专利名称：便捷石墨舟的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是一种便捷石墨舟。
背景技术：
PECVD是等离子体增强化学气相沉积技术的简称，其原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。石墨舟是其中的重要部件，直接影响到电场的分布、等离子的产生、气流的走向、膜的品质等。现有的石墨舟由于舟片紧凑，作业员在插、取硅片时会产生碎片的现象，影响了硅片镀膜生产效率。
实用新型内容为了克服现有的石墨舟插、取硅片时易发生碎片现象，影响硅片镀膜生产效率的不足，本实用新型提供了一种便捷石墨舟。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种便捷石墨舟，包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟片上设有缺口。根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括缺口为半圆形，位于舟片中央。根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括舟片均匀分布在舟体内腔。本实用新型的有益效果是，在每一片舟片的同一位置设置半圆形缺口，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明。图I是本实用新型的结构示意图。图中I.舟体，2.舟片，3.支脚，4.上电极，5.下电极，6.缺口。
具体实施方式
如图I是本实用新型的结构示意图，一种便捷石墨舟，包括舟体I、舟片2、支脚3、上电极4和下电极5，舟片2设置在舟体I内，支脚3安装在舟体I底部，上电极4和下电极5分别位于舟体I的上部和下部，舟片2上设有缺口 6。缺口 6为半圆形，位于舟片2中央。舟片2均匀分布在舟体I内腔。在每一片舟片2的同一位置设置半圆形的缺口 6，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。
权利要求1.一种便捷石墨舟，包括舟体(I)、舟片(2)、支脚(3)、上电极(4)和下电极(5)，舟片(2)设置在舟体(I)内，支脚(3)安装在舟体(I)底部，上电极(4)和下电极(5)分别位于舟体(I)的上部和下部，其特征是，舟片(2)上设有缺口(6)。
2.根据权利要求I所述的便捷石墨舟，其特征是，缺口(6)为半圆形，位于舟片(2)中央。
3.根据权利要求I所述的便捷石墨舟，其特征是，舟片(2)均匀分布在舟体(I)内腔。
专利摘要本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是一种便捷石墨舟。其包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟片上设有缺口。在每一片舟片的同一位置设置半圆形缺口，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。
文档编号C23C16/46GK202688443SQ20122030696
公开日2013年1月23日 申请日期2012年6月28日 优先权日2012年6月28日
发明者沈文伟 申请人:沈文伟