专利名称：一种Ti-Mo-N多元薄膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种材料表面涂层的制备方法，尤其是一种高性能Ti-Mo-N多元薄膜的制备方法。
背景技术：
Ti-N 二元薄膜具有高的硬度、耐磨性以及优异的耐腐性，因而被广泛用于在刀具、 模具材料等表面制备薄膜涂层以提高。然而随着现代工业的快速发展，对材料性能提出了越来越高的要求，迫切要求在硬度、耐磨性、耐腐蚀性、高温抗氧化性等各个方面改善TiN 的使用性能。现今被普遍使用的方法主要是在TiN薄膜中掺杂第三、第四种元素或者对通过对薄膜实施热处理从而改变薄膜的硬度等性能。然而由于可供选择的掺杂元素种类较多，而薄膜的制备工艺步骤参数也千差万别，因此选择一种较好的TiN薄膜的掺杂元素，并找到与之相应的一种合适的TiN薄膜的制备工艺方法，对于提高TiN薄膜的性能以及拓展薄膜的使用范围和使用条件具有重要的意义和实际的应用价值。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的即在于为TiN薄膜选择合适的掺杂元素以制备多元薄膜，并优化多元薄膜的制备工艺参数，从而获得一种高性能薄膜的制备方法。为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案如下首先，以Ti、Mo、N为薄膜的基本组成元素，采用磁控溅射的方法制备Ti-Mo-N三元薄膜。具体而言是，先将基体材料表面抛光，并分别用氢氟酸、丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约IOmin后烘干备用；随后，将基体材料置于磁控溅射设备真空室内的样品台上，并将纯Ti靶和Ti5tlMo5tl 合金靶分别置于不同的阴极靶位；随后将真空室内真空度抽到彡5X 10_4Pa，同时通入流量为8-lOsccm的Ar，当真空室气压为2-4 时，预溅射2-3min，预溅射的功率为50-70W，以进一步清洗基体材料的成膜表面；随后维持Ar的流量为8-10SCCm，控制基体材料温度为40-50°C，当真空室气压为 1-1. 5Pa时，向基体材料施加100-150V的负偏压，同时移开纯Ti靶的挡板，以50-70W的功率进行溅射，溅射时间为5-lOmin，以形成一层纯Ti薄膜；随后开始通入流量为0. 3-0. 6sccm的N2,并维持Ar的流量为8-lOsccm、真空室气压为1-1. 5Pa、基体材料的负偏压为100-150V、基体材料的温度为40_50°C，以50-70W的功率进行溅射，溅射时间为15-25min，以形成一层Ti-N 二元薄膜；随后维持Ar的流量为8-lOsccm、N2的流量为0. 3-0. 6sccm,真空室气压为 1-1. 5Pa、基体材料的负偏压为100-150V，升高基体材料的温度为80-100°C，同时关闭
3纯Ti靶的挡板并移开Ti5tlMo5tl合金靶的挡板，以50-70W的功率进行溅射，溅射时间为 80-100min,以形成Ti-Mo-N三元薄膜。本发明的优点是在基体表面形成了多层不同性质的Ti-Mo-N多元薄膜，既获得了与基体良好的结合性能，又具有优异的硬度、耐磨性、耐蚀性及高温抗氧化性。
具体实施例方式下面，通过具体的实施例对本发明进行详细说明。一种高性能Ti-Mo-N多元薄膜的制备及热处理方法，其包括以下制备步骤其是以Ti、Mo、N为薄膜的基本组成元素，采用磁控溅射的方法制备Ti-Mo-N三元薄膜；选用W6Mo5Cr4V2高速钢作为基体材料，先将基体材料表面抛光，并分别用氢氟酸、丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约IOmin后烘干备用；随后，将基体材料置于磁控溅射设备真空室内的样品台上，并将纯Ti靶和Ti5tlMo5tl 合金靶分别置于不同的阴极靶位；随后将真空室内真空度抽到彡5X10_4Pa，同时通入流量为9sCCm的Ar，当真空室气压为3 时，预溅射2min，预溅射的功率为60W，以进一步清洗基体材料的成膜表面；随后维持Ar的流量为9sCCm，控制基体材料温度为40°C，当真空室气压为1. 