专利名称：磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法
技术领域：
本发明涉及半导体设备制造技术领域，特别涉及一种磁控源、磁控溅射设备以及磁控溅射方法。
背景技术：
磁控溅射技术广泛地应用于集成电路、液晶显示器、薄膜太阳能及LED等领域。所谓溅射是指利用荷能粒子(例如氩离子)轰击固体表面，从而引起表面各种粒子，如原子、 分子或团束从该物体表面逸出的现象。如图1所示，为现有磁控溅射设备的示意图。该磁控溅射设备包括高真空工艺腔的腔体1、位于所述腔体1之内的用以承载晶片的静电卡盘9 和抽气口 10。其中，腔体1由腔室主体2和调整板(adaptor)8组成，其中，腔室主体2由底座和周壁构成。在高真空工艺腔1之上设有被溅射的靶材3、以及隔离部件4构成的密封腔室，密封腔室和靶材3之间充满去离子水7，其中，该隔离部件4采用绝缘材料构成，例如石英等，其使去离子水7与其他部件绝缘。磁控管6设置在密封腔室内，且磁控管6在电机5 的作用下做高速的旋转。在该磁控溅射设备中，等离子体产生于密封腔室中。等离子体的正离子被阴极负电所吸引，轰击密封腔室中的靶材3，撞出靶材3的原子，并沉积到晶片上。在非反应溅射的情况下，气体是惰性气体，例如氩气。在反应溅射中，则可采用反应气体和惰性气体一起使用。随着半导体技术的不断发展，超大规模集成电路目前都以Cu互连为主。在Cu互连的制备过程中，采用PVD (Physical Vapor D印osition，物理气相沉积)的方式进行通孔的填充成为了 Cu互连的关键步骤。目前提高PVD通孔填充效果的方法主要有两种，一种是离子化的金属(IMP)的方法，一种是自离化的等离子(SIP)的方法。自离化的等离子的方法主要是采用一个小型但是强力的磁控管，作用于一个靶材的小的区域上，这样可以在单位面积上产生较高的功率密度，这样可以增加金属的离化率， 离化了的金属可以在静电卡盘上加载的电压的吸引下较准直的运动，从而提高通孔的填充效果。另外，为了提高靶材腐蚀和工艺的均勻性还需要一个扫描机构使磁控管能覆盖整个靶材。如图2所示，为现有磁控管的扫描机构示意图。该扫描机构包括轴1、齿轮2-4、磁控管5以及配重6-7。电机通过轴1带动齿轮3沿着齿轮2做以轴1为中心的圆周运动， 齿轮4在齿轮3的带动下做自转运动，从而带动磁控管5和配重6沿着齿轮4做自转运动。 配重6和7为了平衡整个传动装置，防止由于力矩产生的不平衡，从而增加传动的稳定性。 图3显示了现有磁控管的扫描轨迹示意图。但是，现有技术的缺点在于，由于磁控管的运动源仅由一个电机提供，因此磁控管在靶材边缘和靶材中心之间的运动速度无法单独控制，因此靶材的利用率和金属离化率都有待提高。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，特别是解决靶材的利用率和金属离化率低的问题。为解决现有技术中的至少一个问题，本发明一方面提出了一种磁控源，包括靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移动的扫描机构，所述扫描机构包括轨道，所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动；第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述轨道相连以驱动所述轨道在与所述靶材平行的平面上旋转；和第二驱动机构， 所述第二驱动机构相对于所述第一驱动机构独立，所述第二驱动机构驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。在本发明的一个实施例中，所述第一驱动机构包括第一电机，所述第一电机通过输出轴与所述轨道相连。所述第二驱动机构包括连杆机构和第二电机，所述连杆机构的一端与所述轨道相固定，而另一端卡合在所述轨道中，所述轨道与所述连杆机构的另一端在正交于所述输出轴的第二方向上彼此相对地可滑动。所述第二电机与所述连杆机构相连， 并驱动所述连杆机构转动以驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向相对于输出轴平移。