1.一种光刻用膜形成材料，其包含由下述式(1a)表示的马来酰亚胺树脂，
式(1a)中，
r各自独立地为选自由氢原子和碳数1～4的烷基组成的组中的任1种的基团，
z各自独立地为任选包含杂原子的碳数1～100的3价或4价的烃基，
r1各自独立地为任选包含杂原子的碳数0～10的基团，
m1各自独立地为0～4的整数，
n为1以上的整数。
2.根据权利要求1所述的光刻用膜形成材料，其中，所述n为2以上的整数。
3.根据权利要求1所述的光刻用膜形成材料，其中，所述式(1a)的马来酰亚胺树脂由下述式(2a)或下述式(3a)表示，
式(2a)中，r与所述式(1a)为相同含义，
r2各自独立地为任选包含杂原子的碳数0～10的基团，
m2各自独立地为0～3的整数，
m2’各自独立地为0～4的整数，
n为1以上的整数，
式(3a)中，r与所述式(1a)为相同含义，
r3和r4各自独立地为任选包含杂原子的碳数0～10的基团，
m3各自独立地为0～4的整数，
m4各自独立地为0～4的整数，
n为2以上的整数。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用膜形成材料，其中，所述杂原子选自由氧、氟、和硅组成的组。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光刻用膜形成材料，其还含有交联剂。
6.根据权利要求5所述的光刻用膜形成材料，其中，所述交联剂为选自由酚化合物、环氧化合物、氰酸酯化合物、氨基化合物、苯并噁嗪化合物、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、甘脲化合物、脲化合物、异氰酸酯化合物和叠氮化合物组成的组中的至少1种。
7.根据权利要求5或6所述的光刻用膜形成材料，其中，所述交联剂具有至少1个烯丙基。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的光刻用膜形成材料，其还含有交联促进剂。
9.根据权利要求8所述的光刻用膜形成材料，其中，所述交联促进剂为选自由胺类、咪唑类、有机膦类、和路易斯酸组成的组中的至少1种。
10.根据权利要求8或9所述的光刻用膜形成材料，其中，将所述马来酰亚胺树脂的总计质量设为100质量份的情况下，所述交联促进剂的含有比例为0.1～5质量份。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的光刻用膜形成材料，其还含有自由基聚合引发剂。
12.根据权利要求11所述的光刻用膜形成材料，其中，所述自由基聚合引发剂为选自由酮系光聚合引发剂、有机过氧化物系聚合引发剂和偶氮系聚合引发剂组成的组中的至少1种。
13.根据权利要求11或12所述的光刻用膜形成材料，其中，将所述马来酰亚胺树脂的总计质量设为100质量份的情况下，所述自由基聚合引发剂的含有比例为0.05～25质量份。
14.一种光刻用膜形成用组合物，其含有：权利要求1～13中任一项所述的光刻用膜形成材料、和溶剂。
15.根据权利要求14所述的光刻用膜形成用组合物，其还含有产碱剂。
16.根据权利要求14或15所述的光刻用膜形成用组合物，其中，所述光刻用膜为光刻用下层膜。
17.一种光刻用下层膜，其是使用权利要求16所述的光刻用膜形成用组合物而形成的。
18.一种抗蚀图案形成方法，其包括如下工序：
使用权利要求16所述的光刻用膜形成用组合物在基板上形成下层膜的工序；
在所述下层膜上形成至少1层的光致抗蚀层的工序；和，
对所述光致抗蚀层的规定区域照射辐射线并进行显影的工序。
19.一种电路图案形成方法，其包括如下工序：
使用权利要求16所述的光刻用膜形成用组合物在基板上形成下层膜的工序；
使用含有硅原子的抗蚀剂中间层膜材料在所述下层膜上形成中间层膜的工序；
在所述中间层膜上形成至少1层的光致抗蚀层的工序；
对所述光致抗蚀层的规定区域照射辐射线并进行显影而形成抗蚀图案的工序；
将所述抗蚀图案作为掩模对所述中间层膜进行蚀刻的工序；
将得到的中间层膜图案作为蚀刻掩模对所述下层膜进行蚀刻的工序；
将得到的下层膜图案作为蚀刻掩模对基板进行蚀刻，从而在基板形成图案的工序。