粘合带的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20℃下的储能模量为0.5×106Pa～1.0×108Pa，该粘合剂层在20℃～80℃下的损耗角正切tanδ为0.1以上。在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。
【专利说明】粘合带
【技术领域】
[0001]本发明涉及粘合带。
【背景技术】
[0002]由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径的状态制造，在表面形成图案，然后磨削背面，通常将晶圆的厚度减薄至100?600 左右，进而切断分离(切割)为元件小片，
进一步转移至安装工序。
[0003]在磨削半导体晶圆的背面的工序(背面磨削工序)中，为了保护半导体晶圆的表面(图案面)而使用粘合带。该粘合带通常在背面磨削工序后被剥离。出于这种目的而使用的粘合带需要在背面磨削工序中不剥离的水平的粘合力，另一方面，需要在背面磨削工序后可以容易地剥离且不损坏半导体晶圆的水平的低粘合力。一直以来，作为这种粘合带，可以使用在基材上涂布有粘合剂的粘合带，例如提出了一种在包含聚乙烯系树脂的基材上设有涂布丙烯酸(酯)类粘合剂而成的粘合剂层的粘合带(专利文献I)。
[0004]然而，这种现有的粘合带不能充分填补半导体晶圆图案面的凹凸，或者虽然在刚粘贴后进行了填补，但随着时间经过粘合带浮起，结果在供于背面磨削工序时还是不能充分填补图案面的凹凸。如此在不能充分填补半导体晶圆的图案面时，会产生如下的问题:磨削时施加于半导体晶圆的压力变得不均匀，半导体晶圆图案面的凹凸对背面产生影响，而产生不能平滑地磨削的问题，或者产生半导体晶圆出现裂纹的问题。在实际的工序中，粘贴有粘合带的半导体晶圆往往是在粘贴后经过规定时间之后再供于背面磨削工序，在如上所述地随着时间经过而粘合带浮起时也会产生同样的问题。
`[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开W02007/116856号小册子
【发明内容】
[0008]发明要解决的问题
[0009]本发明是为了解决上述现有问题而做出的，其目的在于提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20°C下的储能模量为0.5 X IO6Pa?1.0X IO8Pa,该粘合剂层在20°C?80°C下的损耗角正切tan S为0.1以上。
[0012]在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。
[0013]在优选的实施方式中，对硅制半导体镜面晶圆的镜面的、JIS-Z-0237所规定的180。剥离粘合力为 0.2N/20mm ?3.0N/20mm。[0014]在优选的实施方式中，本发明的粘合带是将粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成型而得到的。
[0015]发明的效果
[0016]根据本发明，可以提供一种粘合带，所述粘合带通过具备具有规定储能模量和损耗角正切tan S的粘合剂层，从而具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性，并且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是本发明的优选实施方式的粘合带的截面示意图。
[0018]图2是说明作为本发明的粘合片的高度差追随性的指标的“浮起宽度”的图。
【具体实施方式】
[0019]A.粘合带的整体结构
[0020]图1是本发明的优选实施方式的粘合带的截面示意图。粘合带100具备粘合剂层10和基材层20。
[0021]粘合带100的厚度优选为25 ii m?500 ii m,进一步优选为60 y m?300 y m,特别优选为130 u m?265 u m。
[0022]粘合剂层10的厚度优选为20 ii m?100 ii m,进一步优选为30 y m?65 y m。
[0023]基材层20的厚度优 选为5 ii m?400 ii m，进一步优选为10 y m?300 y m,特别优选为 30 u m ?200 u m。
[0024]本发明的粘合带还可以具备任意适当的其它层。作为其它层，例如可列举出在基材层的与粘合剂相反的一侧具备的、能够赋予粘合带耐热性的表面层。
[0025]本发明的粘合带可以用隔离膜保护而提供。本发明的粘合带可以在用隔离膜保护了的状态下卷取成卷状。隔离膜具有作为供给实用之前保护粘合带的保护材料的功能。作为隔离膜，例如可列举出通过有机硅系剥离剂、氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯)薄膜、由非极性材料(例如，聚乙烯、聚丙烯)形成的薄膜、无纺布或纸等。
[0026]本发明的粘合带，例如在未用隔离膜保护的情况下，也可以对与粘合剂层相反的一侧的最外层进行背面处理。背面处理例如可以使用有机硅系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂来进行。本发明的粘合带可以通过进行背面处理而卷取成卷状。