在本发明的一个实施例中，所述连杆机构包括转动杆和从动杆，所述转动杆的第一端固定在所述轨道的一端，所述第二电机与所述转动杆相连以驱动所述转动杆转动；所述从动杆的第一端与所述转动杆的第二端可枢转地相连，所述从动杆的第二端可滑动地卡合在所述轨道中且适于与所述磁控管相连。在本发明的一个实施例中，所述输出轴与所述转动杆的第一端相固定，且所述从动杆的第二端通过固定杆与所述磁控管相连。在本发明的一个实施例中，还包括第一密封箱，所述第一密封箱容纳所述轨道和连杆机构。在本发明的一个实施例中，所述连杆机构包括转动杆和从动杆，所述转动杆的第一端固定在所述轨道的一端，所述第二电机与所述转动杆相连以驱动所述转动杆转动；所述从动杆的第一端与所述转动杆的第二端可枢转地相连，所述从动杆的第二端与所述输出轴相连，且所述轨道相对于所述从动杆的第二端可滑动，其中磁控管固定在轨道的另一端。在本发明的一个实施例中，磁控管通过固定杆固定在所述轨道的另一端。在本发明的一个实施例中，还包括第二密封箱，所述第二密封箱容纳所述连杆机构以及所述轨道的一部份，所述轨道的另一部分和所述磁控管位于所述第二密封箱之外， 所述第二密封箱与所述轨道之间设有密封圈。在本发明的一个实施例中，所述轨道以第一角速度旋转，所述转动杆以第二角速度旋转，其中，所述第一角速度与所述第二角速度的比值不是整数，从而能使磁控管能更好地覆盖靶材。在本发明的一个实施例中，所述转动杆的长度与所述从动杆的长度之比为预设值，所述预设值为在所述转动杆的长度与从动杆的长度之和固定且所述第一角速度和第二角速度固定时、靶材利用率最高时对应的转动杆的长度与从动杆的长度的比值，从而获得最好的效果。通过本发明实施例可以分别对轨道的转动角速度和磁控管在由轨道确定的方向上的移动速度进行控制，从而能够提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度以提高金属离化率。本发明另一方面还提出了磁控溅射设备，包括腔体；抽气口，通过所述抽气口对所述腔体抽真空；静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述腔体中用于承载晶片；磁控源，所述磁控源为根据以上所述的磁控源；和隔离部件，其中，所述磁控源的靶材设置在所述腔体上部，且所述隔离部件设置在靶材之上以与所述靶材限定出适于容纳去离子水的密封腔室。本发明再一方面还提出了一种利用磁控溅射设备进行磁控溅射的方法，所述磁控溅射设备包括磁控管和控制所述磁控管移动的扫描机构，所述扫描机构包括轨道，所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动，所述方法包括以下步骤所述扫描机构以第一角速度驱动所述轨道在与靶材平行的平面上旋转；和所述扫描机构以第二速度驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。在本发明的一个实施例中，所述扫描机构包括提供第一角速度驱动的第一驱动机构和提供第二速度驱动的第二驱动机构。在本发明的一个实施例中，所述第二驱动机构包括转动杆、从动杆和驱动所述转动杆转动的第二电机，所述第二电机以第二角速度驱动所述转动杆，以使所述转动杆带动所述从动杆转动驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向以第二速度移动。在本发明的一个实施例中，所述第一角速度与所述第二角速度的比值不是整数。在本发明的一个实施例中，还包括以下步骤在所述转动杆的长度与从动杆的长度之和为固定值时，以所述转动杆的长度与所述从动杆的长度之比为变量进行模拟；和选择靶材利用率最高时对应的转动杆的长度与从动杆的长度的比值，并根据所述选择的比值和所述固定值计算所述转动杆的长度与从动杆的长度。通过上述磁控溅射设备和磁控溅射方法可以有效地提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度，从而提高金属离化率。