柔软可修整的化学机械抛光垫的制作方法
【专利摘要】本发明提供了用于抛光基材的含有抛光层的化学机械抛光垫，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种，其中，抛光层包含原材料组分(包括：多官能异氰酸酯和固化剂组合物)的反应产物；其中，固化剂组合物包含胺引发的多元醇固化剂、高分子量的多元醇固化剂和任选的双官能固化剂；其中，所述抛光层的密度大于0.6g/cm3，邵氏D硬度为5-40，断裂伸长率为100-450％，以及，切削速率为25-150μm/hr；以及，其中抛光层具有适于抛光基材的抛光表面。本发明还提供了该化学机械抛光垫的制造和使用方法。
【专利说明】柔软可修整的化学机械抛光垫
【技术领域】
[0001]本发明涉及化学机械抛光垫及其制造方法和使用方法。更特别地，本发明涉及含有抛光层的化学机械垫，其中，所述抛光层的密度大于0.6g / cm3，邵氏D硬度为5-40，断裂伸长率为100-450%，以及，切削速率为25-150 μ m / hr ;以及，其中抛光层具有适于抛光基材的抛光表面。
【背景技术】
[0002]在集成电路和其它电子设备的制造中，需将多层导电材料、半导体材料和介电材料沉积到半导体晶片的表面上以及从半导体晶片的表面上去除。可以使用多种沉积技术沉积导电材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代晶片加工中常规的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学沉积，以及其它技术。常规的去除技术包括湿式和干式各向同性和各向异性蚀刻，以及其它技术。
[0003]随着材料层依次沉积和去除，晶片最上端的表面成为非平面的。由于随后的半导体加工(例如金属化)需要晶片具有平坦表面，因此晶片需要平坦化。平坦化适用于去除不期望的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面、团聚材料、晶格损伤、划伤和污染层或材料。
[0004]化学机械平坦化或者化学机械抛光(CMP)是用于平坦化或抛光工件例如半导体晶片的一种常规技术。在常规CMP中，晶片载体或抛光头安装在载体组件中。抛光头夹持晶片并且使晶片位于与抛光垫的抛光层相接触的位置，抛光垫安装在CMP装置中的工作台或台板上。载体组件在晶片和抛光垫之间提供可控制的压力。同时，抛光介质(例如，浆料)被配送到抛光垫上并且被吸入晶片和抛光层之间的空隙中。为实现抛光，抛光垫和晶片通常彼此相对旋转。当抛光垫在晶片下方旋转时，晶片扫出一个通常为环形的抛光轨迹或抛光区域，其中，晶片的表面直接对着抛光层。通过抛光层和表面上的抛光介质的化学和机械作用，晶片表面被抛光并且变得平坦。
[0005]垫表面“修整”或“磨削”对于稳定的抛光性能而保持一致的抛光表面是关键的。经过一定时间后，抛光垫的抛光表面磨损，磨平抛光表面的微观织构一这一现象称为“磨光”。抛光垫修整通常可以通过使用修整盘机械地研磨抛光表面实现。修整盘具有粗糙的修整表面，通常由嵌入的金刚石点构成。在CMP过程的间歇期，即抛光暂停时(“离线”)，或者，在CMP过程进行时(“在线”)，使修整盘与抛光表面相接触。通常，修整盘在按照抛光垫的旋转轴而固定的位置上进行旋转，并且在抛光垫旋转时，扫出环形修整区域。所述修整过程将微观沟槽雕入垫表面，研磨并且犁沟垫材料，更新抛光织构。
[0006]半导体器件正变得越来越复杂，具有更精细的结构元件以及更多的金属化层。这种趋势需要抛光耗材改善性能，以保持平整度和限制抛光缺陷。后者能够导致导线电路断路或短路，这将导致半导体器件不工作。众所周知，一种降低抛光缺陷(例如微-划伤或震痕)的方法是使用较软的抛光垫。
[0007]James等在US专利N0.7，074，115中公开了一系列软聚氨酯抛光层。James等公开了一种包含异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物和芳族二胺或多胺固化剂的反应产物的抛光垫，其中，反应产物的孔隙率至少为0.1体积百分比，在40°C和I转/秒条件下，KEL能量损失因子为385-7501 / Pa，以及在40°C和I转/秒条件下，模数E’为100_400MPa。
[0008]如上所述，为了获得最佳抛光性能，用金刚石修整化学机械抛光垫的表面从而产生有利的微观织构是必要的。然而，难以在常规的抛光层材料上(例如James等所述的)产生这类织构，因为这些材料具有高的延展性(用断裂伸长率数值来衡量)。结果表明，当这些材料用金刚石修整盘进行修整时，修整盘中的金刚石在不切削情况下仅仅将垫材料推开，而不是将沟槽雕入垫的表面。因此，用金刚石修整盘修整的结果是，这些常规材料表面几乎没有织构形成。
[0009]在垫表面中形成宏观沟槽图案的加工过程中，产生了另一个与这类常规化学机械抛光垫材料相关的问题。常规的化学机械抛光垫通常具有切入抛光表面的沟槽图案，从而促进浆料流动以及从垫-晶片界面去除抛光碎片。这种沟槽通常使用车床或CNC铣床在抛光垫的抛光表面上切入。然而，对于软垫材料来说，存在与金刚石修整相似的问题，从而导致，在钻头经过后，垫材料仅仅回弹并且所形成的沟槽自我封闭。因此，沟槽的质量差，并且更难成功地用这类软材料制造出商业上可接受的垫。随着垫材料硬度降低，这种问题越来越严重。
[0010]因此，持续需要能够提供与低缺陷配方良好匹配的物理性能曲线，同时还可以赋予抛光层增强的可修整性(即，切削速率为25-150 μ m/hr)的化学机械抛光垫。
