一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种微量元素均匀掺杂方法，特别涉及一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法。
【背景技术】
[0002]氧化镁是最耐离子撞击的材料之一，且具有很高的二次电子发射效率与透光率，因而被广泛用作等离子体显示板(PDP)的介质保护膜。在AC-PDP放电单元中，介质保护膜直接与放电气体接触，要求其具有:离子诱导二次电子发射系数大、抗离子轰击、对可见光透明。高纯氧化镁烧结体靶材在彩色交流等离子体显示器上的成功应用，极大的提高了其使用寿命和显示效果。然而降低rop屏的着火电压是rop行业永恒的课题。各种实验研究显示，提高MgO膜的二次电子发射系数(γ )，可以降低着火电压和维持电压，整机产品更加节能。
[0003]解决上述问题的有效途径是，在高纯氧化镁烧结体靶材中均匀掺杂微量的某种元素，可以增加介质保护膜的晶格缺陷，更容易因受到激发而产生大量的二次电子，进而提高二次电子发射系数。目前，已经得到良好试验效果的掺杂元素是硅元素，以纳米S12与MgO粉体进行干法混合，混合24?48小时。该方法较费时，且混合均匀性较差。
【发明内容】
[0004]为了解决高纯氧化镁烧结体靶材中惨杂不均匀的问题，本发明提供一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法。
[0005]本发明的目的是通过以下措施来达到:提供一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，首先将硅源溶解制备成前驱液;再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂;此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。当所用硅源为可溶于水的如硅酸钠、硅酸、硅酸钾等，直接用去离子水溶解，再进行定容，形成前驱液。当所用硅源为可溶于有机溶剂的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有机溶剂，再以乙醇-水进行定容，形成前驱液。
[0006]有益效果:本发明可以在I?2小时内，将微量的硅元素均匀掺杂到氧化镁原料中；掺杂时间短，均匀性高，适合工业化应用。
【具体实施方式】
[0007]下面结合实施例对本发明进行详细说明。
[0008]本发明提供一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，首先将硅源溶解制备成前驱液。当所用硅源为可溶于水的如硅酸钠、硅酸、硅酸钾等，直接用去离子水溶解，再进行定容，形成前驱液。当所用硅源为可溶于有机溶剂的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有机溶剂，如乙醇、笨、丙酮等或混合溶液中，再以乙醇-水进行定容，形成前驱液。前驱液再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂。此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。
[0009]实施例1
[0010]将1g九水硅酸钠溶解于10ml去离子水中，再定容到500ml，即硅源前驱液；取50ml前驱液与10g氧化镁、500ml去离子水在行星式球磨机中混合30分钟，即可形成100ppm娃掺杂的氧化镁楽料;再将此楽料制备成氧化镁烧结体革E材，即得到100ppm娃掺杂氧化镁烧结体靶材。
[0011]实施例2:
[0012]将7.4g正硅酸乙脂溶解于50ml乙醇中，再用去离子水定容到500ml，即硅源前驱液;取50ml前驱液与10g氧化镁、500ml去离子水在行星式球磨机中混合30分钟，即可形成100ppm娃掺杂的氧化镁楽料，再将此楽料制备成氧化镁烧结体革E材，即得到100ppm娃掺杂氧化镁烧结体靶材。
[0013]以上内容是结合优选技术方案对本发明所做的进一步详细说明，不能认定发明的具体实施仅限于这些说明。对本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的构思的前提下，还可以做出简单的推演及替换，都应当视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，其特征在于，将硅源溶解制备成前驱液;再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂;此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。2.根据权利要求1所述的一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，其特征在于，所用硅源为可溶于水的如硅酸钠、硅酸、硅酸钾、九水硅酸钠等，直接用去离子水溶解，再进行定容，形成前驱液。3.根据权利要求1所述的一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，其特征在于，所用硅源为可溶于有机溶剂的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有机溶剂，再以乙醇-水进行定容，形成前驱液。
【专利摘要】本发明公开了一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法。首先将硅源溶解制备成前驱液：当所用硅源为可溶于水的如硅酸钠、硅酸、硅酸钾等，直接用去离子水溶解，再进行定容，形成前驱液；当所用硅源为可溶于有机溶剂的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有机溶剂，再以乙醇-水进行定容，形成前驱液。前驱液再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂。此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。本发明掺杂时间短，均匀性高，适合工业化应用。
【IPC分类】H01J11/40, C04B35/626, C04B35/04
【公开号】CN105503159
【申请号】CN201510931180
【发明人】曾卫军
【申请人】营口镁质材料研究院有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月15日