发光材料、发光器件、显示装置的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及发光二极管材料。

背景技术：

1、热激活延迟荧光(tadf)材料近年来因其使用无贵金属有机分子的激子利用率达到100％的显著优点而成为研究的前沿。tadf材料的显著特征是其具有能量接近的最低能单重态(s1)和三重态(t1)激发态，使暗t1激子在室温下通过反向系统间交叉(risc)上转换为辐射s1激子。对于理想的tadf材料来说，快速激子衰变过程是必不可少的，该过程同时受到快速三重态上转换和单重态辐射过程的控制。前者需要一个小的单重态-三重态能隙(δest)，而后者需要一个大的振子强度(f)，然而，这是相互冲突的因素，因为它们对轨道重叠积分表现出相反的依赖性。

2、大多数tadf材料的传统设计原理可简化为具有一个或多个供体或受体的供体(d)-受体(a)或d-π-a结构，其中发光行为受分子电子激发特性的影响很大。对于边界分子轨道分布完全分离的tadf分子，可以期望单独的供体-受体远程电荷转移(lr-ct)激发，这有利于较小的δest和较小的f。解决这一问题的传统方法是在π桥上引入一些轨道重叠，杂化局域激发(le)，以扩大f值。然而，在分子设计中，谨慎地平衡适当比例的lr-ct和le激发以达到较小δest和较大的f是相当困难的，大多数tadf分子的δest仍然太大。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种发光材料、发光器件、显示装置，以解决tadf分子难以同时具备较小δest和较大的f的技术问题。

2、第一方面，本申请实施例提供一种发光材料，所述发光材料包括发光分子，所述发光分子选自具有如下分子结构通式的分子中的任意一种：

3、

4、其中，x1～x4各自独立地选自o或s，

5、环ar1～ar6各自独立地选自芳环或芳杂环，ar7、ar8各自独立地选自芳杂环，

6、y1、y2各自独立地选自c或n，

7、r1～r4为取代基，

8、k1～k4分别指r1～r4的数量，k1～k4均为不小于1的整数。

9、在本申请的一些实施例中，所述发光材料还包括荧光分子。

10、在本申请的一些实施例中，k1～k4均为区间[1，10]内的整数。

11、在本申请的一些实施例中，r1～r4各自独立地选自羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的杂环烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。

12、在本申请的一些实施例中，所述取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团包括：

13、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，

14、其中，q1～q3各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、c1-c60烷基基团、c2-c60烯基基团、c2-c60炔基基团、c1-c60烷氧基基团、c3-c10环烷基基团、c1-c10杂环烷基基团、c3-c10环烯基基团、c1-c10杂环烯基基团、c6-c60芳基基团、c1-c60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团。

15、在本申请的一些实施例中，所述发光分子中，单元和

16、单元，与单元之间的旋转角度均不小于46°、不大于52°。在本申请的一些实施例中，所述发光分子中，单元选自如下基团中的一种：

17、

18、在本申请的一些实施例中，所述发光分子选自如下分子中的一种：

19、

20、

21、第二方面，本申请实施例提供一种发光器件，所述发光器件包括层叠设置的：阳极；

22、发光层，所述发光层包括第一方面任一实施例所述的发光材料；

23、阴极。

24、第三方面，本申请实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面任一实施例所述的发光器件。

25、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：

26、本申请实施例提供的发光材料包括发光分子，通过将等效的多重共振受体连接到空间相对松散的供体上形成所述发光分子，这种结构产生了混合轨道分布，包括混合供体-受体lr-ct和桥接-苯基sr-ct特征，实现了发光分子同时具备大f和小δest。等效辐射通道在不影响δest的情况下还可以进一步扩大f。

技术特征：

1.一种发光材料，其特征在于，所述发光材料包括发光分子，所述发光分子选自具有如下分子结构通式的分子中的任意一种：

2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光材料还包括荧光分子。

3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，k1～k4均为区间[1，10]内的整数。

4.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，r1～r4各自独立地选自羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的杂环烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。

5.根据权利要求4所述的发光材料，其特征在于，所述取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团包括：

6.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光分子中，单元和单元，与单元之间的旋转角度均不小于46°、不大于52°。

7.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光分子中，单元选自如下基团中的一种：

8.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光分子选自如下分子中的一种：

9.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括层叠设置的：

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的发光器件。

技术总结
本申请涉及一种发光材料，所述发光材料包括发光分子，所述发光分子选自具有如下分子结构通式的分子中的任意一种：其中，X<subgt;1</subgt;～X<subgt;4</subgt;各自独立地选自O或S，环Ar<subgt;1</subgt;～Ar<subgt;6</subgt;各自独立地选自芳环或芳杂环，Ar<subgt;7</subgt;、Ar<subgt;8</subgt;各自独立地选自芳杂环，Y<subgt;1</subgt;、Y<subgt;2</subgt;各自独立地选自C或N，R<subgt;1</subgt;～R<subgt;4</subgt;为取代基，k<subgt;1</subgt;～k<subgt;4</subgt;分别指R<subgt;1</subgt;～R<subgt;4</subgt;的数量，k<subgt;1</subgt;～k<subgt;4</subgt;均为不小于1的整数。本申请实现了发光分子同时具备大的f和小的ΔEST。

技术研发人员：吕博文,张晓晋,孙海雁,王斯琦,谭明丰
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15