化，再进行二次熔炼的方式，能够有效避免银合金组分难以均匀固溶的问题，制备的银合金管靶组分均匀性良好，能够满足高性能amoled显示器件的使用需求。
21、2）、本发明采用“锻造+斜轧穿孔+轧制”的成型方式，工艺步骤简单，可以直接从实心棒坯穿成合适厚度的管坯，生产得料率高。成型过程具有较大的变形量，制备的银合金管靶晶粒细小，密度高，相比现有技术中所用的铸造、喷涂等工艺，使用性能显著提升。
22、3）、相比于传统的挤压穿孔，本发明采用二辊曼氏斜轧穿孔成型，对心性好，管坯壁厚均匀，组织结构均匀，有利于提升银合金管靶的使用性能。同时生产效率显著提升，更便于大批量生产。
1.一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，步骤一中， 所述的银锭和低熔点纯金属锭的纯度均为4n。
3.根据权利要求1所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，步骤一或步骤二中，感应熔炼所用的坩埚为石墨坩埚、氧化镁坩埚或者高纯刚玉坩埚，熔炼前将感应熔炼炉预抽真空至气压小于1pa，然后通氩气作为保护气氛。
4.根据权利要求1所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，一次熔炼的温度为1100~1300℃。
5.根据权利要求1所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，二次熔炼的温度为1100~1300℃。
6.根据权利要求1所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，步骤三中，先将银合金锭b加热至400~800℃，之后用液压锻造机将银合金锭b模锻成外径为120mm~150mm的圆柱形锭坯，自然冷却。
7.根据权利要求6所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，步骤四中，先将圆柱形锭坯加热至400~800℃后取出，然后在二辊斜轧曼氏穿孔设备上用穿孔顶头对圆柱形锭坯进行穿孔，即得到的银合金荒管；所述银合金荒管的外径为140mm~180mm，内径为110mm~150mm。
8.根据权利要求7所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，所用的穿孔顶头材质为纯钼、tzm钼合金或者镍基高温合金。
9.根据权利要求7所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，步骤五中，在轧管设备上于常温下进行精轧整形，精轧后银合金管坯的外径为130~170mm，内径为110~140mm。
10.根据权利要求1所述的一种银合金管靶的制造方法，其特征在于，步骤五中，退火温度为400~800℃，保温时间为0.5-2h，之后在专用的管靶校直设备上进行校直。