一种高渗透型低温脱胶剂的制作方法

本发明属于硅片加工领域，特别涉及一种硅片加工用高渗透型低温脱胶剂及其制备方法和应用。

背景技术：

1、随着全球太阳能和微电子行业的飞速发展，硅片日趋薄片化，对硅片切割工艺提出了更高的要求。硅片的脱胶为硅片切割工艺中的一道工序，传统的脱胶工艺中，使用以乳酸和/或柠檬酸为主要有效成分的脱胶剂。如专利cn106590969a公开了一种金刚线切割的晶体硅片的超声脱胶方法，采用60～80wt％乳酸水溶液作为脱胶剂，脱胶温度为60～75℃，脱胶时间为500～700s；专利cn105855213a公开了一种硅晶片脱胶工艺，采用40％wt％乳酸水溶液作为脱胶剂，脱胶温度为65～70℃，脱胶时间为450s～500s。可见传统的脱胶剂渗透能力较差，短时间内无法渗入锯缝中带出硅片和硅片之间夹杂的硅粉，脱胶温度高，脱胶时间长，制约了硅片切割工艺整体产能的提升，此外，由于脱胶温度高于60℃，大大增加了硅片被氧化的风险。

2、专利cn 112745991 a公开了一种脱胶剂，包括有机酸和渗透润湿剂，通过渗透润湿剂和有机酸相互协同配合，辅助有机酸高效渗透。但是该脱胶剂的脱胶温度为70℃，脱胶时间为600～800s，仍然存在脱胶温度高，脱胶时间长，从而导致硅片被氧化的风险增加。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种高渗透型低温脱胶剂，用于硅片切割工艺中的脱胶处理。

2、为达上述目的，本发明所采用的技术方案是：

3、一种高渗透型低温脱胶剂，其组分包括乳酸、渗透剂、表面活性剂、醇/醚溶剂和去离子水，按质量百分比为：

4、

5、其中，渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚，起到快速使酸溶液进入硅片夹缝中间与粘棒胶接触；表面活性剂为异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯或异癸醇聚氧乙烯醚磷酸酯，有助于硅片中间硅粉的排出；醇/醚溶剂为戊醇、己醇、二乙二醇丁醚中的任意一种，有助于增加渗透剂在水中的溶解度。

6、本发明还提供了一种高渗透型低温脱胶剂的制备方法，即：向去离子水中加入乳酸、渗透剂、表面活性剂和醇/醚溶剂，搅拌均匀，制得高渗透型低温脱胶剂。

7、与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明的高渗透型低温脱胶剂在硅片脱胶工序使用时，脱胶温度在30℃～50℃，脱胶时间在300s～450s。本发明的高渗透型低温脱胶剂，可实现低温快速脱胶，减少脱胶返工，明显提高脱胶效率，降低硅片不合格率，提升硅片切割工艺整体产能，并且具有制备方法简单，成本低的优点。

技术特征：

1.一种高渗透型低温脱胶剂，其特征在于，包括乳酸、渗透剂、表面活性剂、醇/醚溶剂和去离子水。

2.根据权利要求1所述的高渗透型低温脱胶剂，其特征在于，按质量百分比计算，包括如下组分：

3.根据权利要求2所述的高渗透型低温脱胶剂，其特征在于，所述的渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚。

4.根据权利要求2所述的高渗透型低温脱胶剂，其特征在于，所述的表面活性剂为异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯或异癸醇聚氧乙烯醚磷酸酯。

5.根据权利要求2所述的高渗透型低温脱胶剂，其特征在于，所述的醇/醚溶剂为戊醇、己醇、二乙二醇丁醚中的任意一种。

6.制备权利要求2所述的高渗透型低温脱胶剂方法，其特征在于，向去离子水中加入乳酸、渗透剂、表面活性剂和醇/醚溶剂，搅拌均匀，制得高渗透型低温脱胶剂。

7.根据权利要求1或2所述的高渗透型低温脱胶剂，其特征在于，其在硅片脱胶工序中使用，脱胶温度为30℃～50℃，脱胶时间为300s～450s。

技术总结
本发明属于硅片加工领域，具体涉及一种硅片切割脱胶用高渗透型低温脱胶剂，该脱胶剂的组分包括乳酸、渗透剂、表面活性剂、醇醚溶剂和去离子水。本发明的高渗透型低温脱胶剂，可实现低温快速脱胶，减少脱胶返工，明显提高脱胶效率，降低硅片不合格率，提升硅片切割工艺整体产能，并且具有制备方法简单，成本低廉的优点。

技术研发人员：张小飞
受保护的技术使用者：常州高特新材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12