1.一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，包括碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料a层，碳化硅和氮化硼形成混合粉料b层以及碳化硅粉形成的粉料c层。
2.根据权利要求1所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，混合粉料a层、混合粉料b层和粉料c层在高纯石墨坩埚中的厚度比为1∶(4-6)：(2-3)。
3.根据权利要求1所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，混合粉料a层中淀粉的加入量为碳化硅的5-10wt％；混合粉料b层中氮化硼的加入量为碳化硅的0.1-5wt％。
4.根据权利要求1所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中的填料高度为坩埚高度的1/4-1/2。
5.根据权利要求1所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，所述混合粉料b的制备方法包括以下步骤：
取碳化硅粉料、氮化硼、粘合剂混合均匀后进行湿法球磨得到混合粉浆，混合粉浆进行喷雾干燥，得到混合粉料b。
6.根据权利要求5所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，所述粘结剂用量为碳化硅粉料的0.3-1.5wt％，喷雾干燥温度为100-150℃；所述粘合剂为聚酰亚胺。
7.根据权利要求1-6任一项所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)将混合粉料a、混合粉料b，粉料c依次置于高纯石墨坩埚中，扣合坩埚盖；
(2)向坩埚中通入保护气体，使坩埚压力至3000～6000pa，使坩埚底部温度为2000～2450℃，温度梯度为10～30℃/min，进入碳化硅多晶体生长阶段；
(3)生长阶段结束后升压降温至正常压力温度状态，得到碳化硅陶瓷。
8.根据权利要求7所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，所述步骤(3)中降温速率为10-30℃/min。