[0027]本发明粘合带对硅制半导体镜面晶圆的镜面的、JIS-Z-0237所规定的180°剥离粘合力优选为0.2N/20mm?3.0N/20mm，进一步优选为0.4N/20mm?2.5N/20mm，特别优选为0.4N/20mm?2.0N/20mm。只要处于这种范围内，就可以兼顾粘合性和剥离性，例如可以得到在半导体晶圆的背面磨削工序中的磨削加工中不发生剥离、而在磨削加工后可以容易地剥离的粘合带。需要说明的是，在本说明书中，上述粘合力是指在制造粘合带后在50 V下熟化2天，然后利用根据JIS-Z-0237的方法(贴合条件:2kg辊往复I次，剥离速度:300mm/min，剥离角度180° )测定出的粘合力。
[0028]在本说明书中，作为粘合带高度差追随性的指标，使用“浮起宽度”。“浮起宽度”是指如图2所示将粘合带100粘贴于具有高度差X的被粘物200时，该粘合片浮起而不与被粘物200接触的部分的宽度a。该浮起宽度小意味着粘合带的高度差追随性优异而能够良好地填补被粘物的凹凸。
[0029]在将本发明的粘合带粘贴于硅制半导体镜面晶圆时的、刚粘贴后的本发明粘合带对高度差为30 ii m的被粘物的浮起宽度优选为420 u m以下，进一步优选为5 y m?300 y m，特别优选为10 ii m?220 ii m。本发明的粘合带的浮起宽度小，即对被粘物的凹凸(例如，半导体晶圆的图案)的追随性良好，可以良好地填补该凹凸。在将这种粘合带用于半导体晶圆加工时的图案面保护时，在背面磨削工序时，压力均匀地施加于半导体晶圆，半导体晶圆的图案面的凹凸不会对背面产生影响，可以平滑地磨削。此外，可以防止半导体晶圆的裂纹。进而，可以防止磨削水浸入半导体晶圆与粘合带之间。
[0030]在将本发明的粘合带粘贴于硅制半导体镜面晶圆时的、粘贴后I小时的对高度差30 iim的浮起宽度的增加量优选在10%以内，进一步优选在5%以内。只要处于这种范围内，在将粘合带粘贴于半导体晶圆后经过规定时间之后再将半导体晶圆供于背面磨削工序时，能够维持良好地填补了半导体晶圆图案面的凹凸的状态，能够如上所述地平滑地磨削背面，而且可以防止半导体晶圆的裂纹。特别优选的是，上述粘合带在粘贴后经过I小时以后，浮起宽度不增加。
[0031]在将本发明的粘合带粘贴于硅制半导体镜面晶圆时的、粘贴并经过I小后的本发明的粘合带对高度差30 ii m的浮起宽度优选为470 ii m以下，进一步优选为10 y m?350 u m,特别优选为20 ii m?300 ii m,最优选为30 y m?250 y m。
[0032]B.粘合剂层
[0033]上述粘合剂层在20°C下的储能模量(G，)为0.5X106Pa?1.0X IO8Pa,优选为0.8X IO6Pa?3.0X107Pa。只要上述粘合剂层的储能模量(G’ )处于这种范围内，就可以得到高度差追随性优异的粘合带。更具体而言，如上所述可以得到浮起宽度小的粘合带。如果将这种粘合带用于半导.体晶圆的加工中的背面磨削工序，则如上所述能够平滑磨削背面，而且可以防止半导体晶圆的裂纹。此外，只要上述粘合剂层的储能模量(G’ )处于上述范围内，就可以得到能够兼具对表面具有凹凸的被粘物的充分的粘合力和适度的剥离性的粘合带。需要说明的是，本发明中的储能模量(G’ )可以通过动态粘弹性谱测定来测定。
[0034]上述粘合剂层在20°C?80°C下的损耗角正切tan S为0.1以上，优选为0.2以上，进一步优选为0.2?I。粘合剂层在20°C下的损耗角正切tan 6优选为0.1?0.5，进一步优选为0.1?0.25。粘合剂层在80°C下的损耗角正切tan 6优选为0.2?1.0，进一步优选为0.45?I，特别优选为0.5?I。
[0035]如此，在高温区域具有高损耗角正切tan S的粘合剂层在高温区域的粘合力高，而且不易变形。此处，高温区域下的粘合剂层的变形难易度可以根据时间-温度换算法则的理论，转换为在室温下随着时间经过而产生的粘合剂层的缓慢变形来进行研究。即，可以认为，对于如上所述在高温区域具有高损耗角正切tan 6的粘合剂层，在室温下的缓慢变形(具体而言，为浮起宽度随着时间经过而增加的现象)受到抑制。因此，只要上述粘合剂层的损耗角正切tan 6处于上述那样的范围内，就可以得到在粘贴后经过规定时间之后浮起宽度也小、即能够维持良好地填补了被粘物的凹凸的状态的粘合带。
[0036]作为构成上述粘合剂层的材料，只要能够获得上述期望的特性，就可以采用任意适当的材料。代表性的是粘合剂层包含聚烯烃系树脂。[0037]上述粘合剂层优选包含非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物。只要为这种粘合剂层，就能够通过与基材层共挤出成型来制造粘合带，可以以较少工序数且不使用有机溶剂地得到粘合带。需要说明的是，本说明书中，“非晶质”是指不具有如结晶质那样明确的熔点的性质。
