湿法蚀刻溶液组合物、玻璃的湿法蚀刻方法和通过湿法蚀刻方法获得的图案化玻璃与流程

文档序号:34600133发布日期:2023-06-28 23:14阅读:98来源:国知局
湿法蚀刻溶液组合物、玻璃的湿法蚀刻方法和通过湿法蚀刻方法获得的图案化玻璃与流程

本公开涉及一种玻璃的湿法蚀刻方法,通过湿法蚀刻在玻璃表面形成纳米图案,以提高玻璃的光透射率,并降低玻璃的反射率。


背景技术:

1、蚀刻(刻蚀)工艺可以分为湿法蚀刻和干法蚀刻。湿法蚀刻通常通过被蚀刻基材与具有腐蚀和溶解基材特性的蚀刻溶液之间的化学反应来进行。干法蚀刻通过使用气体等离子体或活化气体的反应来进行。

2、在基材的表面处理的常规方法中,使用上述干法蚀刻以形成具有几纳米至几十纳米的宽度(厚度)的图案。然而,与湿法蚀刻相比,干法蚀刻成本高,工艺管理和批量生产困难。此外,由于工艺的特点,干法蚀刻难以应用于曲面玻璃和大面积玻璃。

3、另一方面,在以往的湿法蚀刻的情况下,与干法蚀刻相比,工序管理和批量生产容易。然而,通过湿法蚀刻形成的图案具有3微米或更大的平均宽度。这种图案可以降低反射率,但具有透射率显著降低的缺点。因此,出现了对能够降低反射率同时保持透射率的精细纳米图案的需求。然而,湿法蚀刻方法难以将纳米级图案实现到可以控制光反射率或透射率的程度,并且传统的湿法蚀刻很难提供具有高的光透射率/低的光反射率的玻璃。

4、发明人基于这些技术情况进行了研究和开发,并申请了注册号为10-1842083,名称为“形成突起的方法”的韩国专利。根据相关技术,有可能获得提高透射率并降低反射率的效果。然而,蚀刻反应的稳定性、再现性和蚀刻均匀性仍存在问题。

5、因此,发明人继续进一步的研究和开发以达到本发明。


技术实现思路

1、技术问题

2、本公开旨在提供一种具有高透射率/低反射率的玻璃。

3、本公开旨在实现对玻璃的各种表面的高透射率/低反射率加工。

4、本发明旨在提供一种具有高透射率/低反射率的玻璃,其中蚀刻反应的稳定性、再现性和蚀刻均匀性都得到了改善。

5、技术方案

6、根据本公开的湿法蚀刻方法包括清洗玻璃、通过对清洗后的玻璃进行湿法蚀刻以形成纳米级图案、以及清洗并干燥纳米图案化玻璃。

7、在湿法蚀刻中使用的湿法蚀刻溶液可以包含氢氟酸和表面活性剂。

8、湿法蚀刻可以通过浸渍法进行。

9、纳米级图案可以形成在玻璃的两个表面或一个表面上。

10、纳米级图案可以具有1~100纳米的范围。

11、纳米级图案可以包含从玻璃表面突出的突起。

12、玻璃的表面可以具有包含突起的蛾眼结构。

13、纳米级结构可以包含突起。

14、突起的厚度可以大于突起的深度。

15、突起的厚度可以是1~50纳米。

16、突起的深度可以是1~50纳米。

17、突起的厚度可以是5~30纳米。

18、突起的深度可以是5~30纳米。

19、湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物可以包含氢氟酸和表面活性剂,并且包含水作为剩余部分;湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物可以包含氢氟酸和表面活性剂,包含草酸和乙酸中的至少一种,并且包含水作为剩余部分;湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物可以包含氢氟酸和表面活性剂,包含草酸和乙酸中的至少一种,不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl中的至少一种,并且包含水作为剩余部分;湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物可以包含氢氟酸和表面活性剂,可以包含草酸和乙酸中的至少一种,可以不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl全体,并且可以包含水作为剩余部分;湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物可以包含氢氟酸和表面活性剂,还可以包含草酸和乙酸,并且可以包含水作为剩余部分;或者湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物可以包含氢氟酸和表面活性剂,还可以包含草酸和乙酸,可以不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl全体,并且可以包含水作为剩余部分。

20、氢氟酸的量可以大于0重量%且小于5.0重量%。

21、草酸的量可以大于0重量%且小于5.0重量%。

22、乙酸的量可以大于0重量%且小于10.0重量%。

23、表面活性剂的量可以大于0重量%且小于1.0重量%。

24、湿法蚀刻温度可以在30~70℃下进行。

25、蚀刻时间可以进行1~7分钟。

26、玻璃可用于移动设备和各种光学设备等的平板显示器。

27、根据本公开的另一形态的湿法蚀刻溶液组合物是用于蚀刻玻璃的湿法蚀刻溶液组合物。湿法蚀刻溶液组合物可以包含大于0重量%且小于5.0重量%的量的氢氟酸、大于0重量%且小于1.0重量%的量的表面活性剂,以及水作为剩余部分。