5Pa 时，向基体材料施加150V的负偏压，同时移开纯Ti靶的挡板，以60W的功率进行溅射，溅射时间为7min，以形成一层纯Ti薄膜；随后开始通入流量为0. 4sccm的N2,并维持Ar的流量为9sCCm、真空室气压为 1. 5Pa、基体材料的负偏压为150V、基体材料的温度为40°C，以60W的功率进行溅射，溅射时间为20min，以形成一层Ti-N 二元薄膜；随后维持Ar的流量为9SCCm、N2的流量为0.如ccm、真空室气压为1. 5Pa、基体材料的负偏压为150V，升高基体材料的温度为100°C，同时关闭纯Ti靶的挡板并移开Ti5tlMo5tl 合金靶的挡板，以60W的功率进行溅射，溅射时间为90min，以形成Ti-Mo-N三元薄膜。与Ti-N 二元薄膜相比，成膜后试样外观表面平整光滑，致密性好，经测试，薄膜表面的元素的原子百分含量为30. 5Τ -28. 3MO-41. 2N，薄膜表面的硬度为^GPa，800°C条件下的氧化增重仅为Ti-N薄膜的一半。
权利要求
1. 一种Ti-Mo-N多元薄膜的制备方法，其是以Ti、Mo、N为薄膜的基本组成元素，采用磁控溅射的方法制备Ti-Mo-N三元薄膜；具体包括以下制备步骤先将基体材料表面抛光，并分别用氢氟酸、丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约IOmin后烘干备用；随后，将基体材料置于磁控溅射设备真空室内的样品台上，并将纯Ti靶和Ti5tlMo5tl合金靶分别置于不同的阴极靶位；随后将真空室内真空度抽到彡5X10_4Pa，同时通入流量为8-lOsccm的Ar，当真空室气压为2-4 时，预溅射2-3min，预溅射的功率为50-70W，以进一步清洗基体材料的成膜表随后维持Ar的流量为8-lOsccm，控制基体材料温度为40-50 °C，当真空室气压为 1-1. 5Pa时，向基体材料施加100-150V的负偏压，同时移开纯Ti靶的挡板，以50-70W的功率进行溅射，溅射时间为5-lOmin，以形成一层纯Ti薄膜；随后开始通入流量为0. 3-0. 6sccm的N2,并维持Ar的流量为8-lOsccm、真空室气压为 1-1. 5Pa、基体材料的负偏压为100-150V、基体材料的温度为40_50°C，以50-70W的功率进行溅射，溅射时间为15-25min，以形成一层Ti-N 二元薄膜；随后维持Ar的流量为8-10sccm、N2的流量为0. 3-0. 6sccm、真空室气压为1-1. 5Pa、基体材料的负偏压为100-150V，升高基体材料的温度为80-100°C，同时关闭纯Ti靶的挡板并移开Ti5tlMo5tl合金靶的挡板，以50-70W的功率进行溅射，溅射时间为80-100min，以形成 Ti-Mo-N三元薄膜。
全文摘要
以Ti、Mo、N为薄膜的基本组成元素，采用磁控溅射的方法制备高性能Ti-Mo-N三元薄膜，主要通过优化多元薄膜的制备工艺参数，从而获得一种高性能Ti-Mo-N三元薄膜，与Ti-N二元薄膜相比，成膜后试样外观表面平整光滑，致密性好，经测试，薄膜表面的元素的原子百分含量为30.5Ti-28.3Mo-41.2N，薄膜表面的硬度为29GPa，800℃条件下的氧化增重仅为Ti-N薄膜的一半。
文档编号C23C14/06GK102409306SQ20111030738
公开日2012年4月11日 申请日期2011年10月11日 优先权日2011年10月11日
发明者韩晓芬 申请人:宁波市瑞通新材料科技有限公司