本发明涉及薄膜，具体涉及一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺。
背景技术：
1、高分子膜是以有机高分子聚合物为材料制成的薄膜。随着石油工业和科技的发展，高分子膜的应用领域不断扩大，由最初的包装膜发展到了智能高分子膜、高分子功能膜等。其中用量最大的是选择性分离膜，如离子交换膜、微孔过滤膜、超过滤膜、液膜、液晶膜等。已应用的领域有核燃料及金属提炼、气体分离、海水淡化、超纯水制备、污废处理、人工脏器的制造、医药、食品、农业、化工等各方面。现有的高分子绝缘电子薄膜隔热性不佳，因此，本发明提供一种具有良好隔热性的高分子绝缘电子薄膜加工工艺。
技术实现思路
1、为了解决现有的技术问题，本发明提供了一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺。
2、本发明解决技术问题具体采用如下技术方案：
3、本发明提供了一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，包括以下步骤：
4、以重量份计，称取原料，高分子材料30-50份、甲基纤维素1-4份、阻燃剂3-5份、抗氧剂0.1-0.5份、成膜剂2-4份、固化剂1-2份、改性纳米二氧化硅2-8份、去离子水15-20份；
5、将高分子材料、甲基纤维素、阻燃剂、抗氧剂、改性纳米二氧化硅、去离子水，在150-180℃下，搅拌混合50-60分钟，然后加入固化剂和成膜剂搅拌混合30-50分钟，螺杆挤出机熔融、混炼、挤出、造粒拉膜得到薄膜。
6、作为本发明进一步的技术方案，所述改性纳米二氧化硅的制备方法如下：将纳米二氧化硅加去离子水配置成质量分数为5-10％的悬浮液，在30-50℃下，然后加入表面活性剂搅拌混合，所述纳米二氧化硅与表面活性剂之间的质量比为10：1，反应90-120分钟，加入岩棉粉混合搅拌反应2-3h，所述纳米二氧化硅与岩棉粉之间的质量比为10：1-3，过滤，烘干，得到改性纳米二氧化硅。
7、作为本发明进一步的技术方案，所述表面活性剂为聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠、双十二烷基二甲基氯化铵中的一种或多种。
8、作为本发明进一步的技术方案，所述高分子材料为聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯中的一种或几种。
9、作为本发明进一步的技术方案，所述阻燃剂为卤系阻燃剂、铝镁系阻燃剂、硅系阻燃剂中的任一种或多种的组合。
10、作为本发明进一步的技术方案，所述抗氧剂为抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂ca、抗氧剂168、抗氧剂dstp中的两种或两种以上混合物。
11、作为本发明进一步的技术方案，所述成膜剂为蛋白成膜剂、丙烯酸树脂成膜剂、丁二烯树脂成膜剂、聚氨酯成膜剂、硝酸纤维成膜剂中的一种。
12、作为本发明进一步的技术方案，所述固化剂为芳香多胺、咪唑、酸酐中的一种。
13、与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：本发明通过在薄膜中加入了改性二氧化硅，能够显著的提高薄膜的隔热效果，在本发明中通过表面活性剂和岩棉粉对二氧化硅进行改性，岩棉粉能够附着在二氧化硅上，进一步提高二氧化硅的保温隔热效果，另外，本发明还添加有阻燃剂能够提高薄膜的阻燃性能。
1.一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述改性纳米二氧化硅的制备方法如下：将纳米二氧化硅加去离子水配置成质量分数为5-10％的悬浮液，在30-50℃下，然后加入表面活性剂搅拌混合，所述纳米二氧化硅与表面活性剂之间的质量比为10：1，反应90-120分钟，加入岩棉粉混合搅拌反应2-3h，所述纳米二氧化硅与岩棉粉之间的质量比为10：1-3，过滤，烘干，得到改性纳米二氧化硅。
3.根据权利要求2所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述表面活性剂为聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠、双十二烷基二甲基氯化铵中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述高分子材料为聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述阻燃剂为卤系阻燃剂、铝镁系阻燃剂、硅系阻燃剂中的任一种或多种的组合。
6.根据权利要求1所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述抗氧剂为抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂ca、抗氧剂168、抗氧剂dstp中的两种或两种以上混合物。
7.根据权利要求1所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述成膜剂为蛋白成膜剂、丙烯酸树脂成膜剂、丁二烯树脂成膜剂、聚氨酯成膜剂、硝酸纤维成膜剂中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，其特征在于，所述固化剂为芳香多胺、咪唑、酸酐中的一种。