【发明内容】
[0011]本发明提供了一种用于抛光基材的化学机械抛光垫，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种；所述化学机械抛光垫包含抛光层，其中该抛光层包含原材料组分的反应产物，原材料组分包括:多官能异氰酸酯，以及固化剂组合物，所述固化剂组合物包含:至少5wt%胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子至少含有一个氮原子；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基；25-95wt%高分子量的多元醇固化剂，其中，高分子量的多元醇固化剂的数均分子量Mn为2，500-100, 000 ;以及，其中，高分子量的多元醇固化剂平均每分子具有3-10个羟基；以及，0-70Wt%双官能固化剂；其中，所述抛光层的密度大于0.6g / cm3，邵氏D硬度为5-40，断裂伸长率为100-450%，以及，切削速率为25-150 μ m / hr ;以及，其中，抛光层具有适于抛光基材的抛光表面。
[0012]本发明提供了 一种用于抛光基材的化学机械抛光垫,所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种；所述化学机械抛光垫包含抛光层，其中该抛光层包含原材料组分的反应产物，原材料组分包括:多官能异氰酸酯，以及固化剂组合物，所述固化剂组合物包含:5-20Wt%胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子含有两个氮原子；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有4个羟基；以及，其中，胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MnS 200-400 ;50-75Wt%的高分子量的多元醇固化剂，其中，高分子量的多兀醇固化剂的数均分子量Mn为10,000-12,000 ;以及，其中，闻分子量的多兀醇固化剂平均每分子具有6个羟基；以及10-30wt%的双官能固化剂，其中，双官能固化剂为二胺固化剂，选自4，4’-亚甲基-双-(2-氯苯胺)(MBOCA)、4，4’-亚甲基-双-(3-氯-2，6-二乙基苯胺)(MCDEA)及其异构体；其中，所述固化剂组合物中的活性氢基团(即，氨基(NH2)和羟基(OH)的总和)与所述多官能异氰酸酯中的未反应异氰酸酯基团(即，NCO基团)的化学计量比为0.95-1.05;其中，抛光层的密度为0.75-1.0g / cm3，邵氏D硬度为5-20，断裂伸长率为150-300%，以及，切削速率为30-60 μ m / hr。
[0013]本发明还提供了一种本发明所述化学机械抛光垫的制备方法，包括:提供多官能异氰酸酯；提供固化剂组合物，包括:(i)提供至少5wt%胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子至少含有一个氮原子；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基；(ii)提供25-95wt%高分子量的多元醇固化剂，其中，高分子量的多元醇固化剂的数均分子量MnS 2，500-100，000 ;以及，其中，高分子量的多元醇固化剂平均每分子具有3-10个羟基；以及(iii)提供0-70wt%双官能固化剂；混合所述多官能异氰酸酯和所述固化剂组合物，形成混合物；以及使所述混合物反应，形成抛光层。
[0014]本发明提供一种抛光基材的方法，所述方法包括:提供一种基材，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种；提供权利要求1所述的化学机械抛光垫；在抛光层的抛光表面和基材之间形成动态接触，从而抛光基材的表面；以及用磨料修整器修整抛光表面。
【具体实施方式】
[0015]本发明的化学机械抛光垫具有抛光层，抛光层显示出以下性能的独特组合，具有低硬度(即，邵氏D硬度<40)，以便提供低缺陷的抛光性能，以及低的拉伸伸长率(即，断裂伸长率< 450% )，同时提供使用金刚石修整盘的可加工性，其有利于在抛光层上形成沟槽，以及可修整性，其有利于形成微观织构。此外，本发明的抛光层带来的性能平衡可以提供以下能力，例如，抛光半导体晶片，但是不形成可能损害半导体器件电学完整性的微划伤缺陷而损坏晶片表面。
[0016]本发明的用于抛光基材(所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种)的化学机械抛光垫包含抛光层，其中，抛光层包含原材料组分的反应产物，原材料组分包括:多官能异氰酸酯，以及，固化剂组合物，所述固化剂组合物包含:至少5wt% (优选5-30wt%，更优选5-25wt%，最优选5-20wt% )胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子至少含有一个氮原子(优选地，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子含有1-4个氮原子；更优选地，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子含有2-4个氮原子；最优选地，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子含有2个氮原子)；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基(优选3-6个羟基；更优选3-5个羟基；最优选4个羟基)；(优选，其中胺引发的多元醇固化剂的数均分子量< 