[0038]上述非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物可以通过使用茂金属催化剂将丙烯和1-丁烯聚合来获得。更详细而言，非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物例如可以如下获得:进行使用茂金属催化剂将丙烯和1- 丁烯聚合的聚合工序，该聚合工序后，进行残留催化剂去除工序、异物去除工序等后处理工序，从而可以获得。经过这种工序，例如可以以粉末状、颗粒状等形状获得非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物。作为茂金属催化剂，例如可列举出包含茂金属化合物和铝氧烷的茂金属均匀混合催化剂、在微粒状载体上负载有茂金属化合物的茂金属负载型催化剂等。
[0039]如上所述地使用茂金属催化剂进行聚合而得到的非晶质丙烯-(1- 丁烯)共聚物显示窄的分子量分布。上述非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)优选为2以下，进一步优选为1.1?2，特别优选为1.2?1.9。分子量分布窄的非晶质丙烯- (1- 丁烯)共聚物的低分子量成分少，因此若使用这种非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，则可以得到能够防止由低分子量成分的渗出导致的被粘物的污染的粘合带。这种粘合带例如可以适宜地用作半导体晶圆加工用。
[0040]上述非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物中的、丙烯衍生的结构单元的含有比率优选为80摩尔％?99摩尔％，进一步优选为85摩尔％?99摩尔％，特别优选为90摩尔％?99摩尔％。
[0041]上述非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物中的、1-丁烯衍生的结构单元的含有比率优选为I摩尔％?15摩尔％,进一步优选为I摩尔％?10摩尔％。只要处于这种范围内，就可以得到韧性与柔软性的平衡优异且上述浮起宽度小的粘合带。
[0042]上述非晶质丙烯- (1- 丁烯)共聚物可以为嵌段共聚物，也可以为无规共聚物。
[0043]上述非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)优选为200000以上，进一步优选为200000?500000，特别优选为200000?300000。只要非晶质丙烯_(1_ 丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)处于这种范围内，就可以得到与一般的苯乙烯系热塑性树脂、丙烯酸(酯)类热塑性树脂(Mw为100000以下)相比低分子量成分更少而能够防止被粘物污染的粘合带。此外，共挤出成型时可以无加工不良地形成粘合剂层，并且可以得到适当的粘合力。
[0044]上述非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物在230°C、2.16kfgf下的熔体流动速率优选为 lg/10min ?50g/10min,进一步优选为 5g/10min ?30g/10min,特别优选为 5g/10min ?20g/10min。只要非晶质丙烯_(1_ 丁烯)共聚物的熔体流动速率处于这种范围内，就可以通过共挤出成型而无加工不良地形成厚度均匀的粘合剂层。熔体流动速率可以利用根据JISK7210的方法来测定。
[0045]上述非晶质丙烯-(1- 丁烯)共聚物还可以在不损害本发明效果的范围内包含衍生自其它单体的结构单元。作为该其它单体，例如可列举出乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等a -烯烃。
[0046]优选的是，上述粘合剂层实质上不含F_、Cl' Br\ N02_、N03_、SO42' Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、NH4+。这是因为可以防止这些离子污染被粘物。具备这种粘合剂层的粘合带例如在用于半导体晶圆加工用的情况下不会产生电路断线或短路等。关于不含上述离子的粘合剂层，例如该粘合剂层中所包含的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物可以通过如上所述地使用茂金属催化剂进行溶液聚合而得到。在该使用茂金属催化剂的溶液聚合中，非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物可以使用与聚合溶剂不同的不良溶剂重复进行析出分离(再沉淀法)来纯化，因此可以得到不含上述离子的粘合剂层。需要说明的是，本说明书中，“实质上不含F_、C1_、Br' N02_、N03_、SO42' Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、NH4+”是指在标准的离子色谱分析(例如，使用DIONEX K.K.制造，商品名“DX-320”、“DX-500”的离子色谱分析)中低于检测限。具体而言，是指相对于Ig粘合剂层，F—、Cl—、Br\ NO2' NO3' S042—和K+分别为0.49 y g以下、Li+和Na+分别为0.20 y g以下、Mg2+和Ca2+分别为0.97 y g以下、NH4+为0.5 y g以下的情况。