28、该组合物可以包含大于0重量%且小于5.0重量%的量的草酸。

29、该组合物可以包含大于0重量%且小于10.0重量%的量的乙酸。

30、该组合物可以包含大于0重量%且小于5.0重量%的量的草酸,以及大于0重量%且小于10.0重量%的量的乙酸。

31、乙酸的量可以大于草酸的量。

32、该组合物可以不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl中的至少一种。

33、湿法蚀刻溶液组合物可以不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl全体。

34、根据本公开的纳米图案化玻璃包含通过湿法蚀刻方法提供的具有纳米级表面突起的图案,以实现高透射率/低反射率,并且适用于平板显示器的前面板、光学设备的透镜或视窗、或封装盖板。

35、突起的厚度可以大于突起的深度。

36、突起的厚度可以是1~50纳米。

37、突起的深度可以是1~50纳米。

38、玻璃可以在两个表面或一个表面上被图案化。

39、有益效果

40、根据本公开,可以提供具有高透射率/低反射率的玻璃。使用者可以通过使用本公开的玻璃来减少由于外部光的反射而导致的显示器的可视性降低。

41、根据本公开,具有以下优点:对于用制造商秘密管理的各种组成制造的玻璃的表面可以进行高透射率/低反射率加工。在本公开中,通过实验证实了,特别是对于移动设备的显示器,通过实现高透射率/低反射率提高了可视性的效果。

42、根据本公开,可以预期通过显示器的可视性的提高来改善移动设备的品质。



技术特征:

1.一种玻璃的纳米湿法蚀刻方法,包括:

2.根据权利要求1所述的纳米湿法蚀刻方法,其中该湿法蚀刻通过浸渍法进行,使得该纳米级图案形成在该玻璃的两个表面或一个表面上。

3.根据权利要求1所述的纳米湿法蚀刻方法,其中该纳米级图案具有1~100纳米的范围,并且

4.根据权利要求3所述的纳米湿法蚀刻方法,其中该突起的厚度为1~50纳米,该突起的深度为1~50纳米。

5.根据权利要求3所述的纳米湿法蚀刻方法,其中该突起的厚度为5~30纳米,并且该突起的深度为5~30纳米。

6.根据权利要求4或5所述的纳米湿法蚀刻方法,其中该突起的厚度大于该突起的深度。

7.根据权利要求1所述的纳米湿法蚀刻方法,其中湿法蚀刻中的湿法蚀刻溶液组合物包含氢氟酸和表面活性剂,并且包含水作为剩余部分,

8.根据权利要求7所述的纳米湿法蚀刻方法,其中氢氟酸的量大于0重量%且小于5.0重量%,

9.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米湿法蚀刻方法,其中湿法蚀刻温度为30~70℃,蚀刻时间为1~7分钟。

10.通过权利要求1至8中任一项所述的玻璃的纳米湿法蚀刻方法制造的玻璃。

11.一种用于蚀刻玻璃的湿法蚀刻溶液组合物,包含:

12.根据权利要求11所述的湿法蚀刻溶液组合物,其中包含大于0重量%且小于5.0重量%的量的草酸。

13.根据权利要求11所述的湿法蚀刻溶液组合物,其中包含大于0重量%且小于10.0重量%的量的乙酸。

14.根据权利要求11所述的湿法蚀刻溶液组合物,其中包含大于0重量%且小于5.0重量%的量的草酸,并且包含大于0重量%且小于10.0重量%的量的乙酸。

15.根据权利要求14所述的湿法蚀刻溶液组合物,其中乙酸的量大于草酸的量。

16.根据权利要求11所述的湿法蚀刻溶液组合物,其中该湿法蚀刻溶液组合物不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl中的至少一种。

17.根据权利要求11所述的湿法蚀刻溶液组合物,其中该湿法蚀刻溶液组合物不包含nh4f、hno3、h3po4和hcl全体。

18.一种纳米图案化玻璃,其包含通过湿法蚀刻方法提供的具有纳米级表面突起的图案,以实现高透射率/低反射率,并且适用于平板显示器的前面板、光学设备的透镜或视窗、或封装盖板,

19.根据权利要求18所述的纳米图案化玻璃,其中该突起的厚度为1~50纳米,并且该突起的深度为1~50纳米。

20.根据权利要求18所述的纳米图案化玻璃,其中该玻璃在两个表面或一个表面上被图案化。


技术总结
根据本公开的湿法蚀刻方法包括清洗玻璃、通过对清洗后的玻璃进行湿法蚀刻以形成纳米级图案、以及清洗并干燥纳米图案化玻璃,其中在湿法蚀刻中使用的湿法蚀刻溶液包含氢氟酸和表面活性剂。根据本公开,可以提供具有高透射率/低反射率的玻璃。该玻璃可以应用于光学设备和包括移动设备的显示器。

技术研发人员:李相老,五十岚克史
受保护的技术使用者:李相老
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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