用于TFT玻璃基板薄化工艺预处理的组合物的制作方法

文档序号:12393563阅读:279来源:国知局

本发明涉及用于TFT玻璃基板蚀刻预处理的组合物。



背景技术:

TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)显示屏是液晶显示屏的一种,其主要结构为包括在两层玻璃基板之间的液晶材料。市场需求的TFT显示屏越来越朝超薄方向发展,在制作超薄TFT显示屏使需要的玻璃基板厚度更薄,需要对现有规格玻璃基板进行薄化处理,现有技术中多采用含有氢氟酸的蚀刻液进行薄化处理,在薄化处理后玻璃基板表明往往会出现局部过蚀产生的凹坑,需要再对基板表明进行长时间的抛光处理,严重影响了生产效率,提高了加工成本。为了减少薄化处理出现的凹坑,除了在以氢氟酸为基础的蚀刻液中加入助剂外,还可以采用在薄化处理前对TFT液晶屏的玻璃基板(简称TFT玻璃)进行预处理的方法,中国专利CN 103951270 B公开了一种对TFT玻璃进行薄化预处理的方法,采用90-95%、3-5%、2-5%的浓硫酸、浓盐酸以及氢氟酸的混合酸液;对TFT玻璃基板进行预处理。该方法虽然可以实现一定的减少薄化后玻璃基板凹坑的效果,但预处理的混合酸中加入了大量的浓硫酸,预处理工序后产生的废液难于进行处理。因此提供一种新的TFT玻璃薄化预处理用产品,在提高处理效果的基础上降低污染排放,成为现有技术中亟待解决的问题。



技术实现要素:

为解决前述技术问题,本发明提供了一种TFT玻璃蚀刻预处理液及其处理工艺,通过优化预处理液的处方和处理工艺,成功的实现了避免了浓硫酸等造成严重污染且难于处理的原材料的使用。

本发明提供了用于TFT玻璃基板薄化工艺预处理的组合物,其特征在于所述组合物由以下组分组成:

质量百分比含量10~20%的盐酸(HCl),质量百分比含量2%~5%的氢氟酸(HF),质量百分比含量5~10%的羧甲基纤维素钠(CMC-Na),质量百分比含量2~3%的聚乙烯吡咯烷酮K90(PVP K90),质量百分含量10~20%的乙醇及余量的水。

所述的用于TFT玻璃基板薄化工艺预处理的组合物,其特征在于以如下方法配制,

1)将处方量盐酸与氢氟酸混合,并加入适量水稀释

2)将处方量的羧甲基纤维素钠、聚乙烯吡咯烷酮K90溶于适量水中至完全溶解;

3)将步骤1)得到的混合液缓慢加入步骤2)的混合液中,加入处方量的乙醇并补足处方量的水后搅拌均匀。

在研究中我们发现,当采用本发明提供的组合物对TFT玻璃基板按照本发明提供的工艺进行预处理后,可以显著降低薄化工艺后基板表面的凹坑,大大减少再研磨工序的时间,而本发明提供的组合物,通过优化组方与配比,提供了一种新的用于预处理的组合物,在保证了预处理效果的同时,避免了现有技术中采用浓硫酸为主要成分的预处理液在使用时的不安全性和废液难于处理的问题,且在实验中我们发现,本发明提供的预处理组合物,意外的提高了玻璃基板对CF面的处理效果,从而降低了对薄化后玻璃基板的整体研磨时间,进一步提高了预处理效果。

具体实施方式

本发明提供的用于TFT玻璃基板薄化工艺预处理的组合物,以如下方法配制,

1)将处方量盐酸与氢氟酸混合,并加入适量水稀释

2)将处方量的羧甲基纤维素钠、聚乙烯吡咯烷酮K90溶于适量水中至完全溶解;

3)将步骤1)得到的混合液缓慢加入步骤2)的混合液中,加入处方量的乙醇并补足处方量的水。

实施例1~4的配方见下表(质量百分比wt%)

对实施例1~4得到的组合物进行薄化预处理的方法如下

取用原材料为板硝子AN100相同厂家同批次的TFT玻璃面板进行,其厚度为1.000mm,尺寸为730mm×920mm。所采用的蚀刻及抛光设备分别为东莞鸿村蚀刻机和湖南永创抛光机。

预处理方法为

1)配制用于TFT玻璃基板薄化工艺预处理的组合物1000L(以下简称预处理液)

2)将预处理液打入蚀刻机酸槽中,把5片TFT基板(编号为I~V)浸泡在混合液中,去除玻璃表面双层60微米;

3):用清水洗净玻璃表面,在表面湿润的条件下再进入氢氟酸蚀刻液中,浓度为9mol/L,温度控制在30℃条件,薄化至0.5mm厚度。

领取5片TFT基板(编号i~v)清水清洗后直接进入氢氟酸蚀刻液中浓度为9mol/L,温度控制在30℃条件,薄化至0.5mm厚度,并作为对照组

在同一台永创抛光机1300-3#上,压力60g/cm2,下盘转速50,上盘转速40,研磨垫为环球LP-66型号,抛光粉为德乐士101型号,吸附垫为FUJIBO BPE211型号,每研磨5分钟检验一次表面效果,记录研磨后检验没有凹坑的累计研磨时间如表1所示

实验结果表明,采用本发明提供的预处理液进行预处理后的玻璃基板在进行薄化工艺处理后可以显著减少面板上的凹坑。

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