[0047]为了调整粘合剂层的粘合力(作为其结果，为上述粘合带的粘合力)和上述储能模量，上述粘合剂层还可以包含结晶性聚丙烯系树脂。通过含有结晶性聚丙烯系树脂，可以降低上述粘合力，增加上述储能模量。结晶性聚丙烯系树脂的含有比率可以根据所期望的粘合力和储能模量而设定为任意适当的比率。优选的是，结晶性聚丙烯系树脂的含有比率相对于上述非晶质丙烯- (1- 丁烯)共聚物和该结晶性聚丙烯系树脂的总重量，优选为0重量％?45重量％，进一步优选为0重量％?40重量％，特别优选为0重量％?20重量％。
[0048]上述结晶性聚丙烯系树脂可以为均聚聚丙烯，也可以为由丙烯和可与丙烯共聚的单体得到的共聚物。作为可与丙烯共聚的单体，例如可列举出乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戍烯、3-甲基-1-戍烯等a -烯烃等。
[0049]上述结晶性聚丙烯系树脂优选与上述非晶质丙烯-(1- 丁烯)共聚物同样地通过使用茂金属催化剂进行聚合而得到。若使用如此获得的结晶性聚丙烯系树脂，则可以防止由低分子量成分的渗出导致的被粘物的污染。
[0050]上述结晶性聚丙烯系树脂的结晶度优选为10%以上，进一步优选为20%以上。代表性地，结晶度是利用差示扫描量热分析(DSC)或X射线衍射而求得的。
[0051]上述粘合剂层还可以在不损害本发明效果的范围内包含其它成分。作为该其它成分，例如可列举出抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、耐热稳定剂、抗静电剂等。其它成分的种类和用量可以根据目的而适当地选择。
[0052]C.某材层
[0053]作为构成上述基材层的材料，可以采用任意适当的材料。作为构成基材层的材料，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等聚酯系树脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烃系树脂；聚酰亚胺(PI);乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA);聚醚醚酮(PEEK);聚氯乙烯(PVC)等聚氯乙烯系树脂；聚苯乙烯系树脂；丙烯酸(酯)类树脂；氟系树脂；纤维素系树脂；聚碳酸酯系树脂；金属；纸等。基材层也可以是由同种或不同种的材料形成的多层结构。
[0054]上述基材层还可以在不损害本发明效果的范围内包含其它成分。作为该其它成分，例如可以使用与上述B项中说明过的、粘合剂层中可以包含的其它成分相同的成分。
[0055]D.粘合带的制造方法
[0056]本发明的粘合带优选将上述粘合剂层和上述基材层的形成材料共挤出成型来制造。通过共挤出成型，可以以较少工序数且不使用有机溶剂地制造层间粘接性良好的粘合片。
[0057]在上述共挤出成型中，上述粘合剂层和上述基材层的形成材料可以使用将上述各层的成分利用任意的适当方法混合而成的材料。
[0058]作为上述共挤出成型的具体方法，例如可列举出如下的方法:在连接于模具(dies)的至少2台的挤出机中，分别向I台供给粘合剂层形成材料、向另I台供给基材层形成材料，熔融，然后挤出，通过接触辊成型法收取，从而形成层叠体。挤出时，各形成材料进行合流的部分越接近模具出口(模唇)越优选。这是因为不易在模具内部发生各形成材料的合流不良。因此，作为上述模具，优选使用多歧管形式的模具。需要说明的是，发生合流不良的情况下，合流不均等外观不良发生，具体而言，在被挤出的粘合剂层与基材层之间产生波浪状的外观不均，是不优选的。另外，合流不良例如是由不同种形成材料在模具内的流动性(熔融粘度)的差异大和各层的形成材料的剪切速度的差异大而引起的，因此，若使用多歧管形式的模具，对于具有流动性差异的不同种形成材料而言，与其它形式(例如，供料头(feed block)形式)相比，材料选择的范围更广。用于各形成材料的熔融的挤出机的螺杆类型可以为单螺杆或双螺杆。挤出机也可以为3台以上。挤出机为3台以上的情况下，还可以进一步供给其它层的形成材料。此外，使用3台以上的挤出机制造2层结构(基材层+粘合剂层)的粘合带的情况下，只要将同一种形成材料供给于相邻的2台以上的挤出机即可，例如使用3台挤出机时，可以向相邻的2台挤出机供给同一种形成材料。
[0059]上述共挤出成型中的成型温度优选为160°C?220°C，进一步优选为170°C?200°C。如果处于这种范围，则成型稳定性优异。
[0060]上述粘合剂层形成材料与上述基材层形成材料的在温度180°C、剪切速度IOOsec-1下的剪切粘度之差(粘合剂形成材料-基材层形成材料)优选为_150Pa ? s?600Pa ? s，进一步优选为-1OOPa ? s?550Pa ? S，特别优选为_50Pa ? s?500Pa ? S。只要处于这种范围内，则上述粘合剂形成材料和基材层形成材料在模具内的流动性接近，可以防止合流不良的发生。需要说明的是，剪切粘度可以使用双毛细管型的拉伸粘度计进行测定。.