700 ;更优选150-650 ;更进一步优选 200-500 ;最优选 250-300) ；25-95wt% (优选 35_90wt% ;更优选 50_75wt% ;最优选60-75wt% )闻分子量的多兀醇固化剂，其中，闻分子量多兀醇固化剂的数均分子量Mn为2，500-100，000 (优选 5，000-50，000 ;更优选 7，500-25，000 ;最优选 10，000-12，000)；以及，其中，高分子量的多元醇固化剂平均每分子具有3-10个羟基(优选4-8个羟基；更优选
5-7个羟基；最优选6个羟基)；以及(优选5-60wt%;更优选IO-SOwt1^;更进一步优选10-30wt%;最优选10-20wt% )双官能固化剂；其中，抛光层的密度≤0.6g / cm3(优选地,0.6-1.2g / cm3 ;更优选 0.7-1.1g / cm3 ;最优选 0.75-1.0g/cm3),邵氏 D 硬度为5-40(优选5-30;更优选5-20 ;最优选5_15)，断裂伸长率为100-450% (优选125-425%;更优选150-300%;最优选150-200%);以及，切削速率为25-150 μ m / hr (优选30-125 μ m /hr ;更优选30-100 μ m/hr ;最优选30_60 μ m/hr);以及,其中抛光层具有适于抛光基材的抛
光表面。
[0017]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的多官能异氰酸酯包含两个活性异氰酸酯基团(即，NC0)。
[0018]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的多官能异氰酸酯选自脂肪族多官能异氰酸酯、芳香族多官能异氰酸酯及它们的混合物。更优选，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的多官能异氰酸酯是二异氰酸酯，选自2，4-甲苯二异氰酸酯、2，
6-甲苯二异氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷二异氰酸酯、亚萘基-1，5-二异氰酸酯、联甲苯胺二异氰酸酯、对亚苯基二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、4，4' -二环己基甲烷二异氰酸酯、环己烷二异氰酸酯以及它们的混合物。更进一步优选，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的多官能异氰酸酯是由二异氰酸酯与预聚物多元醇反应形成的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。
[0019]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物含有2-12wt%的未反应异氰酸酯(NCO)基团。更优选，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物含有2-10wt% (更进一步优选
4-8wt% ;最优选5-7wt% )的未反应异氰酸酯(NCO)基团。
[0020]优选地，用于形成多官能异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的预聚物多元醇选自二醇、多元醇(polyol)、多羟基二醇(polyol diol)、它们的共聚物和它们的混合物。更优选，预聚物多元醇选自聚醚多元醇(例如，聚(氧化四亚甲基)二醇、聚(氧化丙烯)二醇及其混合物)；聚碳酸酯多元醇；聚酯多元醇；聚己内酯多元醇；以及它们的混合物，以及，它们与一种或多种低分子量多元醇的混合物，低分子量多元醇选自乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、2-甲基-1，3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戍二醇、1，5-戍二醇、3-甲基-1，5-戊二醇、1，6-己二醇、二乙二醇、二丙二醇以及三丙二醇。更优选，预聚物多元醇选自聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、基于酯的多元醇(例如，己二酸乙二醇酯、己二酸丁二醇酯)、聚丙烯醚二醇(PPG)、聚己内酯多元醇、它们的共聚物以及它们的混合物。最优选地，预聚物多元醇选自PTMEG和PPG。
