技术特征：
1.一种半导体行业含钙污泥的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、将含钙污泥粉碎成块状，再向块状的含钙污泥内加入稀盐酸，待反应完全无气泡产生后进行固液分离，得到溶液a和固体a；稀盐酸为块状的含钙污泥质量的4
‑
5倍；s2、在溶液a里缓慢加入浓度为98％的硫酸溶液，控制反应温度30℃
‑
50℃之间，得到溶液b和固体b，收集反应生成的盐酸气体；s3、向固体a中加入浓度为15％
‑
35％的氢氧化钠溶液，加热到50℃
‑
70℃，固液分离得到硅酸钠溶液和氟化钙固体；氢氧化钠溶液为固体a质量的2
‑
3倍；s4、向固体b中加入1％
‑‑
3％的转晶剂，生产成硫酸钙晶须；其中，溶液a为氯化钙溶液，固体a为氟化钙，溶液b为硫酸和盐酸的混合液，固体b为固体硫酸钙。2.如权利要求1所述的一种半导体行业含钙污泥的处理方法，其特征在于，稀盐酸浓度为3％
‑
10％。3.如权利要求1或2所述的一种半导体行业含钙污泥的处理方法，其特征在于，含钙污泥粉碎成直径在1cm左右的块状，加入稀盐酸后搅拌反应2
‑
3小时。
技术总结
本发明公开了一种半导体行业含钙污泥的处理方法，包括以下步骤：S1、将含钙污泥粉碎成块状，再向块状的含钙污泥内加入稀盐酸，待反应完全无气泡产生后进行固液分离，得到溶液A和固体A；稀盐酸为块状的含钙污泥质量的4
技术研发人员：蔡阿丽
受保护的技术使用者：西安吉利电子化工有限公司
技术研发日：2021.06.10
技术公布日：2021/9/9