一种神经细胞损伤修复装置

本发明属于电磁生物，具体涉及一种神经细胞损伤修复装置。

背景技术：

1、极低频电磁场通常被定义为3hz至300hz频率范围内的电磁场，这类电磁场的辐射源随着人类社会的电气化而广泛存在。已有流行病学研究指出极低频电磁场暴露将增加儿童患白血病的风险，职业极低频电磁场暴露还可能和一些神经退行性疾病相关，因此世界卫生组织将其列为潜在的风险源。至今已有大量的关于电磁场暴露引发dna损伤、凋亡、分化或信号分子改变的报导，然而，对sh-sy5y细胞体外分化的研究指出，低频和低强度的交流磁场、低频高强度的静磁场都能在不影响细胞存活率的情况下，促进视黄酸介导的sh-sy5y细胞的分化，即使没有视黄酸，这两种电磁场暴露也能促进低血清条件下的sh-sy5y的分化，研究还表明，当神经细胞暴露于elf-emf时，trpc1和神经前体基因(neurod和ngn1)表达上调从而促进神经元的分化和轴突的生长。可见，电磁场作为一种物质和能量的存在形式，其对生物体的作用机制仍远未明晰，这一方面是电磁场对生物体的作用在分子层面上难以阐述，另一方面是电磁场频率、强度甚至其不同频率的组合对生物体的作用都大不相同，这些情况至今无法用统一的理论来解释，电磁场生物效应研究遇到的这些困境也阻碍了现有技术中电磁场防护、诊疗等方面的发展和应用。

技术实现思路

1、针对上述问题，本发明第一方面提供一种神经细胞损伤修复装置，包括磁场发生器，用于对神经细胞组织施加频率为3-300hz以下的交变电磁场，磁场暴露时长为1h以上。

2、进一步地，所施加的交变电磁场的频率为50hz。

3、进一步地，神经细胞组织为体外培养的细胞组织或被试生物体的细胞组织。

4、进一步地，交变电磁场中央的磁感应强度为1mt。

5、进一步地，交变电磁场通过诱导神经细胞组织的自噬以实现神经细胞损伤修复。

6、进一步地，磁场发生器包括若干线圈以产生交变电磁场。

7、进一步地，神经细胞损伤修复装置还包括根据信号传输顺序依次连接的信号发生器和功率放大器，功率放大器的输出端与磁场发生器相连。

8、进一步地，信号发生器被配置为产生波形为标准正弦波的模拟信号。

9、进一步地，神经细胞损伤修复装置还包括培养箱，用于放置体外培养的细胞组织，培养箱箱体为金属。

10、本发明提供的神经细胞损伤修复装置，应用极低频电磁场作为无创物理治疗方法，具有安全、方便的优势，可通过诱导细胞组织的自噬，实现修复细胞组织的损伤或促进细胞组织生长，对神经系统具有潜在治疗作用，在医疗领域内有广泛的应用前景；也可作为美容手段用于维持皮肤稳态、减少皮肤老化等。

技术特征：

1.一种神经细胞损伤修复装置，其特征在于，包括磁场发生器，用于对所述神经细胞组织施加频率为3-300hz的交变电磁场，磁场暴露时长为1h以上。

2.根据权利要求1所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，所施加的交变电磁场的频率为50hz。

3.根据权利要求1所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，所述神经细胞组织为体外培养的细胞组织或被试生物体的细胞组织。

4.根据权利要求1所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，所述交变电磁场中央的磁感应强度为1mt。

5.根据权利要求1所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，所述交变电磁场通过诱导神经细胞组织的自噬以实现神经细胞损伤修复。

6.根据权利要求1所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，所述磁场发生器包括若干线圈以产生所述交变电磁场。

7.根据权利要求1所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，还包括根据信号传输顺序依次连接的信号发生器和功率放大器，所述功率放大器的输出端与所述磁场发生器相连。

8.根据权利要求7所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，所述信号发生器被配置为产生波形为标准正弦波的模拟信号。

9.根据权利要求3所述的神经细胞损伤修复装置，其特征在于，还包括培养箱，用于放置体外培养的细胞组织，所述培养箱箱体为金属。

技术总结
本发明提供了一种神经细胞损伤修复装置，装置包括磁场发生器，用于对神经细胞组织施加频率为3‑300Hz的交变电磁场，磁场暴露时长为1h以上；优选频率为50Hz的交变电磁场。该神经细胞损伤修复装置还包括根据信号传输顺序依次连接的信号发生器和功率放大器，功率放大器的输出端与磁场发生器相连，该信号发生器被配置为产生波形为标准正弦波的模拟信号。发明提供的神经细胞损伤修复装置以产生极低频电磁场，可作为无创物理治疗方法，具有安全、方便的优势，应用于通过诱导细胞组织的自噬实现修复细胞组织的损伤或促进细胞组织生长，对神经系统具有潜在治疗作用，在医疗领域内有广泛的应用前景；也可作为美容手段用于维持皮肤稳态、减少皮肤老化等。

技术研发人员：章幼玉,潘飞,费华星,柳清伙
受保护的技术使用者：厦门大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13