技术总结
氮化铝多孔隙原料的制备方法，它涉及一种氮化铝的制备方法。本发明是为了解决生长氮化铝单晶晶体的氮化铝原料孔隙率不高的技术问题。本方法如下:采用两块铝板作夹具，制粉料薄片，在粉料薄片上钻出小孔，高温加热，放入坩埚内分别在1300℃、1700℃、2100℃的条件下保温，保温过程结束，开始降温，同时充入氮气，至炉内压力达到745‑750Torr后停止并保压，降温过程为3h，即得氮化铝多孔隙原料。本发明构成陶瓷体的各个粉料薄片上均有孔洞，堆叠在一起形成上下贯通的管路，薄片与薄片之间是经过马弗炉加热后堆叠在一起，之间必然留有间隙。这些都大大提高了原料陶瓷体的孔隙率和表面积。本发明属于氮化铝原料的制备领域。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：哈尔滨化兴软控科技有限公司
技术研发日：2021.02.08
技术公布日：2021.06.18