[0061]实施例
[0062]以下，通过实施例对本发明进行具体的说明，但本发明不受这些实施例的任何限制。此外，在实施例中，若无特别说明，则“份”和“％”为重量基准。
[0063][实施例1]
[0064]作为粘合剂层形成材料，使用利用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学株式会社制造，商品名“TAFTHREN H5002”:丙烯衍生的结构单元90摩尔％/1_ 丁烯衍生的结构单元10摩尔％，Mw=230000, Mw/Mn=l.8)。
[0065]作为基材层形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA) (DU PONT-MISUIC0., LTD.制造，商品名 “EVAFLEX P-1007”)。
[0066]将上述粘合剂形成材料和基材层形成材料投入各自的挤出机,进行T模熔融共挤出(挤出机:GM ENGINEERING, Inc.制造，商品名“GM30_28”/T 模:供料头(feed block)方式，挤出温度:180°C)，将熔融状态的树脂和向接触辊成型部通纸的Si涂布PET隔离膜(三菱化学株式会社制造，商品名“Diafoil MRF”，38i!m)层压后进行冷却，得到粘合剂层的厚度为45 ii m且基材层的厚度为160 u m的粘合带。其中，各层的厚度通过T模出口的形状来控制。
[0067][实施例2]
[0068]作为粘合剂层形成材料，使用80份利用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学株式会社制造，商品名“TAFTHREN H5002”丙烯衍生的结构单元90摩尔％/1_ 丁烯衍生的结构单元10摩尔％，Mw=230000, Mw/Mn=l.8)和20份利用茂金属催化剂聚合而成的结晶性聚丙烯系树脂(Japan Polypropylene Corp.制造,商品名“WINTEC WFX4”，Mw=363000，Mw/Mn=2.87)的混合物。
[0069]作为基材层 形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(DU PONT-MISUI C0.，LTD.制造，商品名 “EVAFLEX P-1007” )。
[0070]将上述粘合剂形成材料和基材层形成材料投入各自的挤出机，进行T模熔融共挤出(挤出机:GM ENGINEERING, Inc.制造，商品名“GM30_28”/T 模:供料头(feed block)方式，挤出温度:180°C )，将熔融状态的树脂和向接触辊成型部通纸的Si涂布PET隔离膜(三菱化学株式会社制造，商品名“Diafoil MRF”，38ym)层压后进行冷却，得到粘合剂层的厚度为45 μ m且基材层的厚度为160 μ m的粘合带。
[0071][实施例3]
[0072]将非晶质丙烯-(1- 丁烯)共聚物的混合量设为60份来代替80份，将结晶性聚丙烯系树脂的混合量设为40份来代替20份，除此之外，与实施例2同样操作，得到粘合带。
[0073][比较例I]
[0074]将非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的混合量设为50份来代替80份，将结晶性聚丙烯系树脂的混合量设为50份来代替20份，除此之外，与实施例2同样操作，得到粘合带。
[0075][比较例2]
[0076]配混将100份丙烯酸丁酯和5份丙烯酸共聚而获得的共聚物(重均分子量:900000,固体成分:20%) 100份、作为交联剂的异氰酸酯系交联剂(Nippon PolyurethaneIndustry C0., Ltd.制造，商品名 “Coronate L”)2 份、环氧系交联剂(MITSUBISHI GASCHEMICAL COMPANY, INC.制造，商品名“TETRAD C”)I份，从而制备粘合剂层形成材料。
[0077]将该粘合剂层形成材料以干燥后的厚度为45 μ m的方式涂布于经过有机硅剥离处理的聚酯薄膜(厚度:38μπι)，在120°C下干燥2分钟，从而得到丙烯酸(酯)类粘合剂。
[0078]然后，将上述丙烯酸(酯)类粘合剂转印到以乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作为形成材料的基材层(厚度:160μπι)，从而得到粘合带。
[0079][评价]
[0080]将实施例和比较例中获得的粘合带供于以下评价。将结果示于表I。
[0081](I)粘合力(剥离速度300mm/min)