本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图1为现有磁控溅射设备的示意图；图2为现有磁控管的扫描机构示意图；图3为现有磁控管的扫描轨迹示意图；图4和5为本发明实施例一的连杆机构和轨道的示意图；图6a、6b和6c为本发明实施例采用不同第一角速度时磁控管仿真的轨迹分布示意图；图7为本发明实施例靶材利用率与转动杆臂长之间的关系示意图；图8为本发明实施例靶材利用率最高时对应的磁控管的扫描轨迹示意图；图9为本发明实施例一的采用磁控源的磁控溅射设备的结构示意图；图10和11为本发明实施例二的连杆机构和轨道的结构示意图；和图12为本发明实施例二的采用磁控源的磁控溅射设备示意图。
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。本发明实施例提出了一种磁控源，该磁控源包括靶材、磁控管和控制磁控管移动的扫描机构。磁控管位于靶材之上。扫描机构包括轨道、第一驱动机构和第二驱动机构。其中，磁控管沿轨道确定的方向可移动，第一驱动机构与轨道相连以驱动轨道在与靶材平行的平面上旋转，第二驱动机构相对于第一驱动机构独立，且第二驱动机构驱动磁控管沿由轨道确定的方向移动。其中，第一驱动机构包括第一电机，第一电机通过输出轴与轨道相连。第二驱动机构包括连杆机构和第二电机，连杆机构的一端与轨道相固定，而连杆机构的另一端卡合在轨道中，其中，轨道与连杆机构的另一端在正交于输出轴的第二方向上彼此相对地可滑动， 且第二电机与连杆机构相连，并驱动连杆机构转动以驱动磁控管沿由轨道确定的方向相对于输出轴平移。在本发明实施例中，可以分别对轨道的转动角速度和磁控管在由轨道确定的方向上的移动速度进行控制，从而能够提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度以提
高金属离化率。另外，在本发明的实施例中，上述连杆机构可通过多种方式实现，例如双连杆或三连杆等方式，以下就以具体的方式进行介绍。但是需要说明的是，以下实施例仅为本发明的优选实施方式，并不是说本发明仅能通过以下方式实现，本领域技术人员可通过增加连杆数量或者改变连杆连接关系的方式对以下实施例进行等同的变化或者修改，这些均应包含在本发明的保护范围之内。实施例一如图4和5所示，为本发明实施例一的连杆机构和轨道的结构示意图。如图4、5 中所示，所述连杆机构包括转动杆Iio和从动杆120。转动杆110的第一端固定在轨道130 的一端，第二电机(图中未示出)与转动杆110相连，且转动杆110在第二电机的控制下以第二角速度ω2转动，而轨道130在第一电机(图中未示出)的控制下以第一角速度ω 旋转。从动杆120的第一端与转动杆110的第二端可枢转地相连以形成双连杆结构，从动杆120的第二端卡合在轨道130之中且可沿轨道130滑动，这样转动杆110即可带动从动杆120转动以使磁控管5可以沿由轨道确定的方向进行往复运动。其中，磁控管150通过固定杆140与从动杆120的第二端通过轴连接。在上述实施例中，在根据第一电机控制轨道130旋转的同时，磁控管150在从动杆120的控制下沿轨道130做往复运动，从而能够使得磁控管150覆盖整个靶材。在本发明的一个优选实施例中，该磁控源还可包括第一密封箱，第一密封箱容纳轨道130、转动杆110和从动杆120，从而能够更好地保护轨道130、转动杆110和从动杆 120。在本发明的另一个优选实施例中，当第一角速度ω 1和第二角速度ω2的比值不是整数时，磁控管150能更好地覆盖靶材，另外，第一角速度ω 1和第二角速度ω 2的比值越不能被整除，覆盖效果越好。在此所述的越不能被整除是指第一角速度ω 1除以第二角速度ω2以后所得结果的小数点后位数越多则表示该比值越不能被整除。例如，如图6a_c 所示，为本发明实施例采用不同第一角速度时磁控管仿真的轨迹分布示意图。其中，在该实施例中，转动杆的臂长为rl = 2. 0，从动杆的臂长为r2 = 3. 0，第二角速度ω2为3 π /200。 图6a中ω 1为3 π /700，图6b中ω 1为3 π /800，图6c中ω 1为3 π /900，从图中的对比可以看出，当第一角速度ω 1和第二角速度ω 2的比值越不能整除时，该磁控管150越能覆盖整个靶材。