技术总结
本申请公开了一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及制备方法。所述制备方法分别选用金属钛或钛合金粉体，金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属或金属合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氮化硅陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷枪结构制备出金属层与氮化硅陶瓷界面结合强度高、电导率高的多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板。本发明直接将金属或金属合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的氮化硅陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的多层金属覆膜电路陶瓷基板。
技术研发人员：潘伟;刘广华
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2021.04.19
技术公布日：2021.06.18