成形用树脂组合物及电子零件装置的制作方法

本公开涉及一种成形用树脂组合物及电子零件装置。

背景技术：

1、伴随着近年来的电子设备的高功能化、轻薄短小化的要求，不断推进电子零件的高密度集成化、进而推进高密度安装化，用于这些电子设备的半导体封装比以往增加，越来越推进小型化。进而，用于电子设备的通信的电波的高频化也在推进。

2、就半导体封装的小型化以及应对高频的观点而言，提出了用于半导体元件的密封的高介电常数树脂组合物(例如，参照日本专利特开2015-036410号公报、日本专利特开2017-057268号公报、以及日本专利特开2018-141052号公报)。

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、作为密封半导体元件等电子零件的材料，例如可列举包含硬化性树脂及无机填充材的成形用树脂组合物。作为所述成形用树脂组合物，通过使用可获得介电常数高的硬化物的组合物，能够实现半导体封装的小型化。

3、另一方面，介电常数高的材料通常多数情况下介电损耗角正切也高。若使用介电损耗角正切高的材料，则传输信号因传输损失而转换为热，通信效率容易降低。此处，为了通信而发送的电波在介电体中进行热转换而产生的传输损失的量表示为频率、相对介电常数的平方根与介电损耗角正切的积。即，传输信号容易与频率成比例地变为热。而且，特别是近年来，为了应对伴随信息的多样化的通道数增加等，通信中使用的电波被高频化，因此要求在成形后的硬化物中同时实现高介电常数与低介电损耗角正切的成形用树脂组合物。

4、本公开的课题在于提供一种同时实现成形后的硬化物的高介电常数与低介电损耗角正切的成形用树脂组合物、及使用所述成形用树脂组合物的电子零件装置。

5、[解决问题的技术手段]

6、用以解决所述课题的具体方式包括以下的形态。

7、＜1＞一种成形用树脂组合物，包含：

8、硬化性树脂；以及

9、无机填充材，含有钛酸钙粒子。

10、＜2＞根据＜1＞所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化性树脂含有环氧树脂，且所述成形用树脂组合物还包含硬化剂。

11、＜3＞根据＜2＞所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化剂包含活性酯化合物。

12、＜4＞根据＜2＞或＜3＞所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化剂包含选自由酚硬化剂、胺硬化剂、酸酐硬化剂、聚硫醇硬化剂、聚氨基酰胺硬化剂、异氰酸酯硬化剂、及封闭异氰酸酯硬化剂所组成的群组中的至少一种其他硬化剂，以及活性酯化合物。

13、＜5＞根据＜2＞或＜3＞所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化剂包含芳烷基型酚树脂及活性酯化合物。

14、＜6＞根据＜1＞至＜5＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述无机填充材还含有其他无机填充材，所述其他无机填充材为选自由二氧化硅粒子及氧化铝粒子所组成的群组中的至少一种。

15、＜7＞根据＜6＞所述的成形用树脂组合物，其中所述其他无机填充材的体积平均粒径为3μm以上。

16、＜8＞根据＜1＞至＜7＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中相对于所述无机填充材整体，所述钛酸钙粒子的含有率为30体积％～80体积％。

17、＜9＞根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述无机填充材整体的10ghz下的相对介电常数为80以下。

18、＜10＞根据＜1＞至＜9＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中相对于成形用树脂组合物整体，所述无机填充材整体的含有率为40体积％～85体积％。

19、＜11＞根据＜1＞至＜10＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述钛酸钙粒子的体积平均粒径为0.2μm～80μm。

20、＜12＞根据＜1＞至＜11＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中还包含含有有机膦的硬化促进剂。

21、＜13＞根据＜1＞至＜12＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述无机填充材包含球形的钛酸钙粒子。

22、＜14＞根据＜13＞所述的成形用树脂组合物，其中相对于成形用树脂组合物整体，所述无机填充材整体的含有率为70体积％～85体积％。

23、＜15＞根据＜1＞至＜14＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其中成形用树脂组合物的硬化物的相对介电常数为9～40，且所述硬化物的介电损耗角正切为0.020以下。

24、＜16＞根据＜1＞至＜15＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其用于高频器件。

25、＜17＞根据＜16＞所述的成形用树脂组合物，其用于高频器件中的电子零件的密封。

26、＜18＞根据＜1＞至＜17＞中任一项所述的成形用树脂组合物，其用于天线封装。

27、＜19＞一种电子零件装置，包括：

28、支撑构件；

29、电子零件，配置在所述支撑构件上；以及

30、对所述电子零件进行密封的根据＜1＞至＜18＞中任一项所述的成形用树脂组合物的硬化物。

31、＜20＞根据＜19＞所述的电子零件装置，其中所述电子零件包括天线。

32、[发明的效果]

33、根据本公开，提供一种同时实现成形后的硬化物的高介电常数与低介电损耗角正切的成形用树脂组合物、及使用所述成形用树脂组合物的电子零件装置。

1.一种成形用树脂组合物，包含：

2.根据权利要求1所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化性树脂含有环氧树脂，且所述成形用树脂组合物还包含硬化剂。

3.根据权利要求2所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化剂包含活性酯化合物。

4.根据权利要求2或3所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化剂包含选自由酚硬化剂、胺硬化剂、酸酐硬化剂、聚硫醇硬化剂、聚氨基酰胺硬化剂、异氰酸酯硬化剂、及封闭异氰酸酯硬化剂所组成的群组中的至少一种的其他的硬化剂，以及活性酯化合物。

5.根据权利要求2或3所述的成形用树脂组合物，其中所述硬化剂包含芳烷基型酚树脂及活性酯化合物。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述无机填充材还含有其他的无机填充材，所述其他的无机填充材为选自由二氧化硅粒子及氧化铝粒子所组成的群组中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的成形用树脂组合物，其中所述其他的无机填充材的体积平均粒径为3μm以上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的成形用树脂组合物，其中相对于所述无机填充材整体，所述钛酸钙粒子的含有率为30体积％～80体积％。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述无机填充材整体的10ghz下的相对介电常数为80以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的成形用树脂组合物，其中相对于成形用树脂组合物整体，所述无机填充材整体的含有率为40体积％～85体积％。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述钛酸钙粒子的体积平均粒径为0.2μm～80μm。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的成形用树脂组合物，其中还包含含有有机膦的硬化促进剂。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的成形用树脂组合物，其中所述无机填充材包含球形的钛酸钙粒子。

14.根据权利要求13所述的成形用树脂组合物，其中相对于成形用树脂组合物整体，所述无机填充材整体的含有率为70体积％～85体积％。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的成形用树脂组合物，其中成形用树脂组合物的硬化物的相对介电常数为9～40，且所述硬化物的介电损耗角正切为0.020以下。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的成形用树脂组合物，其用于高频器件。

17.根据权利要求16所述的成形用树脂组合物，其用于高频器件中的电子零件的密封。

18.根据权利要求1至17中任一项所述的成形用树脂组合物，其用于天线封装。

19.一种电子零件装置，包括：

20.根据权利要求19所述的电子零件装置，其中所述电子零件包括天线。