工作盘的制作方法

本实用新型涉及制作工艺，尤其涉及一种工作盘。
背景技术：
：研磨、抛光作为发光二极管(LightEmittingDiode，简称：LED)制作的工序，是将外延生长的圆片减薄到需求程度。在利用LED照明的过程中，如果量子阱发光区产生的热量得不到及时的释放，就会造成结温过高，在过高的温度下使用会加速LED的老化损坏。而研磨使圆片能够有效的将热量及时的散发到基座上，并能提高光的透光效率。在研磨、抛光圆片过程中，现有技术通过使用蜡液将待加工圆片固定在工作盘上，其中，工作盘为具有一定高度的圆柱体，待加工圆片是完全裸露在工作盘上。但采用上述工作盘研磨或抛光待加工圆片时，由于研磨机或抛光机异常或参数设置错误，可能导致最终获得的圆片误差过大或区域性损坏，从而降低产品的良品率。技术实现要素：针对现有工作盘的缺陷，本实用新型提供一种工作盘，以避免最终获得的衬圆片误差过大或区域性损坏的问题，提高产品的良品率。本实用新型提供一种工作盘。所述工作盘的下底面平整，所述工作盘的上底面设有凹槽，所述凹槽用于放置待加工圆片。如上所述的工作盘，其中，所述凹槽均匀分布在所述工作盘的上底面的圆周区域。如上所述的工作盘，其中，所述凹槽均匀分布在所述工作盘的上底面。如上所述的工作盘，其中，所述凹槽的深度与所述待加工圆片的目标厚度的差值小于预设值，所述预设值的标准差为±5微米。如上所述的工作盘，其中，所述凹槽具有平边。如上所述的工作盘，其中，所述工作盘的下底面吸附在研磨机或抛光机的工作台上工作。如上所述的工作盘，其中，所述工作盘的材质为耐高温材料。如上所述的工作盘，其中，采用蜡液将所述待加工圆片固定在所述凹槽内。如上所述的工作盘，其中，所述工作盘的直径大小根据研磨机或抛光机的工作台大小确定，所述工作盘的厚度根据所述待加工圆片的目标厚度确定。本实用新型的工作盘，通过在工作盘的上底面设置凹槽，使得待加工圆片相对固定在凹槽内，从而避免由于研磨机或抛光机异常或参数设置错误所导致的最终获得的圆片误差过大或区域性损坏，以提高产品的良品率。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型实施例一提供的工作盘的俯视图；图2为图1所示工作盘沿中心线的纵向剖视图；图3为本实用新型实施例二提供的工作盘的俯视图；图4为本实用新型实施例提供的工作盘中一种凹槽形状的示意图。附图标记说明：101：工作盘；102：凹槽。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。现有技术在研磨或抛光制程使用圆形无凹槽工作盘。在加工过程中，直接将待加工圆片用蜡液固定在工作盘圆周进行研磨和抛光，没有对待加工圆片进行保护。但在实际生产过程中，由于研磨机系统测量误差、研磨机砂轮轴进给异常、抛光机真空压重异常、零部件故障或抛光速率异常等问题，经常会使圆片出现厚度异常(主要是厚度偏薄)和圆片区域性损坏。基于上述问题，本实用新型提供一种工作盘，在研磨或抛光过程中，只对待加工圆片高于工作盘凹槽部分进行加工，避免了在研磨或抛光过程出现的加工得到圆片厚度异常和区域性损坏，有效提高了产品的良品率。图1为本实用新型实施例一提供的工作盘的俯视图。图2为图1所示工作盘沿中心线的纵向剖视图。参考图1和图2，工作盘101是具有一定厚度的圆柱体。工作盘101的下底面平整，工作盘101的上底面设有凹槽102，凹槽102用于放置待加工圆片。其中，待加工圆片包括衬底层和发光层。将待加工圆片放置在凹槽102中时，衬底层朝上，发光层朝下。在实际应用时，首先，根据待加工圆片型号的目标厚度，及研磨机或抛光机的工作台大小，选择相对应的工作盘101。也即，工作盘101的直径大小根据研磨机或抛光机的工作台大小确定，工作盘101的厚度根据待加工圆片的目标厚度确定。其中，凹槽的深度与待加工圆片的目标厚度的差值小于预设值，该预设值的标准差为±5微米。