一种高导电性二硫化钼材料及其制备方法、应用与流程

本发明属于二硫化钼材料技术领域，涉及一种二硫化钼材料及其制备方法、应用，尤其涉及一种高导电性二硫化钼材料及其制备方法、应用。

背景技术：

二硫化钼(mos2)是一种二维过度金属硫族化合物，是由天然钼精矿粉经化学提纯后改变分子结构而制成的固体粉剂，具有独特的“三明治”结构，其层内具有较强的共价键作用，层与层之间是范德华力作用。二硫化钼化学性质非常稳定，是重要的固体润滑剂，特别适用于高温高压下，被誉为“高级固体润滑油王”，触之有滑腻感，不溶于水，具有分散性好，不粘结的优点，可添加在各种油脂里，形成绝不粘结的胶体状态，能增加油脂的润滑性和极压性。也适用于高温、高压、高转速高负荷的机械工作状态，延长设备寿命。而且二硫化钼还有抗磁性，可用作线性光电导体和显示p型或n型导电性能的半导体，具有整流和换能的作用，还可用作复杂烃类脱氢的催化剂。此外，二硫化钼还可成为制作晶体管的新型材料。相较于同属二维材料的二硫化钼材料，二硫化钼拥有1.8ev的能带隙，而石墨烯则不存在能带隙，因此，二硫化钼还可能在纳米晶体管领域拥有很广阔的应用空间。不仅如此，二硫化钼(mos2)纳米片还具有高比表面积和具有很好的耐高温性能，同时具有耐辐射性能及高承载能力，正是由于其具有这些优良的特性，使之成为新型研究的热点材料。然而，二硫化钼的导电能力较差，阻碍了mos2在热点材料领域的应用。因此，设计一种高导电性的mos2是一个关键的挑战。

到目前为止，现有技术中已经有几种方法可以有效地提高mos2的导电性能，主要集中在金属掺杂及与其它半导体复合，从而提高二硫化钼的导电性，例如，专利cn107302050a报道了一种通过金属铜掺杂mos2提高二硫化钼导电性的方法；专利cn106381481b报道了一种通过金属掺杂mos2提高二硫化钼导电性的方法；专利cn109192974a报道了一种通过硫化钴与二硫化钼复合提高导电性；专利cn106229472b报道了一种通过二硫化钼材料与二硫化钼复合提高导电性的方法。然而，上述这些提高二硫化钼导电性的主要方法是金属掺杂、与半导体复合的形式等，金属的稀缺性和半导体多步复合的制备方法限制了实际应用，也阻碍了二硫化钼电性能的提高，存在导电性能不稳定，重复制备效果差、制备方法工艺复杂、成本高等等问题。

因此，如何找到一种适宜的提高二硫化钼材料导电性的方法，解决上述现备方法中存在的技术问题，得到具有更好的导电性的二硫化钼材料产品，同时具有较好的工业化前景，已成为业内诸多研发型企业以及一线研究人员亟待解决的难题之一。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种二硫化钼材料及其制备方法、应用，特别是一种高导电性二硫化钼材料的制备方法，本发明能够在低成本、无污染的条件下快速制备具有高导电性的二硫化钼微片，制备工艺简单、易操作、成本低，更加适于工业化推广及应用，能够进一步扩宽二硫化钼的应用领域，推动二硫化钼的快速发展。

