长双歧杆菌婴儿亚种的溶胞产物的应用的制作方法

本发明涉及化妆品领域，尤其涉及长双歧杆菌婴儿亚种的溶胞产物的应用。

背景技术：

1、黑色素是存在于每个人皮肤基底层的一种蛋白质。紫外线的照射会令黑色素产生变化，生成一种保护皮肤的物质，然后黑色素又经由细胞代谢的层层移动，到了肌肤表皮层，形成了我们所看到的色斑和肤色不匀等皮肤问题。

2、所以，美白也是一个由内而外的护理工程。首先要选择一套适合自己的美白产品，因为美白成分各不相同，所以理论上最好是使用同一品牌同一系列的产品，这样可以防止不同美白成分互相冲突产生的不良反应。市面上比较多的美白产品都是以烟酰胺为主要成分，能够帮助肌肤抑制和调节黑色素的转移，并减淡已形成的色斑。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供了长双歧杆菌婴儿亚种的溶胞产物的应用。本发明提供的菌种的溶胞产物可在美妆领域达屏障修护和美白的功效，且效果更显著。

2、本发明提供了菌株的溶胞产物，所述菌株为长双歧杆菌婴儿亚种(bifidobacterium longum subsp. infantis)，其保藏编号为：cgmcc no.27851。

3、在本发明的一些实施方案中，所述溶胞产物包括：有机酸10~20%、氨基酸1~10%、无机盐0.5~5%、糖醇1~5%和单糖0.1~3%。

4、在本发明的一些实施方案中，所述溶胞产物包括：有机酸17%、氨基酸4%、无机盐2%、糖醇2%和单糖1%。

5、在本发明的一些实施方案中，所述溶胞产物包括：乙醇酸17%、焦谷氨酸4%、羟胺2%、脱氧赤藓糖醇2%和d-塔罗糖1%。

6、本发明还提供了上述溶胞产物的制备方法，包括如下步骤：

7、s1：取所述长双歧杆菌婴儿亚种(bifidobacterium longum subsp. infantis)接种培养后，获得种子液；

8、s2：取所述种子液发酵培养后，破碎菌体，离心，收集沉淀后，获得所述溶胞产物。

9、在本发明的一些实施方案中，上述制备方法s1中所述接种的接种量为5%。

10、在本发明的一些实施方案中，上述制备方法s2中所述离心的转速为3000 rpm，时间为30 min。

11、本发明还提供了上述溶胞产物和/或上述制备方法获得的溶胞产物在制备屏障修护的个护产品中的应用。

12、本发明还提供了上述溶胞产物和/或上述制备方法获得的溶胞产物在制备美白的个护产品中的应用。

13、在本发明的一些实施方案中，上述个护产品包括：化妆品。

14、在本发明的一些实施方案中，上述个护产品的剂型包括：膏霜型、乳液型、粉剂和精华型中的一种或多种。

15、在本发明的一些实施方案中，上述个护产品包括：基础护理产品和/或彩妆产品。

16、本发明提供了菌株的溶胞产物，所述菌株为长双歧杆菌婴儿亚种(bifidobacterium longum subsp. infantis)，其保藏编号为：cgmcc no.27851。

17、本发明提供的菌种分离自母乳喂养的健康婴儿，试验结果表明，本发明提供的菌种的溶胞产物具有屏障修护和美白的功效，且效果更显著。

技术特征：

1.菌株的溶胞产物，其特征在于，所述菌株为长双歧杆菌婴儿亚种(bifidobacterium longum subsp. infantis)，其保藏编号为：cgmcc no.27851。

2.如权利要求1所述的溶胞产物，其特征在于，所述溶胞产物包括：有机酸10~20%、氨基酸1~10%、无机盐0.5~5%、糖醇1~5%和单糖0.1~3%。

3.如权利要求1或2所述的溶胞产物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.如权利要求1或2所述的溶胞产物和/或如权利要求3所述制备方法获得的溶胞产物在制备屏障修护的个护产品中的应用。

5.如权利要求1或2所述的溶胞产物和/或如权利要求3所述制备方法获得的溶胞产物在制备美白的个护产品中的应用。

6.个护产品，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的溶胞产物和/或如权利要求3所述制备方法获得的溶胞产物以及可接受的辅料。

7.如权利要求6所述的个护产品，其特征在于，所述个护产品的剂型包括：膏霜型、乳液型、粉剂和精华型中的一种或多种。

8.如权利要求7所述的个护产品，其特征在于，所述个护产品包括：基础护理产品和/或彩妆产品。

技术总结
本发明涉及化妆品领域，尤其涉及长双歧杆菌婴儿亚种的溶胞产物的应用。本发明提供了菌株的溶胞产物，所述菌株为长双歧杆菌婴儿亚种(Bifidobacterium longum subsp.infantis)，其保藏编号为：CGMCC NO.27851。本发明涉及的菌种的溶胞产物可在食品及美妆领域达到屏障修护和美白等功效，能在美容护肤领域有更好的发挥。

技术研发人员：承静,张革,张翌,鲁旺旺,杨洋,周勰,窦书恒,潘文婵,王西,张桃
受保护的技术使用者：广州集妍化妆品科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19