另外，在本发明的其他优选实施例中，转动杆臂长和从动杆臂长之和为固定值，其中，该固定值与靶材的半径有关。在该实施例中，可通过实验获得转动杆臂长和从动杆臂长的不同比值下与靶材利用率的关系，如图7所示，为本发明实施例靶材利用率与转动杆臂长之间的关系示意图。其中，第一角速度ω 为3π/21，第二角速度ω2为3π/23，从图中可以看出转动杆臂长rl = 1. 5时具有较高的靶材利用率。因此，可通过试验获得靶材利用率最高时对应的转动杆臂长和从动杆臂长之比，并将其作为预设值设置转动杆臂长和从动杆臂长，从而获得最好的效果。如图8所示，为本发明实施例靶材利用率最高时对应的磁控管的扫描轨迹示意图，从图中可以看出，相对于图3本发明实施例能够获得更均勻的扫描轨迹。如图9所示，为本发明实施例一的采用磁控源的磁控溅射设备示意图。该磁控溅射设备包括腔室主体220、调整板观0、抽气口 2100、静电卡盘四0、由隔离部件240构成的密封腔室、密封腔室中设有的去离子水270、以及上述实施例一的磁控源。其中，该隔离部件 240采用绝缘材料构成，例如石英等，其使去离子水270与其他部件绝缘。腔室主体220和调整板280配合以限定出高真空工艺腔的腔体210，抽气口 2100设置在腔体210的底部，用于对高真空工艺腔抽真空。静电卡盘290设置在腔体210之中，用于承载晶片。位于高真空工艺腔210上部的靶材230和密封腔室。通过本发明实施例的磁控溅射设备，提高靶材的利用率和金属离化率。实施例二如图10和11所示，为本发明实施例二的连杆机构和轨道的示意图。如图所示，连杆机构包括转动杆310和从动杆320。转动杆310的第一端固定在轨道330之上，从动杆 320的第一端与转动杆310的第二端可枢转地相连。另外，第一电机通过输出轴连接在轨道 330的中间部分，且该输出轴与从动杆320的第二端相连，轨道330相对于从动杆320的第二端可滑动，磁控管350通过固定杆340固定在轨道330的另一端。其中，通过第一电机使得轨道330以第一角速度ω 1旋转，通过第二电机使得转动杆310以第二角速度ω2转动。 这样，通过转动杆310的转动可以带动从动杆320转动，从而使得从动杆320带动轨道330 沿轨道330的径向移动，最终导致固定在轨道330 —端固定的磁控管350沿轨道330的径向移动。同样在该实施例中，优选地，当第一角速度ω 1和第二角速度ω2的比值不是整数时，磁控管350能更好地覆盖靶材。另外，可通过试验获得靶材利用率最高时对应的转动杆臂长和从动杆臂长之比，并根据转动杆臂长和从动杆臂长之比对转动杆310和从动杆320 进行设置。在本发明的优选实施例中，该磁控源还包括第二密封箱。第二密封箱容纳连杆机构以及轨道330的一部分，轨道330的另一部分和磁控管350位于第二密封箱之外，且第二密封箱与轨道330之间设有密封圈，从而能够更好地保护连杆机构和部分的轨道。
如图12所示，为本发明实施例二的采用磁控源的磁控溅射设备示意图。该磁控溅射设备包括高真空工艺腔的腔体410、抽气口 4100、静电卡盘490、由隔离部件440构成的密封腔室、密封腔室中设有去离子水470、上述实施例二的磁控源。其中，该隔离部件440采用绝缘材料构成，例如石英等，其使去离子水470与其他部件绝缘。其中，腔体410包括腔室主体420和调整板480，抽气口 4100设置在腔体410的底部。静电卡盘490设置在腔体 410之中，用于承载晶片。位于腔体410上部的靶材430和密封腔室。通过本发明实施例的磁控溅射设备，提高了靶材的利用率和金属离化率。通过本发明实施例可以分别对轨道和连杆机构的转动角速度分别进行控制，从而能够提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度以提高金属离化率。本发明实施例另一方面还提出了利用磁控溅射设备进行磁控溅射的方法，其中， 该磁控溅射设备包括磁控管和控制磁控管移动的扫描机构。在扫描机构中包括轨道，磁控管沿轨道确定的方向可移动。该方法主要在于对扫描机构进行控制，使得扫描机构以第一角速度ω 1驱动轨道在与靶材平行的平面上旋转，同时扫描机构还可以以第二速度驱动磁控管沿由轨道确定的方向移动，从而使得磁控管能够很好地覆盖整个靶材，从而提高靶材利用率。