本发明提供了一种二硫化钼材料，所述二硫化钼材料含有氧元素；

所述二硫化钼材料中的氧原子含量小于等于1at％。。

优选的，所述二硫化钼材料的氧原子含量为0.1at％～1at％；

所述二硫化钼材料为二硫化钼微片。

优选的，所述二硫化钼材料的片径为1～3μm；

所述二硫化钼材料的厚度为5～12nm；

所述二硫化钼材料由二硫化钼粉末经过低氧煅烧后得到。

本发明提供了一种二硫化钼材料的制备方法，包括以下步骤：

1)将二硫化钼粉末和水经过分散后，得到分散液；

2)将上述步骤得到的分散液离心和干燥后，得到微片材料；

3)在低氧的条件下，将上述步骤得到的微片材料进行煅烧后，得到二硫化钼材料。

优选的，所述二硫化钼粉末的片径为5～10μm；

所述二硫化钼粉末与水的质量比为(0.5～3)：100；

所述分散的方式包括超声搅拌。

优选的，所述超声搅拌的超声频率为20～40khz；

所述超声搅拌的转速为300～500rpm；

所述超声搅拌的时间为120～360min。

优选的，所述离心的时间为5～20min；

所述离心的转速为3000～5000rpm；

所述干燥的温度为40～80℃；

所述干燥的时间为6～24h。

优选的，所述干燥后还包括研磨步骤；

所述研磨的时间为30～60min；

所述研磨的转速为1000～1500rpm；

所述微片材料的粒度为1～3μm。

优选的，所述低氧的条件包括氧气和保护性气体；

所述氧气与所述保护性气体的体积比为(1～5):100；

所述煅烧的升温速率为10～15℃/min；

所述煅烧的温度为200～350℃；

所述煅烧的时间为30～120min。

本发明还提供了上述技术方案任意一项所述的二硫化钼材料或上述技术方案任意一项所述的制备方法所制备的二硫化钼材料在导电填料领域中的应用。

本发明提供了一种二硫化钼材料，所述二硫化钼材料含有氧元素；所述二硫化钼材料中的氧原子含量小于等于1at％。与现有技术相比，本发明针对现有的提高二硫化钼导电性的主要方法是金属掺杂、与半导体复合的形式等，而金属的稀缺性和半导体多步复合的制备方法限制了实际应用，也阻碍了二硫化钼电性能的提高，存在导电性能不稳定，重复制备效果差、制备方法工艺复杂、成本高等等问题，难以实现大规模的工业化生产和推广应用。

本发明创造性的得到了一种具体较高导电性的二硫化钼材料，该二硫化钼材料中含有少量的氧元素(氧原子)，二硫化钼中氧的存在可以调控混乱度，并且氧的引入降低了二硫化钼的带隙，增强了其本征导电性，而混乱结构的可控调控实现畴间导电性的优化，最终达到了提高导电性的目的。而且本发明采用了一种快速简单方法制备上述具有高导电性的二硫化钼微片，通过在少氧氛围下低温煅烧，得到了高导电的二硫化钼微片，再结合特定的整体制备过程，还使得制备的二硫化钼微片具有优异的分散性。本发明提供的制备方法工艺简单、易操作、成本低及适合大规模制备，扩宽二硫化钼的应用领域，推动二硫化钼的快速发展。

实验结果表明，本发明采用包括低氧氛围下煅烧二硫化钼的制备过程，可以提高其高电性能，其电导率大约是商业二硫化钼的6.2倍。

附图说明

图1为本发明提供的制备高导电性二硫化钼材料的工艺流程简图；

图2为本发明实施例3制备的mos2的tem透射电镜图；

图3为本发明实施例3制备的mos2的粒径分布图。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为了进一步说明本发明的特征和优点，而不是对发明权利要求的限制。

本发明所有原料，对其来源没有特别限制，在市场上购买的或按照本领域技术人员熟知的常规方法制备的即可。

本发明所有原料，对其纯度没有特别限制，本发明优选采用分析纯、二硫化钼材料制备或导电填料添加剂领域常规的纯度要求。

本发明所有原料，其牌号和简称均属于本领域常规牌号和简称，每个牌号和简称在其相关用途的领域内均是清楚明确的，本领域技术人员根据牌号、简称以及相应的用途，能够从市售中购买得到或常规方法制备得到。

本发明提供了一种二硫化钼材料，所述二硫化钼材料含有氧元素；所述二硫化钼材料中的氧原子含量小于等于1at％。

本发明所述二硫化钼材料中的氧原子含量小于等于1at％。本发明原则上对所述二硫化钼材料中的氧原子(氧元素)具体含量没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述二硫化钼材料的氧原子含量优选为0.1at％～1at％，更优选为0.2at％～0.9at％，更优选为0.3at％～0.8at％，更优选为0.4at％～0.7at％，更优选为0.5at％～0.6at％。

本发明原则上对所述二硫化钼材料的形貌没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述二硫化钼材料优选为二硫化钼微片。

本发明原则上对所述二硫化钼材料的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述二硫化钼材料的片径优选为1～3μm，更优选为1.2～2.8μm，更优选为1.5～2.5μm，更优选为1.8～2.2μm。所述二硫化钼材料的厚度优选为5～12nm，更优选为6～11nm，更优选为7～10nm，更优选为8～9nm。

本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述二硫化钼材料优选由二硫化钼粉末经过低氧煅烧后得到。更具体的，

