1.一种结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供陶瓷基板；
在所述基板表面沉积第一涂层，所述第一涂层的成分包括氧化铝；
激光重熔所述第一涂层以形成等轴晶区；
化学腐蚀所述等轴晶区以形成有序结构；
沉积结构色层，所述结构色层的成分包括二氧化硅、二氧化钛或三氧化二铝。
2.如权利要求1所述的结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，所述激光重熔过程中，采用25-30mm正离焦的激光束，激光功率为600-800w，扫描速度为0.2-0.4m/min。
和/或，在化学腐蚀过程中采用浓度为30％-50％的酸溶液，在温度为60-70℃范围条件下，处理10-24h，其中所述酸溶液为硝酸、硫酸、磷酸、氢氟酸中的至少一种；
和/或，沉积结构色层过程中采用磁控溅射方法，条件为用二氧化硅、二氧化钛和三氧化二铝作为陶瓷靶材，ar气作为工艺气体，工艺气体流量为40-60sccm，采用射频电源对ar气进行离化，射频电源功率为100-250w，溅射时间5-12min。
3.如权利要求1所述的结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，所述第一涂层的成分还包括烧结助剂，所述烧结助剂为玻璃助剂，所述第一涂层的成分包括质量占比为70％-90％氧化铝和10-30％的玻璃助剂；
和/或，通过磁控溅射的方法沉积所述第一涂层，且所述第一涂层的厚度为5-20μm。
4.如权利要求1所述的结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，所述沉积结构色层之前，还包括：沉积第二涂层，所述第二涂层的成分包括si3n4。
5.如权利要求4所述的结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射的方法沉积所述第二涂层，且所述第二涂层厚度为300-800μm。
6.如权利要求1所述的结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，所述在所述基板表面沉积第一涂层之前，还包括：
对所述基板的表面进行预处理，所述预处理包括化学溶液预处理、等离子体预处理或臭氧预处理；
和/或，所述化学腐蚀所述等轴晶区以形成有序结构之后，还包括：超声清洗后再等离子清洗腐蚀后的表面。
7.如权利要求6所述的结构色陶瓷的制备方法，其特征在于，在等离子清洗过程中，设置等离子体清洗腔室内的真空度≤5×10-3pa，工作压强为1-10×10-1pa，ar气流量为30-40sccm，入射角度为20-45°，射频功率为200w。
8.一种结构色陶瓷，其特征在于，由权利要求1-7任一所述制备方法制成。
9.一种壳体，其特征在于，由权利要求8所述结构色陶瓷制备而成。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述壳体。