磁控阴极溅射镀膜工艺室的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及玻璃镀膜生产【技术领域】，公开一种磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室；本实用新型的磁控阴极溅射镀膜工艺室，在磁控阴极溅射镀膜真空腔室两端设置真空缓冲室和锁定室，可有效降低玻璃基片进出磁控阴极溅射镀膜真空腔室造成的气体泄漏，提高磁控阴极溅射镀膜真空腔室的真空度，并使其维持在稳定的水平，从而提高镀膜质量。
【专利说明】磁控阴极溅射镀膜工艺室【技术领域】
[0001]本实用新型涉及玻璃镀膜生产【技术领域】，特别涉及一种玻璃溅射镀膜工艺室。
【背景技术】
[0002]磁控阴极溅射镀膜是在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场，借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射的过程，为了提高气体的离化率，需要更低的气压，而传统的玻璃溅射镀膜工艺室内真空度难以达到要求，容易造成镀膜质量不佳。
实用新型内容
[0003]有鉴于此，本实用新型提供一种磁控阴极溅射镀膜工艺室，可达到更高的真空度，提闻锻I旲质量。
[0004]本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题:
[0005]磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室。
[0006]进一步，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少32个溅射单元腔室。
[0007]进一步，每个入口气锁室或出口气锁室设置有至少I个旋片真空泵和I个罗茨真空泵。
[0008]进一步，每个缓冲单元腔室设置有至少I个旋片真空泵、I个罗茨真空泵和2个分
子真空泵。
[0009]进一步，每个溅射单元腔室至少设置有I个旋片真空泵、I个罗茨真空泵和I个分
子真空泵。
[0010]进一步，所述磁控阴极溅射镀膜真空腔室中设置有至少4个平面阴极，6个旋转阴极和6个备用阴极位。
[0011]本实用新型的有益效果:本实用新型的磁控阴极溅射镀膜工艺室，在磁控阴极溅射镀膜真空腔室两端设置真空缓冲室和锁定室，可有效降低玻璃基片进出磁控阴极溅射镀膜真空腔室造成的气体泄漏，提高磁控阴极溅射镀膜真空腔室的真空度，并使其维持在稳定的水平，从而提高镀膜质量；真空缓冲室和磁控阴极溅射镀膜真空腔室均采用单元化设计，可以使离子氛围更为均匀。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步描述。
[0013]图1为本实用新型磁控阴极溅射镀膜工艺室的结构示意图。【具体实施方式】
[0014]以下将结合附图对本实用新型进行详细说明。
[0015]如图1所示，本实施例的磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室、出口真空缓冲腔室和磁控阴极溅射镀膜真空腔室都采用单元化设计，所述入口真空缓冲腔室包括4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括32个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括4个缓冲单元腔室。
[0016]每个入口气锁室或出口气锁室设置有I个旋片真空泵和I个罗茨真空泵。每个缓冲单元腔室设置有I个旋片真空泵、I个罗茨真空泵和2个分子真空泵。每个溅射单元腔室至少设置有I个旋片真空泵、I个罗茨真空泵和I个分子真空泵。所述磁控阴极溅射镀膜真空腔室中设置有至少4个平面阴极，6个旋转阴极和6个备用阴极位。
[0017]最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【权利要求】
1.磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于:包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室。
2.如权利要求1所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于:磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少32个溅射单元腔室。
3.如权利要求1或2所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于:每个入口气锁室或出口气锁室设置有至少I个旋片真空泵和I个罗茨真空泵。
4.如权利要求3所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于:每个缓冲单元腔室设置有至少I个旋片真空泵、I个罗茨真空泵和2个分子真空泵。
5.如权利要求4所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于:每个溅射单元腔室至少设置有I个旋片真空泵、I个罗茨真空泵和I个分子真空泵。
6.如权利要求1所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于:所述磁控阴极溅射镀膜真空腔室中设置有至少4个平面阴极，6个旋转阴极和6个备用阴极位。
【文档编号】C23C14/35GK203411603SQ201320412833
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年7月11日 优先权日:2013年7月11日
【发明者】陆仁立 申请人:重庆春江镀膜玻璃有限公司