本发明还提供了一种二硫化钼材料的制备方法，包括以下步骤：

1)将二硫化钼粉末和水经过分散后，得到分散液；

2)将上述步骤得到的分散液离心和干燥后，得到微片材料；

3)在低氧的条件下，将上述步骤得到的微片材料进行煅烧后，得到二硫化钼材料。

本发明对上述制备方法中原料和产品的参数、选择，以及相应的优选原则，与前述二硫化钼材料中的原料和产品的参数、选择，以及相应的优选原则均可以进行对应，在此不再一一赘述。

本发明首先将二硫化钼粉末和水经过分散后，得到分散液。

本发明原则上对所述二硫化钼粉末的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述二硫化钼粉末的片径优选为5～10μm，更优选为6～9μm，更优选为7～8μm。

本发明原则上对所述水的具体加入量没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述二硫化钼粉末与水的质量比优选为(0.5～3)：100，更优选为(0.7～2.8)：100，更优选为(1～2.5)：100，更优选为(1.2～2.3)：100，更优选为(1.5～2.0)：100。

本发明原则上对所述分散的具体方式没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述分散的方式优选包括超声搅拌。

本发明原则上对所述超声搅拌的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述超声搅拌的超声频率优选为20～40khz，更优选为22～38khz，更优选为25～35khz，更优选为27～32khz。所述超声搅拌的转速优选为300～500rpm，更优选为320～480rpm，更优选为350～450rpm，更优选为370～430rpm。所述超声搅拌的时间优选为120～360min，更优选为150～330min，更优选为180～300min，更优选为210～270min。

本发明随后将上述步骤得到的分散液离心和干燥后，得到微片材料。

本发明原则上对所述离心的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述离心的时间优选为5～20min，更优选为7～18min，更优选为10～15min。所述离心的转速优选为3000～5000rpm，更优选为3200～4800rpm，更优选为3500～4500rpm，更优选为3800～4200rpm。

本发明原则上对所述离心的具体过程没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述离心的过程特别优选采用先离心取上层液，再离心取下层液。本发明所述先离心的转速优选为500～1000rpm，更优选为600～900rpm，更优选为700～800rpm。所述先离心的时间优选为3～5min，更优选为3.3～4.8min，更优选为3.5～4.5min，更优选为3.7～4.3min。所述再离心的转速优优选为3000～5000rpm，更优选为3200～4800rpm，更优选为3500～4500rpm，更优选为3800～4200rpm。所述再离心的时间优选为5～10min，更优选为6～9min，更优选为7～8min。

本发明原则上对所述干燥的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述干燥的温度优选为40～80℃，更优选为45～75℃，更优选为50～70℃，更优选为55～65℃。所述干燥的时间优选为6～24h，更优选为10～20h，更优选为14～16h。

本发明为完整和细化整体制备工艺，进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述干燥后优选还包括研磨步骤。本发明原则上对所述研磨的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述研磨的时间优选为30～60min，更优选为35～55min，更优选为40～50min。所述研磨的转速优选为1000～1500rpm，更优选为1100～1400rpm，更优选为1200～1300rpm。所述微片材料的粒度优选为1～3μm，更优选为1.2～2.8μm，更优选为1.5～2.5μm，更优选为1.8～2.3μm。

本发明最后在低氧的条件下，将上述步骤得到的微片材料进行煅烧后，得到二硫化钼材料。

本发明原则上对所述低氧的具体条件没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述低氧的条件特别优选是指含有少量氧气的情况下，具体可以包括氧气和保护性气体。其中。所述保护性气体优选包括氮气和/或惰性气体，具体可以为氮气和/或氩气，更可以为氮气或氩气。

本发明原则上对所述低氧的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述氧气与所述保护性气体的体积比优选为(1～5):100，更优选为(1.5～4.5):100，更优选为(2～4):100，更优选为(2.5～3.5):100。

本发明原则上对所述煅烧的具体参数没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求进行选择和调整，本发明为进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，所述煅烧的升温速率优选为10～15℃/min，更优选为11～14℃/min，更优选为12～13℃/min。所述煅烧的温度优选为200～350℃，更优选为220～330℃，更优选为250～300℃。所述煅烧的时间优选为30～120min，更优选为45～105min，更优选为60～90min。

