一种二苯基硅烷的制备工艺的制作方法

文档序号:35709875发布日期:2023-10-12 10:46阅读:71来源:国知局

本发明属于化学合成,具体涉及一种二苯基硅烷的制备工艺。


背景技术:

1、二苯基硅烷是一种透明无色液体,其在浓硫酸和三氯化铝作用下,分子内的硅一苯键断裂;在醇碱作用下,si-h键水解断裂,放出氢气,生成二苯基硅二醇及其缩合物;在铂催化剂存在下,si-h键可与链烯烃发生加成反应。常用来合成有机硅中间体,在有机合成中应用广泛。

2、现有技术的二苯基硅烷制备工艺具有多种,一种是通过苯硅烷发生偶联制备二苯基硅烷,该种工艺副产物多,反应过程不可控;一种是通过氯化二苯基硅烷发生取代反应,但该种反应会生成1,1,2,2,-四苯基二硅烷等易聚合副产物,纯化困难,反应过程繁琐,操作不便;以原料1,1,2,2,-四苯基二硅烷反应时还会得到三苯基硅烷,原料选择性差;一种是二苯基二氯硅烷用氢化锂或四氢锂铝还原来制取,该种反应条件苛刻,不易于工业化生产;还有通过苯基卤代镁与苯硅烷发生格式试剂反应制得,同样对反应条件要求苛刻,副产物多;以1-己炔或1-己烯等为原料进行反应,反应步骤多,整体收率低。


技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是:本发明提供一种二苯基硅烷的制备工艺,采用1,1,2,2-四苯基二硅烷为原料,通过加氢直接制得二苯基硅烷,原料来源广,产物纯度高,反应收率好,过程可控。

2、本发明解决其技术问题采用的技术方案如下:一种二苯基硅烷的制备工艺,包括以下操作步骤,

3、,

4、步骤s1,填料层装样:向固定床反应器中通入惰性气体,完成三次空气置换后,保持惰性气体通入;将钯与碳粉混合均匀后,装入固定床反应器中形成填料层;

5、步骤s2,反应氛围置换:停止通入惰性气体,向固定床反应器中通入氢气,完成一次置换后持续通入氢气;

6、步骤s3,钯碳催化剂活化:将固定床反应器升温至60-80℃,保温;

7、步骤s4,二苯基硅烷制备:将1,1,2,2,-四苯基二硅烷加入有机溶剂中,形成均质混合液;将该均质混合液从固定床反应器的下方向上方泵入;此时氢气在该均质混合液中形成均匀致密的气泡;收集固定床反应器出口的反应液,使用同样的有机溶剂将固定床反应器中的原料排空,与前述反应液收集在一处形成二苯基硅烷的有机溶液;反应结束后结束通入氢气,继续向固定床反应器中通入惰性气体;

8、步骤s5,二苯基硅烷纯化:将收集的二苯基硅烷有机溶液加入稀硫酸,萃取有机层,减压蒸馏即得到纯净的二苯基硅烷。

9、进一步的,所述钯的摩尔量为1,1,2,2,-四苯基二硅烷的摩尔量的3%-5%。

10、进一步的,所述步骤s3钯碳催化剂活化保温时间为5-10min。

11、进一步的,所述步骤s4二苯基硅烷制备中,1,1,2,2,-四苯基二硅烷在均质混合液的浓度为1-2m,所述均质混合液的流速为10-50ml/min,所述氢气流速为2-10ml/s。

12、进一步的,所述步骤s4二苯基硅烷制备中有机溶剂为四氢呋喃或乙醚。

13、本发明的有益效果是:

14、本发明中公开的一种二苯基硅烷的制备工艺,采用1,1,2,2-四苯基二硅烷为原料,通过加氢直接制得二苯基硅烷,原料来源广,生成的副产物少,产物纯度高,反应收率好,过程可控。

15、2、与现有技术相比,采用固定床反应器反应时间短,且没有返混,反应时间短,效率高,经济价值好。



技术特征:

1.一种二苯基硅烷的制备工艺,其特征在于,包括以下操作步骤,

2.根据权利要求1所述的一种二苯基硅烷的制备工艺,其特征在于:所述钯的摩尔量为1,1,2,2,-四苯基二硅烷的摩尔量的3%-5%。

3.根据权利要求1所述的一种二苯基硅烷的制备工艺,其特征在于:所述步骤s3钯碳催化剂活化保温时间为5-10min。

4.根据权利要求1所述的一种二苯基硅烷的制备工艺,其特征在于:所述步骤s4二苯基硅烷制备中,1,1,2,2,-四苯基二硅烷在均质混合液的浓度为1-2m,所述均质混合液的流速为10-50ml/min,所述氢气流速为2-10ml/s。

5.根据权利要求1所述的一种二苯基硅烷的制备工艺,其特征在于:所述步骤s4二苯基硅烷制备中有机溶剂为四氢呋喃或乙醚。


技术总结
本发明属于化学合成技术领域,涉及一种二苯基硅烷的制备工艺,包括以下操作步骤:向固定床反应器中通入惰性气体,将钯与碳粉混合均匀后,装入固定床反应器中;停止通入惰性气体,向固定床反应器中通入氢气,完成一次置换后持续通入氢气;将固定床反应器升温至60‑80℃,保温;将1,1,2,2,‑四苯基二硅烷加入有机溶剂中,形成均质混合液;将该均质混合液从固定床反应器的下方向上方泵入;收集固定床反应器出口的反应液;反应结束后结束通入氢气,继续向固定床反应器中通入惰性气体;二苯基硅烷纯化。

技术研发人员:毕志强,朱春磊,邓雄飞,曾超
受保护的技术使用者:研峰科技(北京)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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