本发明涉及一种玻璃
背景技术：
1、在半导体器件的制造工艺中，有时使用玻璃作为支承半导体器件的部件。例如在专利文献1中记载了一种为了抑制挠曲而形成高杨氏模量的支承玻璃基板。另外，为了抑制由温度变化引起的挠曲。也有时降低热膨胀率。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-20840号公报
技术实现思路
1、然而，为了抑制挠曲而形成低热膨胀率且高杨氏模量的玻璃有时容易结晶化，制造困难。因此，寻求一种容易制造的玻璃。
2、本发明的目的在于提供一种容易制造的玻璃。
3、对于本公开的玻璃，将液相温度设为tl（℃）、杨氏模量设为e（gpa）、线热膨胀系数设为α（ppm／℃）时，满足下式（1）和式（2）。
4、13.1·e＋9－tl≥0 ···（1）
5、1923－156·α－tl≥0 ···（2）
6、根据本发明，能够使制造容易。
1.一种玻璃，将液相温度设为tl（℃）、杨氏模量设为e（gpa）、线热膨胀系数设为α（ppm／℃）时，满足下式（1）和式（2），所述液相温度的单位是℃，所述杨氏模量的单位是gpa，所述线热膨胀系数的单位是ppm／℃，
2.根据权利要求1所述的玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔%表示，含有sio2：40%～65%、b2o3：0.01%～15%、al2o3＋稀土氧化物：0%～20%、（y2o3＋gd2o3＋ta2o5＋la2o3＋nd2o3＋nb2o5）：0.5%以上。
3.根据权利要求2所述的玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔%表示，含有sio2：44%～64%、b2o3：1%～13%、al2o3：5%～20%、（y2o3＋gd2o3＋ta2o5＋la2o3＋nd2o3＋nb2o5）：1%～10%。
4.根据权利要求1或2所述的玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔%表示，
5.根据权利要求1或2所述的玻璃，其中，将氧化物基准的摩尔%表示的所述玻璃中含有的氧化物rxoy的含量设为［rxoy］时，
6.根据权利要求1或2所述的玻璃，其被用作基板。
7.根据权利要求6所述的玻璃，其被用于制造扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装中的至少一种。