[0021]优选地，当预聚物多元醇是PTMEG时，异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的未反应异氰酸酯(NCO)的浓度为2-10wt% (更优选4-8wt% ;最优选6_7wt% )。市售的基于PTMEG的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的例子包括Imuthane?预聚物(来自COIMUSA, Inc.公司，例如 PET-80A、PET-85A、PET-90A、PET-93A、PET-95A、PET-60D、PET-70D、PET-75D) ;Adiprene?预聚物(来自 Chemtura 公司，例如 LF800A、LF900A、LF910A、LF930A、LF931A、LF939A、LF950A、LF952A、LF600D、LF601D、LF650D、LF667D、LF700D、LF750D、LF751D、LF752D、LF753D和L325)、Andur?预聚物(来自 Anderson Development 公司，例如 70APLF、80APLF、85APLF、90APLF、95APLF、60DPLF、70APLF、75APLF)。
[0022]优选地，当预聚物多元醇是PPG时，异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的未反应异氰酸酯(NCO)的浓度为3-9wt% (更优选4-8wt% ;最优选5_6wt%)。市售的基于PPG的异氰酸酯封端氨基甲酸酯预聚物的例子包括Imuthane?预聚物(来自COIM USA, Inc.公司，例如 PPT-80A、PPT-90A、PPT-95A、PPT-65D、PPT-75D)、Adiprene?预聚物(来自于Chemtura 公司，例如 LFG963A、LFG964A、LFG740D)、和Andur?.预聚物(来自于 AndersonDevelopment 公司，例如 8000APLF、9500APLF、6500DPLF、7501DPLF)。
[0023]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物是具有小于0.lwt%游离甲苯二异氰酸酯(TDI)单体含量的低度游离的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。
[0024]还可以使用基于非-TDI的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。例如，包括通过4,4/ -二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI)和多元醇例如聚四亚甲基二醇(PTMEG)与可选的二醇例如1，4_ 丁二醇(BDO)反应形成的预聚物在内的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物是可以接受的。当使用这类异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物时，未反应异氰酸酯(NCO)的浓度优选为4-10wt% (更优选4-8wt% ;最优选5-7wt% )。这种类型的市售的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的例子包括Imuthane?:预聚物(来自于COIM USA, Inc.公司，例如 27-85A、27-90A、27_95A) ;Andur?'预聚物(来自于 Anderson Development 公司，例如 IE75AP、IE80AP、IE85AP、IE90AP、IE95AP、IE98AP);和 Vibrathane? 预聚物(来自于Chemtura 公司，例如 B625、B635、B821)。
[0025]用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的固化剂组合物优选包含:至少5wt % (优选5-30wt% ;更优选5-25wt% ;最优选5_20wt%)胺引发的多元醇固化剂；25-95wt% (优选35-90wt% ;更优选50_75wt% ;最优选60_75wt% )高分子量的多元醇固化剂；和0-70wt% (优选5-60wt% ;更优选10-50wt% ;更进一步优选10-30wt% ;最优选10-20wt% )的双官能固化剂。
[0026]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的胺引发的多元醇固化剂每分子至少含有一个氮原子。更优选，所用胺引发的多元醇固化剂每分子含有1-4个(更进一步优选2-4个，最优选2个)氮原子。
`[0027]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基。更优选，所用胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有3-6个(更进一步优选3-5个；最优选4个)羟基。
[0028]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MnS 700。更优选，所用胺引发的多元醇固化剂的数均分子量仏为150-650(更进一步优选200-500 ;最优选250-300)。
[0029]优选地，用于形成本发明的化学机械抛光垫的抛光层的胺引发的多元醇固化剂具有350-l，200mg KOH / g的羟值(按ASTM测试方法D4274-11测定)。更优选，所用胺引发的多元醇固化剂具有400-1，OOOmg KOH / g(最优选600_850mg KOH / g)的羟值。
