可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺的制作方法
【专利说明】
[0001 ]
技术领域： 本发明涉及一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺。
[0002]
【背景技术】： 低辐射(Low-E)玻璃是一种镀膜玻璃。通过在浮法玻璃基片表面镀上具有低辐射特性 的功能膜，来降低玻璃表面的辐射率从而提高玻璃的节能性能。低辐射镀膜玻璃在夏季可 以阻隔物体受太阳照射后发出的二次辐射热，同样冬季可以减少室内的热量向外流失，从 而发挥隔热保温节能降耗的目的。低辐射玻璃以其优异的节能环保性能而被誉为21世纪最 理想的建筑玻璃材料。随着对建筑物装饰性要求的不断提高，低辐射玻璃在建筑行业中的 使用量也不断增大。目前市面上常见的低辐射玻璃主要是单银和双银。相对于单银产品，双 银低辐射玻璃具有更低的辐射率，更低的遮阳系数，更优的光阳比;但是，对于一年超过200 天温度在l〇°C以下，只有不到90天温度超过20°C的东北严寒地区，低遮阳系数的双银低辐 射玻璃由于在冬季增加了采暖能耗，节能效果有时反而不如普通的单银。为了进一步满足 东北严寒特殊的气候条件，研发一款可后续加工、透过率高、辐射率低、遮阳系数高的单银 低辐射玻璃势在必行。
[0003]
【发明内容】
： 本发明的目的是提供一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺。
[0004] 上述的目的通过以下的技术方案实现： 一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其组成包括:玻璃基片，所述的玻璃基片 采用磁控溅射镀膜工艺沉积，由内到外依次设有第一基层电介质组合层、第二基层电介质 组合层、第三基层电介质组合层、红外反射层、阻挡层、第一上层电介质组合层、第二上层电 介质组合层、保护层。
[0005] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的玻璃基片为普通白玻璃或 低铁超白玻璃，厚度为4~12mm。
[0006] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的第一基层电介质组合层、 第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质 组合层是由金属氧化物或非金属氧化物或金属氮化物或非金属氮化物构成，所述的第一基 层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层的厚度为l〇~30nm，所述 的第一上层电介质组合层的厚度为8~25nm，所述的第二上层电介质组合层的厚度为25~ 60nm〇
[0007] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的红外反射层为金属Ag层或 Ag合金层，所述的红外反射层的厚度为8~25nm。
[0008] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的阻挡层为金属或金属氧化 物或金属氮化物，所述的阻挡层的厚度为0.5~1.5nm。
[0009] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的保护层为金属氧化物或非 金属氧化物或几种氧化物的混合物，所述的保护层的厚度为2~5nm。
[0010] -种所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，该方法包括如下 步骤： (1) 将玻璃基片清洗干净，并将离线磁控溅射设备的本底真空度设置在10-6 mbar，线 速度设置为6.0 m/min; (2) 将玻璃基片传送入镀膜腔室中，双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一基层电介 质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层设置功率为50~150kW; (3) 平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积红外反射层，设置功率为5~ 15kff； (4) 平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积阻挡层，设置功率为8~ 24kff； (5) 双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一上层电介质组合层，设置功率为40~ 120kff； (6) 双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第二上层电介质组合层，设置功率为120~ 280kff； (7 )双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积保护层，设置功率为40~100kW。
[0011] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，所述的步骤(2)至(7) 之间是持续进行的。
[0012] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，所述的双旋转阴极、 中频反应磁控派射是在氩氮或氩氧环境中进行的，氩氧比为200sccm: lOOOsccm，氩氮比为 400sccm:800sccm，通入工作气体后，工作气压为3.5X 10-3~5.5X 10-3 mbar。
[0013] 所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，所述的平面阴极或旋 转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射在氩气或氩氮或氩氧环境中进行的，通入工作气体后， 工作气压为2 · 0 X 10-3~3 · 5 X 10-3mbar。