本发明为完整和细化整体制备工艺，进一步保证二硫化钼材料的性质，提高二硫化钼的导电性和分散性，更加有利于后续均匀分散和利用，上述整体制备工艺具体可以为以下步骤：

将一定量的二硫化钼粉末加入到去离子水中，形成混合液，经过超声分散形成分散液；然后先低速离心，取上层溶液，进一步进行高速离心取下层溶液；最后放在60℃真空干燥中过夜烘干、研磨，形成二硫化钼微片；

取一定质量的二硫化钼微片放入刚玉坩埚中，然后转移到真空炉中煅烧，通入氧气和氩气的混合气体，以一定的升温速率升到所需要的煅烧温度，恒温煅烧一定的时间，自然冷却；收集样品。

本发明还提供了上述技术方案任意一项所述的二硫化钼材料或上述技术方案任意一项所述的制备方法所制备的二硫化钼材料在导电填料领域中的应用。

参见图1，图1为本发明提供的制备高导电性二硫化钼材料的工艺流程简图。

本发明上述步骤提供了一种高导电性二硫化钼材料及其制备方法、应用。本发明制备的具体较高导电性的二硫化钼材料，该二硫化钼材料中含有少量的氧元素(氧原子)，二硫化钼中氧的存在可以调控混乱度，并且氧的引入降低了二硫化钼的带隙，增强了其本征导电性，而混乱结构的可控调控能够实现畴间导电性的优化，最终达到了提高导电性的目的。而且本发明采用了一种快速简单方法制备上述具有高导电性的二硫化钼微片，通过在特定的少氧氛围下和特定煅烧参数的条件下进行低温煅烧，得到了高导电的二硫化钼微片，而且通过煅烧参数能够调控二硫化钼微片中氧含量，从而调控导电性能，再结合整体制备过程和相关工艺参数的控制，还使得制备的二硫化钼微片具有优异的分散性。本发明提供的制备方法工艺简单、易操作、成本低及适合大规模制备，扩宽二硫化钼的应用领域，推动二硫化钼的快速发展。

实验结果表明，本发明采用包括低氧氛围下煅烧二硫化钼的制备过程，可以提高其高电性能，其电导率大约是商业二硫化钼的6.2倍。

为了进一步说明本发明，以下结合实施例对一种二硫化钼材料及其制备方法、应用进行详细描述，但是应当理解，这些实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制，本发明的保护范围也不限于下述的实施例。

实施例1

将一定量的二硫化钼粉末加入到去离子水中，二硫化钼粉和水质量比为1：100，形成混合液，经过超声分散120min，形成分散液；随后先低速500rmp/min离心5min，取上层溶液，再通过高速离心，速率为5000r/min，离心10min，取下层溶液；然后放在60℃真空干燥中过夜烘干、研磨，形成二硫化钼微片。

对本发明实施例1中制备的mos2进行电化学性能测试。

采用本发明实施例1制备的二硫化钼微片与商业二硫化钼制作薄膜进行对比电化学实验。

参见表2，表2为实施例1～5和商业二硫化钼制备的二硫化钼薄膜的电导率测试结果(四探针法)。

由表2可以看出，本发明制备的含有微量氧原子的二硫化钼材料，能够明显的提高二硫化钼的导电性能，具体更好的导电性。

实施例2

将一定量的二硫化钼粉末加入到去离子水中，二硫化钼粉和水质量比为1：100，形成混合液，经过超声分散120min，形成分散液；随后先低速500rmp/min离心5min，取上层溶液，再通过高速离心，速率为5000r/min，离心10min，取下层溶液；然后放在60℃真空干燥中过夜烘干、研磨，形成二硫化钼微片；取一定质量的二硫化钼微片放入刚玉坩埚中，然后转移到真空炉中煅烧，通入氩气，以10℃/min升温速率升到300℃温度，恒温煅烧2h，自然冷却；收集样品。

对本发明实施例2中制备的mos2进行电化学性能测试。

采用本发明实施例2制备的二硫化钼微片与商业二硫化钼制作薄膜进行对比电化学实验。

参见表2，表2为实例1～5和商业二硫化钼制备的二硫化钼薄膜的电导率测试结果(四探针法)。

由表2可以看出，本发明制备的含有微量氧原子的二硫化钼材料，能够明显的提高二硫化钼的导电性能，具体更好的导电性。

实施例3

将一定量的二硫化钼粉末加入到去离子水中，二硫化钼粉和水质量比为1：100，形成混合液，经过超声分散120min，形成分散液；随后先低速500rmp/min离心5min，取上层溶液，再通过高速离心，速率为5000r/min，离心10min，取下层溶液；然后放在60℃真空干燥中过夜烘干、研磨，形成二硫化钼微片；取一定质量的二硫化钼微片放入刚玉坩埚中，然后转移到真空炉中煅烧，通入95％氩气和5％氧气混合气体，以10℃/min升温速率升到300℃温度，恒温煅烧2h，自然冷却；收集样品。