[0030]市售的胺引发的多元醇固化剂的例子包括Voranol?:系列胺引发的多元醇(来自Dow Chemical Company 公司);Quadrol?特制多兀醇(N, N, N' , N'-四(2-轻丙基乙二胺))(来自BASF公司)；Pluracol?:基于胺的多元醇(来自BASF公司)；Multranol?:基于胺的多兀醇(来自Bayer MaterialScience LLC公司);三异丙醇胺(TIPA)(来自DowChemical Company 公司)；和三乙醇胺(TEA)(来自于 Mallinckrodt Baker Inc.公司)。表1中列出了多种优选的胺引发的多元醇固化剂。
【权利要求】
1.一种用于抛光基材的化学机械抛光垫，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种；所述化学机械抛光垫包含抛光层，其中，抛光层包含原材料组分的反应产物，原材料组分包括: 多官能异氰酸酯，以及 固化剂组合物，包含: 至少5wt%胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子至少含有一个氮原子；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基； 25-95wt%高分子量的多元醇固化剂，其中，高分子量的多元醇固化剂的数均分子量Mn为2，500-100, 000 ;以及，其中，高分子量的多元醇固化剂平均每分子具有3-10个羟基；以及， 0-70wt%双官能固化剂； 其中，所述抛光层的密度大于0.6g/cm3,邵氏D硬度为5-40，断裂伸长率为100-450%，以及，切削速率为25-150 μ m/hr ;以及,其中，抛光层具有适于抛光基材的抛光表面。
2.权利要求1的化学机械抛光垫，其中，所述固化剂组合物中的活性氢基团与所述多官能异氰酸酯中的未反应异氰酸酯基团的化学计量比为0.85-1.15。
3.权利要求2的化学机械抛光垫，其中，所述多官能异氰酸酯选自脂肪族多官能异氰酸酯、芳香族多官能异氰酸酯及其混合物。
4.权利要求3的化学机械抛光垫，其中，所述双官能固化剂选自二醇固化剂和二胺固化剂。
5.权利要求3的化学机械抛光垫，其中，所述多官能异氰酸酯为具有2-12wt%的未反应NCO基团的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。
6.权利要求5的化学机械抛光垫，其中，所述固化剂组合物包含: 5-20wt%胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子含有两个氮原子；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有4个羟基；以及，其中，胺引发的多元醇固化剂的数均分子量Mn为200-400 ； 50-75wt%高分子量的多元醇固化剂，其中，高分子量的多元醇固化剂的数均分子量Mn为10，000-12，000 ;以及，其中，高分子量的多元醇固化剂平均每分子具有6个羟基； 10-30Wt%双官能固化剂，其中，双官能固化剂为二胺固化剂，选自4，4’ -亚甲基-双-(2-氣苯胺)(MBOCA)、4,4’-亚甲基-双-(3-氣-2,6- 二乙基苯胺)(MCDEA)及其异构体； 其中，所述固化剂组合物中的活性氢基团与所述多官能异氰酸酯中的未反应异氰酸酯基团的化学计量比为0.95-1.05 ； 其中，抛光层的密度为0.75-1.0g / cm3,邵氏D硬度为5_20，断裂伸长率为150-300%，以及，切削速率为30-60 μ m / hr。
7.权利要求6的化学机械抛光垫，其中，所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物具有5-7wt%的未反应NCO基团；以及，其中，所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的数均分子量 Mn 为 400-2，500。
8.权利要求7的化学机械抛光垫，其中，所述抛光表面中形成螺旋形沟槽图案。
9.一种权利要求1所述化学机械抛光垫的制备方法，包括:提供多官能异氰酸酯； 提供固化剂组合物，包括: (i)提供至少5wt%胺引发的多元醇固化剂，其中，胺引发的多元醇固化剂每分子至少含有一个氮原子；其中，胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基； (ii)提供25-95wt%高分子量的多元醇固化剂，其中，高分子量的多元醇固化剂的数均分子量Mn为2，500-100, 000 ;以及，其中，高分子量的多元醇固化剂平均每分子具有3_10个羟基；以及 (iii)提供0-70Wt%双官能固化剂； 混合所述多官能异氰酸酯和所述固化剂组合物，形成混合物； 以及 使所述混合物反应，形成抛光层。
10.一种抛光基材的方法，包括: 提供一种基材，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材的至少一种； 提供权利要求1所述的化学机械抛光垫； 在抛光层的抛光表面和基材之间形成动态接触，从而抛光基材的表面；以及 用磨料修整器修整抛光表面。
【文档编号】B24B37/24GK103802018SQ201310757251
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月1日 优先权日:2012年11月1日
【发明者】钱百年, D·B·詹姆斯, J·穆奈恩, 叶逢蓟, M·德格鲁特 申请人:罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司