[0082]将得到的粘合带在50°C下熟化2天后，利用4英寸半导体晶圆的镜面(硅制)、根据JIS Z0237(2000)的方法(贴合条件:2kg辊往复I次，剥离速度:300mm/min，剥离角度180° )来进行测定。
[0083](2)浮起宽度
[0084]将厚度30 μ m宽度2cm的铝箔置于半导体晶圆(硅制)上。以横跨该铝箔的方式贴附切割为长度IOcm宽度2cm的粘合带(2kg辊往复I次)，用显微镜观察并测定对高度差
30μ m的浮起宽度。在刚贴附粘合带后及贴附并经过I小时后，测定浮起宽度。[0085](3)储能模量(G’ )
[0086]使用动态粘弹性谱测定器(Rheometric Scientific公司制造,商品名“ARES”)，在频率10Hz、升温速度5°C /分钟、-50°C?100°C的范围下测定粘合剂层的储能模量。
[0087](4)损耗角正切tan δ
[0088]在与上述储能模量(G’ )相同的条件下测定储能模量(G’ )和损耗模量(G’ ’)，根据下述式算出粘合剂层在20°C和80°C下的损耗角正切tan δ。
[0089]损耗角正切tan δ =损耗模量(G”)/储能模量(G’ )
[0090](5)分子量测定
[0091]实施例和比较例I中使用的利用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化学株式会社制造，商品名“TAFTHREN H5002”)、比较例3中使用的共聚物的分子量如下测定。即，将试样调制成l.0g/Ι的THF溶液并静置一晚后，用孔径0.45μπι的膜滤器过滤，对于得到的滤液使用东曹株式会社制造的HLC-8120GPC在以下条件下进行测定，根据聚苯乙烯换算进行计算。
[0092]柱:TSKgeISuperHZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000
[0093]柱尺寸:6.0mmT.D.X 150mm
[0094]柱温度:40°C
[0095]洗脱液:THF
[0096]流量:0.6ml/min
[0097]注入量:20μ I
[0098]检测器:RI (差示折光率检测器)
[0099]此外，实施例2?3和比较例I中使用的利用茂金属催化剂聚合而成的结晶性聚丙烯系树脂(Japan Polypropylene Corp.制造,商品名“WINTEC WFX4”)的分子量如下测定。即，将试样调制为0.10%(w/w)邻二氯苯溶液，在140°C下溶解后，用孔径为Ι.Ομπι的烧结过滤器过滤该溶液，对得到的滤液使用Waters公司制造的凝胶渗透色谱仪AllianceGPC2000型在以下条件下进行测定，根据聚苯乙烯换算进行计算。
[0100]柱:TSKgeI GMH6-HT、TSKgel GMH6-HTL
[0101]柱尺寸:7.5mml.D.X 300mm 各 2 根
[0102]柱温度:140O
[0103]洗脱液:邻二氯苯
[0104]流量:1.0ml/min
[0105]注入量:0.4ml
[0106]检测器:RI (差示折光率检测器)
[0107][表I]
【权利要求】
1.一种粘合带，其具备粘合剂层和基材层， 该粘合剂层在20°C下的储能模量为0.5X IO6Pa?1.0X IO8Pa,该粘合剂层在20°C?80°C下的损耗角正切tan S为0.1以上。
2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该非晶质丙烯-(1- 丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。
3.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，对硅制半导体镜面晶圆的镜面的、JIS-Z-0237所规定的180°剥离粘合力为0.2N/20mm?3.0N/20mm。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的粘合带，其是将粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成型 而得到的。
【文档编号】C08F210/08GK103429690SQ201280013540
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2012年3月5日 优先权日:2011年3月17日
【发明者】佐佐木贵俊, 土生刚志, 生岛伸祐, 龟井胜利, 浅井文辉 申请人:日东电工株式会社