本发明涉及半导体加工，尤其涉及一种抛光垫修整器、抛光垫及硅片。
背景技术：
1、化学机械抛光技术(chemical mechanical polishing，cmp)属于化学作用和机械作用相结合的技术，其是半导体制程中获得全局平坦化的一种手段。cmp处理过程中，首先待加工硅片表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层。然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，使待加工硅片表面重新裸露出来。然后再进行化学反应，这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成待加工硅片表面抛光。抛光垫对经过化学机械抛光形成的表面的质量具有重要影响。
2、化学机械抛光设备中通常通过抛光垫修整器对抛光垫的表面进行修整，去除釉化层，以恢复抛光垫表面粗糙度。
3、边缘平坦度(edege flatness)是硅片平坦度中及其重要的参数。然而，现有技术中cmp工序处理后的硅片边缘平坦度有待提高。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术中至少一种技术问题，本公开实施例提供了一种抛光垫修整器、抛光垫及硅片。
2、本公开实施例所提供的技术方案如下：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种抛光垫修整器，包括修整器本体，所述修整器本体具有用于对抛光垫的表面进行修整的修整面，所述修整面上具有修整区，所述修整区被构造为具有磨粒；其中所述修整区包括若干子修整区，且若干所述子修整区沿着所述修整面的周向依次间隔分布，且所述修整区在所述修整面上的总面积占比为10～30％。
4、示例性的，所述子修整区的形状为圆形，且各个所述子修整区的面积相同。
5、示例性的，若干所述子修整区沿所述修整面的周向均匀分布，任意相邻两个所述子修整区之间对应的圆心角均相同。
6、示例性的，任意相邻两个所述子修整区之间对应的圆心角的取值范围为60～120°。
7、示例性的，所述修整区中的磨粒目数为大于或等于200目。
8、示例性的，所述修整面还包括支撑区，若干所述子修整区围绕在所述支撑区的外围。
9、第二方面，本公开实施例还提供了一种抛光垫，所述抛光垫具有通过如上所述的抛光垫修整器进行修整得到的表面。
10、示例性的，所述抛光垫的材质硬度大于或等于80jis-a。
11、示例性的，所述抛光垫的材质包括聚氨酯。
12、第三方面，本公开实施例还提供了一种根据如上所述的抛光垫研磨得到的硅片，所述硅片的边缘部位正面基准最小二乘范围esfqr值的范围为20～40纳米。
13、本公开实施例所带来的有益效果如下：
14、本公开实施例中提供的抛光垫修整器、抛光垫及硅片中，在抛光垫修整器的修整面上设置有修整区，且修整区被构造为包括若干子修整区，若干子修整区沿着修整面周向依次间隔分布，且所有子修整区在修整面上的总面积占比为10～30％，这样，通过对抛光垫修整器上的修整区进行优化设计，通过增大修整区在修整面上的总面积占比，来增加修整区与抛光垫的接触面积，以提高修整后的抛光垫的均匀性和平整性，进而使得抛光垫在对硅片进行抛光加工过程中作用到硅片上的力更为均匀，以改善硅片边缘平坦度；同时，将修整区设计为沿着修整面的周向依次间隔分布的若干子修整区，可以在增大修整区在修整面上的总面积占比的同时，避免修整区覆盖区域过大，而造成对抛光垫修整过度，从而确保达到预期的抛光垫修整效果，以改善硅片边缘平坦度。
1.一种抛光垫修整器，其特征在于，包括修整器本体，所述修整器本体具有用于对抛光垫的表面进行修整的修整面，所述修整面上具有修整区，所述修整区被构造为具有磨粒；其中所述修整区包括若干子修整区，且若干所述子修整区沿着所述修整面的周向依次间隔分布，且所述修整区在所述修整面上的总面积占比为10～30％。
2.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述子修整区的形状为圆形，且各个所述子修整区的面积相同。
3.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，若干所述子修整区沿所述修整面的周向均匀分布，任意相邻两个所述子修整区之间对应的圆心角均相同。
4.根据权利要求3所述的抛光垫修整器，其特征在于，任意相邻两个所述子修整区之间对应的圆心角的取值范围为60～120°。
5.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述修整区中的磨粒目数为大于或等于200目。
6.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述修整面还包括支撑区，若干所述子修整区围绕在所述支撑区的外围。
7.一种抛光垫，其特征在于，所述抛光垫具有通过如权利要求1至6中的任一项所述的抛光垫修整器进行修整得到的表面。
8.根据权利要求7所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫的材质硬度大于或等于80jis-a。
9.根据权利要求8所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫的材质包括聚氨酯。
10.一种根据权利要求1-9中的任一项所述的抛光垫研磨得到的硅片，其特征在于，所述硅片的边缘部位正面基准最小二乘范围esfqr值的范围为20～40纳米。