将本发明实施例3中制备的mos2微片在水中进行分散，测试分散性能。

参见图1，图1为本发明实施例3制备的mos2在水中的分散液的金相光学显微镜图。

由图1可知，本发明制备的mos2微片具有良好的分散性。

将本发明实施例3中制备的mos2微片进行表征。

参见图2，图2为本发明实施例3制备的mos2的tem透射电镜图。

将本发明实施例3中制备的mos2微片进行粒度检测。

参见图3，图3为本发明实施例3制备的mos2的粒径分布图。

参见表1，表1为本发明实施例3制备的mos2的粒径分布检测分析表。

表1

对本发明实施例3中制备的mos2进行电化学性能测试。

采用本发明实施例3制备的二硫化钼微片与商业二硫化钼制作薄膜进行对比电化学实验。

参见表2，表2为实施例1～5和商业二硫化钼制备的二硫化钼薄膜的电导率测试结果(四探针法)。

由表2可以看出，本发明制备的含有微量氧原子的二硫化钼材料，能够明显的提高二硫化钼的导电性能，具体更好的导电性。

实施例4

将一定量的二硫化钼粉末加入到去离子水中，二硫化钼粉和水质量比为1：100，形成混合液，经过超声分散120min，形成分散液；然后先低速500rmp/min离心5min，取上层溶液，再通过高速离心，速率为5000r/min，离心10min，取下层溶液；然后放在60℃真空干燥中过夜烘干、研磨，形成二硫化钼微片；取一定质量的二硫化钼微片放入刚玉坩埚中，然后转移到真空炉中煅烧，通入95％氩气和5％氧气混合气体，以10℃/min升温速率升到300℃温度，恒温煅烧0.5h，自然冷却；收集样品。

对本发明实施例4中制备的mos2进行电化学性能测试。

采用本发明实施例4制备的二硫化钼微片与商业二硫化钼制作薄膜进行对比电化学实验。

参见表2，表2为实施例1～5和商业二硫化钼制备的二硫化钼薄膜的电导率测试结果(四探针法)。

由表2可以看出，本发明制备的含有微量氧原子的二硫化钼材料，能够明显的提高二硫化钼的导电性能，具体更好的导电性。

实施例5

将一定量的二硫化钼粉末加入到去离子水中，二硫化钼粉和水质量比为1：100，形成混合液，经过超声分散120min，形成分散液；然后先低速500rmp/min离心5min，取上层溶液，再通过高速离心，速率为5000r/min，离心10min，取下层溶液；然后放在60℃真空干燥中过夜烘干、研磨，形成二硫化钼微片；取一定质量的二硫化钼微片放入刚玉坩埚中，然后转移到真空炉中煅烧，通入95％氩气和5％氧气混合气体，以10℃/min升温速率升到300℃温度，恒温煅烧3h，自然冷却；收集样品。

对本发明实施例5中制备的mos2进行电化学性能测试。

采用本发明实施例5制备的二硫化钼微片与商业二硫化钼制作薄膜进行对比电化学实验。

参见表2，表2为实施例1～5和商业二硫化钼制备的二硫化钼薄膜的电导率测试结果(四探针法)。

表2

由表2可以看出，本发明制备的含有微量氧原子的二硫化钼材料，能够明显的提高二硫化钼的导电性能，具体更好的导电性，而且煅烧时间的变化会导致氧含量变化，从而对电导率造成影响。

以上对本发明提供的一种高导电性二硫化钼材料及其制备方法、应用进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，包括最佳方式，并且也使得本领域的任何技术人员都能够实践本发明，包括制造和使用任何装置或系统，和实施任何结合的方法。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。本发明专利保护的范围通过权利要求来限定，并可包括本领域技术人员能够想到的其他实施例。如果这些其他实施例具有不是不同于权利要求文字表述的结构要素，或者如果它们包括与权利要求的文字表述无实质差异的等同结构要素，那么这些其他实施例也应包含在权利要求的范围内。