[0014]本发明的有益效果： 1、本发明通过对阻挡层的特殊设计以及膜层生长控制，使其对Ag层有更好的保护作 用，解决了 Ag层在后期热处理的过程中容易被破坏的问题。
[0015] 、本发明通过金属或非金属氧化物或氮化物膜层合理的设计，使整个膜层透过率 达到85%以上，遮阳系数达到0.64以上。
[0016] 、本发明通过对红外反射层银层的合理设计，使整个膜层在达到很高透过率、很高 遮阳系数的同时具有比传统单银更低的辐射率0.07)。
[0017] 、本发明通过对保护层的设计及膜层生长控制，使膜层耐腐蚀，耐磨性，耐划伤性 能大大提高，便于后续深加工处理。
[0018] 、本发明提供了一种可钢化的、透过率高、辐射率低、遮阳系数高的适合东北严寒 地区使用的镀膜玻璃，可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃外观呈中性色，光学性能稳 定，不仅具有很高的透过率，很高的遮阳系数，还具有很低的辐射率，很好的兼顾了冬季采 暖及夏季制冷的节能功用。
[0019]
【附图说明】： 附图1是本发明的结构示意图。
[0020] 附图2是本发明的300~2500nm透过率光谱图。
[0021]附图3是本发明实施例12的300~800nm透过率光谱图。
[0022]附图4是本发明实施例12的300~800nm玻面反射率光谱图。
[0023]【具体实施方式】： 实施例1: 一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其组成包括:玻璃基片，所述的玻璃基片 采用磁控溅射镀膜工艺沉积，由内到外依次设有第一基层电介质组合层、第二基层电介质 组合层、第三基层电介质组合层、红外反射层、阻挡层、第一上层电介质组合层、第二上层电 介质组合层、保护层。
[0024] 实施例2: 根据实施例1所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的玻璃基片为普通 白玻璃或低铁超白玻璃，厚度为4~12mm。
[0025] 实施例3: 根据实施例1或2所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的第一基层电介 质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二 上层电介质组合层是由金属氧化物或非金属氧化物或金属氮化物或非金属氮化物构成，比 如 21^11(^、2110^20、51102、1102、5丨02、8丨02^1203、21^1204、恥205、5丨3财等，所述的第一基 层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层的厚度为l〇~30nm，所述 的第一上层电介质组合层的厚度为8~25nm，所述的第二上层电介质组合层的厚度为25~ 60nm〇
[0026] 实施例4: 根据实施例求1或2或3所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的红外反 射层为金属Ag层或Ag合金层，所述的红外反射层的厚度为8~25nm。
[0027] 实施例5: 根据实施例1或2或3或4所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的阻挡层 为金属或金属氧化物或金属氮化物，比如11、11(^、附0、附0(^、附0版、他版、他205等，所 述的阻挡层的厚度为0.5~1.5nm。
[0028] 实施例6: 根据实施例1或2或3或4或5所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的保 护层为金属氧化物或非金属氧化物或几种氧化物的混合物，比如，Ti02、A1203、Si02、Zr02、 ZrSiOxNy等，所述的保护层的厚度为2~5nm。
[0029] 实施例7: 一种实施例1-6之一所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，该方 法包括如下步骤： (1) 将玻璃基片清洗干净，并将离线磁控溅射设备的本底真空度设置在10-6 mbar，线 速度设置为6.0 m/min; (2) 将玻璃基片传送入镀膜腔室中，双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一基层电介 质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层设置功率为50~150kW; (3) 平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积红外反射层，设置功率为5~ 15kff； (4) 平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积阻挡层，设置功率为8~ 24kff； (5) 双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一上层电介质组合层，设置功率为40~ 120kff； (6) 双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第二上层电介质组合层，设置功率为120~ 280kff； (7 )双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积保护层，设置功率为40~100kW。
[0030] 实施例8: 根据实施例7所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，所述的步骤 (2)至(7)之间是持续进行的。
[0031] 实施例9: 根据实施例7或8所述的可后续加工的高透单银低