一种半导电复合薄膜、抗电磁脉冲低噪音电缆及其制备方法和应用与流程

本发明涉及电缆，具体涉及一种半导电复合薄膜、抗电磁脉冲低噪音电缆及其制备方法和应用。

背景技术：

1、在弯曲、振动、冲击、温度变化等外界因素作用下，电缆本身将产生一定量的静电信号(或称电缆结构噪音)，通常将电缆结构噪音小于5毫伏的电缆称之为低噪音电缆。在工业测控、医学、国防等多个领域的微小信号测量均需用到低噪音电缆。

2、航空航天、地面车辆等电子科技的快速发展以及综合信息化技术的不断提高，在现代科技中电子信息安全越发受到重视。在充分运用了微电子程控技术的情况下，现代装备系统达到了高度的信息化和智慧化。

3、然而，微电子程控系统非常容易受到外部电磁场的干扰冲击而损坏，所以其电磁防护显得非常重要，因此需要设计一种抗电磁脉冲的低噪音电缆。

技术实现思路

1、本发明的目的是为了克服现有技术存在的低噪音电缆不能同时具备低噪音和优异的抗电磁脉冲的功能，使得当前低噪音电缆无法在强电磁等复杂环境下进行微小信号测量的问题。

2、为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种制备半导电复合薄膜的方法，该方法的步骤包括：

3、(1)将聚四氟乙烯薄膜浸入至全氟磺酸聚合物溶液中30-40s，取出后经干燥，再浸入至盐酸溶液中进行静置24-48h，得到预处理的聚四氟乙烯薄膜；其中，所述全氟磺酸聚合物溶液中溶剂为异丙醇和/或甲醇；

4、(2)将所述预处理的聚四氟乙烯薄膜的一侧与氧化剂进行第一接触反应，另一侧与聚苯胺-对甲基苯磺酸水溶液进行第二接触反应，用盐酸清洗后干燥得到半导电复合薄膜。

5、本发明第二方面提供由前述第一方面所述的方法制备得到的半导电复合薄膜。

6、本发明第三方面提供一种抗电磁脉冲低噪音电缆，包括三个低噪音电缆小单元、复合编织屏蔽层、外护套；

7、所述三个低噪音电缆小单元两两外切，且通过成缆绕包组成一个整体，所述三个低噪音电缆小单元组成的整体外依次包有复合编织屏蔽层和外护套；

8、各个所述低噪音电缆小单元自内到外依次设置导体、内半导电层、绝缘层、外半导电层、外导体层和内护套；

9、其中，所述内半导电层自内到外依次为半导电膏层以及前述第二方面所述的半导电复合薄膜。

10、本发明第四方面提供前述第三方面所述的抗电磁脉冲低噪音电缆在军用电子设备中的应用。

11、与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：

12、1、本发明提供的抗电磁脉冲低噪音电缆能适用于50kv/m、频谱范围不大于100mhz强电磁场干扰的条件，能在外部电磁场的干扰下进行设备微小信号测量；

13、2、本发明提供的抗电磁脉冲低噪音电缆在弯曲移动过程中，能减少导体与导体、绝缘层与内导体之间可能的摩擦而产生电荷造成噪音；并能同时减少绝缘层与外导体层之间摩擦产生的电荷；

14、3、本发明提供的抗电磁脉冲低噪音电缆柔软，同时减少了电缆外径和重量，能方便线缆敷设系统连接，有利于设备小型化。

技术特征：

1.一种制备半导电复合薄膜的方法，其特征在于，该方法的步骤包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(1)中，所述全氟磺酸聚合物溶液中全氟磺酸聚合物的浓度为5-10wt％，且所述全氟磺酸聚合物的重均分子量为1000-1200；和/或

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤(2)中，所述氧化剂选自过硫酸铵水溶液、四氯金酸水溶液、氯化铁水溶液中的至少一种；和/或

4.由权利要求1-3中任意一项所述的方法制备得到的半导电复合薄膜。

5.一种抗电磁脉冲低噪音电缆，其特征在于，包括三个低噪音电缆小单元、复合编织屏蔽层、外护套；

6.根据权利要求5所述的抗电磁脉冲低噪音电缆，其中，所述导体采用7-37根单丝镀银软圆铜线同心正规绞而成；和/或

7.根据权利要求1所述的抗电磁脉冲低噪音电缆，其中，所述复合屏蔽层自内到外依次由编织屏蔽层和抗电磁编织屏蔽层组成。

8.根据权利要求1所述的抗电磁脉冲低噪音电缆，其中，所述编织屏蔽层为镀银铜丝编织层，且编织锭数为16-24锭，编织密度为85％；和/或

9.根据权利要求1所述的抗电磁脉冲低噪音电缆，其中，所述外护套为聚全氟乙丙烯层。

10.权利要求1-6中任意一项所述的抗电磁脉冲低噪音电缆在电子设备的应用。

技术总结
本发明涉及电缆技术领域，具体公开了一种半导电复合薄膜、抗电磁脉冲低噪音电缆及其制备方法和应用。该方法的步骤包括：(1)将聚四氟乙烯薄膜浸入至全氟磺酸聚合物溶液中取出后经干燥，再浸入至盐酸溶液中进行静置，得到预处理的聚四氟乙烯薄膜；(2)将所述预处理的聚四氟乙烯薄膜的一侧与氧化剂进行第一接触反应，另一侧与聚苯胺‑对甲基苯磺酸水溶液进行第二接触反应，用盐酸清洗后干燥得到半导电复合薄膜。该方法提供的抗电磁脉冲低噪音电缆噪音小，且能在外部电磁场的干扰下进行设备微小信号测量。

技术研发人员：李玉晶
受保护的技术使用者：湖南华菱线缆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1