在本发明的一个实施例中，扫描机构包括提供第一角速度驱动的第一驱动机构和提供第二速度驱动的第二驱动机构。其中，第二驱动机构包括转动杆、从动杆和驱动转动杆转动的第二电机，第二电机以第二角速度驱动所述转动杆，以使转动杆带动从动杆转动驱动磁控管沿由轨道确定的方向以第二速度移动。优选地，第一角速度与第二角速度的比值不是整数，从而能使磁控管能更好地覆盖靶材。优选地，在本发明实施例中，还包括设置转动杆长度和从动杆长度的步骤，具体包括在转动杆的长度与从动杆的长度之和为固定值时，以转动杆的长度与从动杆的长度之比为变量进行模拟，并选择靶材利用率最高时对应的转动杆的长度与从动杆的长度的比值，以及根据选择的比值和固定值计算转动杆的长度与从动杆的长度。通过上述磁控溅射设备和磁控溅射方法可以有效地提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度，从而提高金属离化率。尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。
权利要求
1.一种磁控源，其特征在于，包括 靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移动的扫描机构，所述扫描机构包括 轨道，其中，所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动；第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述轨道相连以驱动所述轨道在与所述靶材平行的平面上旋转；和第二驱动机构，所述第二驱动机构相对于所述第一驱动机构独立，所述第二驱动机构驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。
2.如权利要求1所述的磁控源，其特征在于，所述第一驱动机构包括 第一电机，所述第一电机通过输出轴与所述轨道相连。
3.如权利要求2所述的磁控源，其特征在于，所述第二驱动机构包括连杆机构，所述连杆机构的一端与所述轨道相固定，而另一端卡合在所述轨道中，其中，所述轨道与所述连杆机构的另一端在正交于所述输出轴的第二方向上彼此相对地可滑动；和第二电机，所述第二电机与所述连杆机构相连，并驱动所述连杆机构转动以驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向相对于所述输出轴平移。
4.如权利要求3所述的磁控源，其特征在于，所述连杆机构包括转动杆，所述转动杆的第一端固定在所述轨道的一端，所述第二电机与所述转动杆相连以驱动所述转动杆转动；和从动杆，所述从动杆的第一端与所述转动杆的第二端可枢转地相连，所述从动杆的第二端可滑动地卡合在所述轨道中且适于与所述磁控管相连。
5.如权利要求4所述的磁控源，其特征在于，所述输出轴与所述转动杆的第一端相固定，且所述从动杆的第二端通过固定杆与所述磁控管相连。
6.如权利要求4所述的磁控源，其特征在于，还包括 第一密封箱，所述第一密封箱容纳所述轨道和连杆机构。
7.如权利要求3所述的磁控源，其特征在于，所述连杆机构包括转动杆，所述转动杆的第一端固定在所述轨道的一端，所述第二电机与所述转动杆相连以驱动所述转动杆转动；和从动杆，所述从动杆的第一端与所述转动杆的第二端可枢转地相连，所述从动杆的第二端与所述输出轴相连，且所述轨道相对于所述从动杆的第二端可滑动，其中磁控管固定在轨道的另一端。
8.如权利要求7所述的磁控源，其特征在于，磁控管通过固定杆固定在所述轨道的另一端。
9.如权利要求7所述的磁控源，其特征在于，还包括第二密封箱，所述第二密封箱容纳所述连杆机构以及所述轨道的一部份，所述轨道的另一部分和所述磁控管位于所述第二密封箱之外，所述第二密封箱与所述轨道之间设有密封圈。
10.如权利要求4或7所述的磁控源，其特征在于，所述轨道以第一角速度旋转，所述转2动杆以第二角速度旋转，其中，所述第一角速度与所述第二角速度的比值不是整数。