然后，将待加工圆片采用蜡液固定在工作盘101的凹槽102中，且工作盘101的下底面吸附在研磨机或抛光机的工作台上工作。制程中研磨机或抛光机只能对待加工圆片高于凹槽102部分进行研磨、抛光。当设备出现异常时，如研磨机过磨或抛光机设定移除值偏高时，工作盘101保护待加工圆片，不再进行过度加工。该实施例通过在工作盘的上底面设置凹槽，使得待加工圆片相对固定在凹槽内，从而避免由于研磨机或抛光机异常或参数设置错误所导致的最终获得的圆片误差过大或区域性损坏，以提高产品的良品率。可选地，凹槽102可以均匀分布在工作盘101的上底面的圆周区域，如图1所示。或者，凹槽102也可以均匀分布在工作盘101的整个上底面，如图3所示。再者，凹槽还可以非均匀分布在工作盘的上底面的圆周区域或整个上底面。也就是说，凹槽在上底面的具体分布情况可根据实际需求进行设置，本实用新型不对其进行限制。对于凹槽102的具体形状，可以为圆形、四边形，等等，可视待加工圆片的形状进行设置。示例性的，图4示出一种具有平边的圆形凹槽。其中，工作盘101的材质可以为耐高温材料，例如，陶瓷、合金等。以下通过具体实例说明根据本实用新型提供的工作盘的应用。实例一：待加工圆片的目标厚度为110微米(um)，选择凹槽深度为110um的工作盘。首先，利用蜡液将待加工圆片需减薄的一面朝上固定在凹槽内；然后，将工作盘的下底面吸附在研磨机的工作台上；设置研磨机参数，进行研磨；研磨完成后进行抛光，再将最终获得的圆片卸下，测量数据。使用本实用新型提供的工作盘进行研磨、抛光后数据如下：研磨机主要参数如表1所示：表1目标值砂轮轴转速工作轴转速停留时间进刀速度粗加工260um1100转/分钟60转/分钟5秒0.7微米/秒精加工180um1100转/分钟60转/分钟5秒0.6微米/秒校准140um1100转/分钟60转/分钟15秒0.4微米/秒抛光机主要参数如表2所示：表2压力移除率铜盘转速工作轴转速粗加工75牛顿2.7微米/分钟40转/分钟65转/分钟精加工80牛顿2.7微米/分钟40转/分钟65转/分钟校准75牛顿2.7微米/分钟40转/分钟65转/分钟最终获得的圆片测量数据如表3所示：表3目标值110um110um110um110um110um110um110um110um110um110um实际值112um111um110um112um111um111um110um113um112um112um参考表3可知，最终获得的圆片的厚度为110um或111um或112um或113um，与目标厚度为110um最大相差3um，在误差允许范围内，为良品。需说明的是，表1至表3以及表4至表6中各数据和术语的具体含义可参考现有技术，此处不再赘述。实例二：待加工圆片的目标厚度为85um，选择凹槽深度为85um的工作盘。首先，利用蜡液将待加工圆片需减薄的一面朝上固定在凹槽内；然后，将工作盘的下底面吸附在研磨机的工作台上；设置研磨机参数，进行研磨；研磨完成后进行抛光，再将最终获得的圆片卸下，测量数据。使用本实用新型提供的工作盘进行研磨、抛光后数据如下：研磨机主要参数如表4所示：表4抛光机主要参数如表5所示：表5压力移除率铜盘转速工作轴转速粗加工75牛顿2.6微米/分钟70转/分钟65转/分钟精加工80牛顿2.6微米/分钟70转/分钟65转/分钟校准75牛顿2.6微米/分钟70转/分钟65转/分钟最终获得的圆片测量数据如表6所示：表6参考表6可知，最终获得的圆片的厚度为84um或85um或86um或87um或88um，与目标厚度为85um最大相差3um，在误差允许范围内，为良品。本实用新型提供的工作盘，通过在工作盘的上底面设置凹槽，使得待加工圆片相对固定在凹槽内，从而避免由于研磨机或抛光机异常或参数设置错误所导致的最终获得的圆片误差过大或区域性损坏，以提高产品的良品率。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。当前第1页1 2 3