一种真空镀膜的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种真空镀膜机，包括真空室（1），所述真空室（1）的内腔下部设置有电子枪（2）和辅助离子源（3），在电子枪（2）和辅助离子源（3）的上方设有正对两者的基片架（4），基片架（4）的外侧设有基片加热器（5）；基片架（4）的顶部和真空室（1）内腔顶部相连接的位置处设置有光控系统（6）和晶控系统（7），电子枪（2）、辅助离子源（3）、光控系统（6）和晶控系统（7）通过信号线与监视设备相连。本实用新型通过基片加热器在镀膜前对基片进行稳定均匀加热，以改善膜层致密性和均匀性；用离子束轰击正在生长的膜层，形成致密均匀的膜层结构，提高镀膜膜层的稳定性和质量，达到改善镀膜膜层光学和机械性能的目的。
【专利说明】一种真空镀膜机
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及镀膜【技术领域】，具体地说是一种提高镀膜质量和镀膜层稳定性的真空镀膜机。
【背景技术】
[0002]在现有技术中，真空镀膜机在使用时，基片的镀膜厚度不易控制，且镀膜的质量及膜层的附着度不高，易从基片上脱落。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种提高镀膜质量和镀膜层稳定性的真空镀膜机。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案解决的:
[0005]一种真空镀膜机，包括真空室，其特征在于所述真空室的内腔下部设置有电子枪和辅助离子源，在电子枪和辅助离子源的上方设有正对电子枪和辅助离子源的基片架，基片架的外侧设有与其相对应的基片加热器；所述基片架的顶部和真空室内腔顶部相连接的位置处设置有光控系统和晶控系统，电子枪、辅助离子源、光控系统和晶控系统通过信号线与监视设备相连。
[0006]所述的真空室上还设有真空排气系统，该真空排气系统由回转油泵和扩散油泵组成。
[0007]所述的光控系统通过检测镀层薄膜的透射率和反射率的变化来计算镀膜薄膜的光学厚度。
[0008]所述的晶控系统通过检测基片固有频率的变化推算镀膜薄膜的物理厚度，并根据与基片厚度的差异来自动调节电子枪的电子流能量和辅助离子源的离子束流能量的大小。
[0009]本实用新型相比现有技术有如下优点:
[0010]本实用新型通过基片加热器在镀膜前对基片进行稳定均匀加热，以改善膜层致密性和均匀性；在电子束热蒸发进行的同时辅助离子源产生离子束，用离子束轰击正在生长的膜层，可以形成致密均匀的膜层结构，提高镀膜膜层的稳定性，提高了镀膜层的质量，使之不易脱落，达到改善镀膜膜层光学和机械性能的目的。
[0011]本实用新型采用的真空排气系统由回转油泵和扩散油泵组成，首先通过回转油泵进行粗抽，使真空室内从大气压达到低一中真空，然后通过扩散油泵进行真抽，使真空室内达到高一超高真空；该真空镀膜机具有结构简单、使用方便且镀膜质量好、效率高的特点，适宜推广使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]附图1为本实用新型的真空镀膜机结构示意图。
[0013]其中:1 一真空室；2 —电子枪；3—辅助离子源；4一基片架；5—基片加热器；6—光控系统；7—晶控系统；8—真空排气系统。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步的说明。
[0015]如图1所示:一种真空镀膜机，包括真空室1，在真空室I的内腔下部设置有电子枪2和辅助离子源3，在电子枪2和辅助离子源3的上方设有正对电子枪2和辅助离子源3的基片架4，基片架4的外侧设有与其相对应的基片加热器5，在基片架4的顶部和真空室I内腔顶部相连接的位置处设置有光控系统6和晶控系统7，电子枪2、辅助离子源3、光控系统6和晶控系统7通过信号线与监视设备相连，且光控系统6通过检测镀层薄膜的透射率和反射率的变化来计算镀膜薄膜的光学厚度，晶控系统7通过检测基片固有频率的变化推算镀膜薄膜的物理厚度，并根据与基片厚度的差异来自动调节电子枪2的电子流能量和辅助离子源3的离子束流能量的大小。另外在真空室I上还设有真空排气系统8，该真空排气系统8由回转油泵和扩散油泵组成，使用时通过回转油泵进行粗抽，使真空室I内从大气压达到低一中真空，然后通过扩散油泵进行真抽，使真空室I内达到高一超高真空。
[0016]本实用新型通过基片加热器5在镀膜前对基片进行稳定均匀加热，以改善膜层致密性和均匀性；在电子束2热蒸发进行的同时辅助离子源3产生离子束，用离子束轰击正在生长的膜层，可以形成致密均匀的膜层结构，提高镀膜膜层的稳定性，提高了镀膜层的质量，使之不易脱落，达到改善镀膜膜层光学和机械性能的目的；该真空镀膜机具有结构简单、使用方便且镀膜质量好、效率高的特点，适宜推广使用。
[0017]以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定本实用新型的保护范围，凡是按照本实用新型提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型保护范围之内；本实用新型未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
【权利要求】
1.一种真空镀膜机，包括真空室(1)，其特征在于所述真空室(I)的内腔下部设置有电子枪(2)和辅助离子源(3)，在电子枪(2)和辅助离子源(3)的上方设有正对电子枪(2)和辅助离子源(3)的基片架(4)，基片架(4)的外侧设有与其相对应的基片加热器(5);所述基片架(4)的顶部和真空室(I)内腔顶部相连接的位置处设置有光控系统(6)和晶控系统(7)，电子枪(2)、辅助离子源(3)、光控系统(6)和晶控系统(7)通过信号线与监视设备相连。
2.根据权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于所述的真空室(I)上还设有真空排气系统(8);该真空排气系统(8)由回转油泵和扩散油泵组成。
3.根据权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于所述的光控系统(6)通过检测镀层薄膜的透射率和反射率的变化来计算镀膜薄膜的光学厚度。
4.根据权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于所述的晶控系统(7)通过检测基片固有频率的变化推算镀膜薄膜的物理厚度，并根据与基片厚度的差异来自动调节电子枪(2)的电子流能量和辅助离子源(3)的离子束流能量的大小。
【文档编号】C23C14/30GK203559116SQ201320582320
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年9月22日 优先权日:2013年9月22日
【发明者】王朝阳, 宫睿 申请人:无锡启晖光电科技有限公司