11.如权利要求4或7所述的磁控源，其特征在于，所述转动杆的长度与所述从动杆的长度之比为预设值，所述预设值为在所述转动杆的长度与从动杆的长度之和固定且所述第一角速度和第二角速度固定时、靶材利用率最高时对应的转动杆的长度与从动杆的长度的比值。
12.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括腔体；抽气口，通过所述抽气口对所述腔体抽真空；静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述腔体中用于承载晶片；磁控源，所述磁控源为根据权利要求1-11任一项所述的磁控源；和隔离部件；其中，所述磁控源的靶材设置在所述腔体上部，且所述隔离部件设置在靶材之上以与所述靶材限定出适于容纳去离子水的密封腔室。
13.一种利用磁控溅射设备进行磁控溅射的方法，其特征在于，所述磁控溅射设备包括磁控管和控制所述磁控管移动的扫描机构，所述扫描机构包括轨道，所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动，所述方法包括以下步骤所述扫描机构以第一角速度驱动所述轨道在与靶材平行的平面上旋转；和所述扫描机构以第二速度驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。
14.如权利要求13所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述扫描机构包括提供第一角速度驱动的第一驱动机构和提供第二速度驱动的第二驱动机构。
15.如权利要求14所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述第二驱动机构包括转动杆、 从动杆和驱动所述转动杆转动的第二电机，其中，所述第二电机以第二角速度驱动所述转动杆，以使所述转动杆带动所述从动杆转动驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向以第二速度移动。
16.如权利要求15所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述第一角速度与所述第二角速度的比值不是整数。
17.如权利要求15所述的磁控溅射方法，其特征在于，还包括以下步骤在所述转动杆的长度与从动杆的长度之和为固定值时，以所述转动杆的长度与所述从动杆的长度之比为变量进行模拟；和选择靶材利用率最高时对应的转动杆的长度与从动杆的长度的比值，并根据所述选择的比值和所述固定值计算所述转动杆的长度与从动杆的长度。
全文摘要
磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法，本发明公开了一种磁控源，包括靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移动的扫描机构，所述扫描机构包括轨道，所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动；第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述轨道相连以驱动所述轨道在与所述靶材平行的平面上旋转；和第二驱动机构，所述第二驱动机构相对于所述第一驱动机构独立，所述第二驱动机构驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。通过本发明实施例可以分别对轨道的转动角速度和磁控管在由轨道确定的方向上的移动速度进行控制，从而能够提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度以提高金属离化率。
文档编号C23C14/35GK102400106SQ20101027753
公开日2012年4月4日 申请日期2010年9月8日 优先权日2010年9月8日
发明者刘旭, 吴桂龙, 李杨超, 耿波 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司